- PDMS 기능성 박막을 이용한 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터의 제작
- ㆍ 저자명
- 김성진,Kim. Sung-Jin
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2009년|18권 2호|pp.147-150 (4 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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Polydimethylsiloxane (PDMS) 기능성 박막을 도입하여 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터를 제작하고 평가하였다. UV/ozone 처리를 하여 PDMS 표면에 위치한 소수성의 메틸 그룹의 화학적 결합을 끊어 친수성 실리콘 산화막 성질로 표면을 변화시키고 선택적인 펜타신 증착을 유도하였다. Off 전압상태 ($V_g-V_t>0$)에서 게이트 전압에 의해 기인하는 누설 전류는 선형영역 ($V_d=-5;V$)과 포화영역 ($V_d=-30;V$)에서 ${sim}10^{-10}$ A의 값을 보여주며 기존의 트랜지스터 보다 개선된 누설 전류 특성을 나타내었다.
We present a technique for fabricating low leakage organic field-effect transistors by a functional polydimethylsiloxane (PDMS) layer. The technique relies on the photo-chemical process of conversion of the PDMS to a silicon oxide which provides the selective growth of pentacene thin films. The reduced gate leakage current showed ${sim}10^{-10}$ A in a linear ($V_d=-5;V$) and saturation ($V_d=-30;V$) region at $V_g-V_t>0$.