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다양한 온도에서 염소가스 반응에 의해 표면 개질된 SiC의 트라이볼로지 특성평가
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  • 다양한 온도에서 염소가스 반응에 의해 표면 개질된 SiC의 트라이볼로지 특성평가
저자명
배흥택,정지훈,최현주,임대순,Bae. Heung-Taek,Jeong. Ji-Hoon,Choi. Hyun-Ju,Lim. Dae-Soon
간행물명
한국세라믹학회지
권/호정보
2009년|46권 5호|pp.515-519 (5 pages)
발행정보
한국세라믹학회
파일정보
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주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Carbon layers were fabricated on silicon carbide by chlorination reaction at temperatures between $1000^{circ}C$ and $1500^{circ}C$ with $Cl_2/H_2$ gas mixtures. The effect of reaction temperature on the micro-structures and tribological behavior of SiC derived carbon layer was investigated. Tribological tests were carried out ball-on-disk type wear tester. Carbon layers were characterized by X-ray diffractometer, Raman spectroscopy and surface profilometer. Both friction coefficients and wear rates were maintained low values at reaction temperature up to $1300^{circ}C$ but increased suddenly above this temperature. Variation of surface roughness as a function of reaction temperature was dominant factor affecting tribological transition behavior of carbon layer derived from silicon carbide at high temperature.