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Ultra-Low-Power Differential ISFET/REFET Readout Circuit
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  • Ultra-Low-Power Differential ISFET/REFET Readout Circuit
  • Ultra-Low-Power Differential ISFET/REFET Readout Circuit
저자명
Thanachayanont. Apinunt,Sirimasakul. Silar
간행물명
ETRI journal
권/호정보
2009년|31권 2호|pp.243-245 (3 pages)
발행정보
한국전자통신연구원
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

A novel ultra-low-power readout circuit for a pH-sensitive ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) is proposed. It uses an ISFET/reference FET (REFET) differential pair operating in weak-inversion and a simple current-mode metal-oxide semiconductor FET (MOSFET) translinear circuit. Simulation results verify that the circuit operates with excellent common-mode rejection ability and good linearity for a single pH range from 4 to 10, while only 4 nA is drawn from a single 1 V supply voltage.