초점면 배열 원적외선 검출기를 위한 새로운 신호취득 회로를 연구하였다. 각 픽셀 감지소자에 흐르는 전류에 따라, 각 픽셀 회로의 적분시간이 능동적으로 최적화될 수 있도록 리셋 신호를 조정하는 방식이다. 따라서, 제안하는 신호취득 회로는 넓은 동작 범위와 뛰어난 신호 대 잡음 비 특성을 동시에 가질 수 있다. 회로 제작에 사용한 공정은 $0.35{mu}m$ 2-poly 4-metal CMOS 공정이다. 원적외선 감지소자로서 HgCdTe 다이오드를 사용했고, 배열의 크기는 $128{ imes}128$이며, 단위 픽셀의 크기는 $50{mu}m{ imes}50{mu}m$이다. 기존에 제안한 이 단계 암전류 억제 방식과 더불어 본 논문에서 제안하는 리셋 조정 회로를 함께 사용할 경우, 신호 대 잡음 비와 동작 범위를 각각 87dB와 95.8dB 까지 향상시킬 수 있다.
A new readout circuit involving a pixel-level reset control was studied for 2-D long wavelength infrared focal plane arrays. The integration time of each pixel can be optimized individually and automatically. Hence, the readout circuit has a wide dynamic range and good signal-to-noise ratio characteristics. The readout circuit was fabricated with a $0.35{mu}m$ 2-poly 4-metal CMOS process for a $128{ imes}128$ long wavelength infrared HgCdTe array with a pixel size of $50{mu}m{ imes}50{mu}m$. The smart reset control with two-step background suppression improves the signal-to-noise ratio to 87dB and the dynamic range to 95.8dB.
