- 2500 V급 NPT-IGBT소자의 설계에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 강이구,안병섭,남태진,Kang. Ey-Goo,Ahn. Byoung-Sub,Nam. Tae-Jin
- ㆍ 간행물명
- 전기전자재료학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2010년|23권 4호|pp.273-279 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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In this paper, we proposed 2500 V Non punch-through(NPT) Insulated gate bipolar transistor(IGBT) for high voltage industry application. we carried out optimal simulation for high efficiency of 2500 V NPT IGBT according to size of device. In results, we obtaind design parameter with 375 um n-drift thickness, 15 um gate length, and 8um emitter windows. After we simulate with optimal parameter, we obtained 2840 V breakdown voltage and 3.4V Vce,sat. These design and process parameter will be used designing of more 2000 V NPT IGBT devices.