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수열합성법에 의해 성장된 ZnO 나노와이어의 전계방출 특성
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  • 수열합성법에 의해 성장된 ZnO 나노와이어의 전계방출 특성
저자명
노임준,김성현,신백균,No. Im-Jun,Kim. Sung-Hyun,Shin. Paik-Kyun
간행물명
照明·電氣設備學會論文誌
권/호정보
2010년|24권 2호|pp.101-105 (5 pages)
발행정보
한국조명전기설비학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 논문은 수열합성법에 의해 합성된 ZnO 나노와이어의 전계방출 특성을 연구하였다. ZnO 나노와이어는 핫플레이트 위에서 90[$^{circ}C$]의 온도로 Au 박막위에서 합성되었으며, ZnO 나노와이어의 팁을 형성하기 위한 캡핑 재료로 SDS(Sodium Dodecyl Sulfate)를 0.05~0.3[wt%] 용액에 혼합하였다. 2시간동안 수열합성후 체인 형태의 ZnO 나노와이어가 성장되었다. 고순도의 ZnO 나노와이어는 울자이트(Wurzite) 구조의 팁 형태를 보였으며, ZnO 나노와이어의 전계방출 특성은 고진공 챔버에서 측정하였고, 나노와이어의 턴-온 전계는 0.1[${mu}A/cm^2$]의 전류밀도에서 4.1V/${mu}m$]를 나타내었다.

기타언어초록

We fabricated FEDs(Filed emission devices) based on ZnO nanowires. The ZnO nanowires were synthesized on Au thin films by hydrothermal method at the temperature of 90[$^{circ}C$] on hot plate. In order to form tips of the ZnO nanowire, SDS(Sodium Dodecyl Sulfate) was mixed in O.05-0.3[wt%] solution as capping material. After 2 hour growth, we obtained nanowires of chain form The high-purity nanowires showed sharp tip geometry with a wurtzite structure. The field emission properties of the ZnO nanowires were investigated in high vacuum chamber. The turn-on field for the ZnO nanowires was found to be about 4.1[V/${mu}m$] at a current density of 0.1[${mu}A/cm^2$].