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Electrical Instabilities of Mesoporous Silica Thin Films
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  • Electrical Instabilities of Mesoporous Silica Thin Films
  • Electrical Instabilities of Mesoporous Silica Thin Films
저자명
정현담,Dung. Mai Xuan,Jeong. Hyun-Dam
간행물명
조선자연과학논문집
권/호정보
2010년|3권 4호|pp.219-225 (7 pages)
발행정보
조선대학교 기초과학연구원
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

On the surface of mesoporous silica thin films (MSTF) which were fabricated by sol-gel approach there are existences of water and three different silanol types including chained, germinal and isolated silanol. Their amounts changes as a function of aging time of used sol solution, as confirmed by FT-IR. The adsorbed water generates ionic carriers such as H+ and OH- and passivates the Si dangling bonds at the interface of silicon wafer-MSTF. The ionic carriers can not only transport across the thickness of thin film to enhance the leakage current but also diffuse toward the silicon wafer-MSTF interface to depassivate Si dangling bonds. On the other hand, chained silanols or germinal silanols promote the moisture adsorption of MSTF and tend to form strongly hydrogen bonded systems with adsorbed water molecules resulting in very high dielectric constant. Isolated silanol, on the contrary, affects less on electrical properties of thin film.