본 연구에서는 X선 조사에 의해 생성된 전하의 이동현상을 조사하기 위해 비행시간 측정방법을 이용하였다. 이 측정기술은 일반적으로 디지털 X선 영상 변환물질의 전하 트랩 및 수송현상에 유용한 방법이다. 비행시간 측정법을 이용하여 a-Se 광도전체의 전하 수송자의 과도시간 및 이동속도를 측정하였다. 시편제작을 위해 열증착법을 이용하여 유리기판위에 $400{mu}m$ 두께의 a-Se 필름을 제작하였다. 측정결과, 전자와 정공의 과도시간은 $10V/{mu}m$의 전기장에서 각각 $229.17{mu}s$ 와 $8.73{mu}s$ 였으며, 이동속도는 각각 $0.00174cm^2/V{cdot}s$, $0.04584cm^2/V{cdot}s$ 였다. 측정결과, 전자와 정공의 이동 속도의 측정값에 다소 큰 차이를 보였으며, 이 결과로부터 전하수송 및 트랩 기전을 분석하는데 이용하였다.
In this paper, transport properties of charge carrier which is produced by x-ray exposure were investigated.. It is the research of charge transport and specific property of trap that is performed in direct digital x-ray image receptor. We measured transit time and drift mobility of charge carriers of a-Se photoconductor using time-of-flight method. We made a testing glass with a-Se of $100{mu}m$ thickness on corning glass using thermal evaporation method. As a result of this experiment, electron and hole transit time was each $229.17{mu}s$ and $8.73{mu}s$ at $10V/{mu}m$ electric field and drift mobility was each $0.00174cm^2/V{cdot}s$, $0.04584cm^2/V{cdot}s$. But the results shows us different measurement value of electron and charge drift mobility and it was investigated about charge transport properties and trap mechanism.
