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양극산화 시간 및 전류밀도 변화에 따른 다공질 실리콘의 특성 변화
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  • 양극산화 시간 및 전류밀도 변화에 따른 다공질 실리콘의 특성 변화
저자명
최현영,김민수,김군식,조민영,전수민,임광국,이동율,김진수,김종수,임재영,Choi. Hyun-Young,Kim. Min-Su,Kim. Ghun-Sik,Cho. Min-Young,Jeon. Su-Min,Yim. Kwang-Gug,Le
간행물명
한국표면공학회지
권/호정보
2010년|43권 3호|pp.121-126 (6 pages)
발행정보
한국표면공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The PS(porous Si) were fabricated with different anodization time and current density. The structural and optical properties of PS were investigated by SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy), and PL(photoluminescence). It is found that the pore size and surface roughness of PS are proportional to the current density. The PL spectra show that the PL peak position is red-shifted with increasing anodization time. This behavior corresponds to the change of pore size which is consistent with the quantum confinement model. The FWHM(full width at half maximum) of PL peak is decreased from 97 to 51 nm and the PL peak position is blue-shifted with increasing current density up to 10 mA/$cm^2$. The PL peak intensity of the PS fabricated under 1 mA/$cm^2$ is the highest among samples.