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ITO/glass 기판위에 제작된 Cross linked PVA 유기 게이트 절연막의 전기적 특성
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  • ITO/glass 기판위에 제작된 Cross linked PVA 유기 게이트 절연막의 전기적 특성
저자명
최진은,공수철,전형탁,박형호,장호정,Choi. Jin-Eun,Gong. Su-Cheol,Jeon. Hyeong-Tag,Park. Hyung-Ho,Chang. Ho-Jung
간행물명
반도체디스플레이기술학회지
권/호정보
2010년|9권 4호|pp.1-5 (5 pages)
발행정보
한국반도체디스플레이기술학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

The PVA (poly-vinyl alcohol) insulators were spun coated onto ITO coated glass substrates with the capacitors of Glass/ITO/PVA/Al structure. The effects of PVA concentrations (3.0, 4.0 and 5.0 wt%) on the morphology and electrical properties of the films were investigated. As the concentration of PVA increased from 3.0 to 5.0 wt%, the leakage current of device decreased from 17.1 to 0.23 pA. From the AFM measurement, the RMS value decreased with increasing PVA concentration, showing the improvement of insulator film roughness. The capacitances of the films with PVA concentrations of 4.0 and 5.0 wt% were about 28.1 and 24.2 nF, respectively. The lowest leakage current of 1.77 PA was obtained at the film thickness of 117.5 nm for the device with fixed PVA concentration of 5.0 wt%.