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RFID 히스테리시스 제어용 CMOS 비교기 IC 회로
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  • RFID 히스테리시스 제어용 CMOS 비교기 IC 회로
저자명
김영기,Kim. Young-Gi
간행물명
전기전자학회논문지
권/호정보
2011년|15권 3호|pp.205-210 (6 pages)
발행정보
한국전기전자학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

본 논문에서는 주변의 간섭 잡음의 변화가 큰 RFID 환경에서 입력 신호를 구형파로 복원할 때 히스테리시스의 문턱전압을 디지털적으로 제어하여 신호 수신 신뢰도를 높이기 위한 비교기 회로를 0.35-${mu}m$ 선폭 CMOS IC 로 제안 하고 분석, 설계 후 모의 실험을 통하여 전기적 특성을 측정, 비교, 분석하였다. 4개의 디지털 비트를 조절하여 제안된 비교기 회로의 문턱전압을 12mV에서 246mV까지 234mV 만큼 제어가 가능함을 모의실험에서 입증하였으며, 그 결과는 회로를 분석적으로 계산한 값과 매우 적은 오차로 일치하였다. 공급전원은 3.3V를 사용하였다. 또한 다양한 입력신호 및 간섭신호의 환경에서 본 논문에서 제시한 가변회로가 잡음에 덜 민감함을 입증하기 위하여 디지털 제어 비트의 조절로 100kHz의 입력신호에 대한 10MHz의 잡음신호의 영향 및 10kHz의 입력신호에 대한 1MHz의 잡음신호의 영향에서 글리치(Glitch) 오류 제거효과가 큼을 예시하였다.

기타언어초록

A novel hysteresis tunable monolithic comparator circuit based on a 0.35 ${mu}m$ CMOS process is suggested in this paper. To tune the threshold voltage of the hysteresis in the comparator circuit, two external digital bits are used with supply voltage of 3.3V. The threshold voltage of the suggested comparator circuit is controlled by 234mV by change of 4 digital control bits in the simulation, which is a close agreement to the analytic calculation.