본 논문에서는 X-대역 능동 위상 배열 레이더 시스템용 MMIC 다기능 칩을 0.5 ${mu}m$ p-HEMT 상용 공정을 이용하여 개발하였다. 설계된 다기능 칩에는 제어 신호 선로수를 최소화하기 위해 디지털 직병렬 변환기를 포함하고 있다. 다기능 칩은 6-비트 디지털 위상 천이 기능, 6-비트 디지털 감쇠 기능, 송/수신 모드 선택 기능, 신호 증폭 기능 등의 다양한 기능을 제공한다. 24 $mm^2$(6 mm${ imes}$4 mm) 칩 크기의 비교적 소형으로 제작된 MMIC 다기능 칩은 8.5~10.5 GHz에서 24/15 dB의 송/수신 이득 특성과 21 dBm의 P1dB 특성을 보였다. 그리고 6-비트, 64 상태에 대해 위상 천이 특성과 감쇠 특성의 측정 결과, 동작 주파수에서 $7^{circ}$의 RMS 위상 오차와 0.3 dB의 RMS 감쇠 오차를 보였다.
An MMIC multi-function chip for an X-band active phased array radar system has been designed and fabricated using a 0.5 ${mu}m$ GaAs p-HEMT commercial process. A digital serial-to-parallel converter is included in this chip in order to reduce the number of the control interface. The multi-function chip provides several functions: 6-bit phase shifting, 6-bit attenuation, transmit/receive switching, and signal amplification. The fabricated multi-function chip with a relative compact size of 24 $mm^2$(6 mm${ imes}$4 mm) exhibits a transmit/receive gain of 24/15 dB and a P1dB of 21 dBm from 8.5 GHz to 10.5 GHz. The RMS errors for the 64 states of the 6-bit phase shift and attenuation were measured to $7^{circ}$ and 0.3 dB, respectively over the frequency.
