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전기화학적 제조를 통한 나노다공성 텅스텐 산화물 성장의 전열처리 영향
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  • 전기화학적 제조를 통한 나노다공성 텅스텐 산화물 성장의 전열처리 영향
저자명
김선미,김경민,최진섭,Kim. Sun-Mi,Kim. Kyung-Min,Choi. Jin-Sub
간행물명
전기화학회지
권/호정보
2011년|14권 3호|pp.125-130 (6 pages)
발행정보
한국전기화학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 연구에서는 텅스텐 금속박막을 $200^{circ}C$에서부터 $600^{circ}C$의 온도 구간에서 전열처리 (Preannealing) 한 후에, 빛의 조사 유무에 따라 양극산화를 진행하여 생성된 텅스텐 산화물의 표면과 두께에 대해 관찰하였다. 결과적으로 6시간의 동일한 반응시간 동안, $400^{circ}C$에서 전열처리 한 후에 빛의 조사 없이 양극산화 하였을 때, $1.83{mu}m$ 두께의 텅스텐 산화물을 제조할 수 있는 것을 발견하였다. 더욱이 전열처리를 하게 되면 더 두꺼운 산화물을 제조 할 수 있으나, 빛을 조사하게 되면 전열처리에 의해 생성된 산화물을 결정화시켜 오히려 산화물 성장에 방해가 되었다. 이러한 차이점에 대해 결정구조 및 메커니즘에 근거하여 설명하였다.

기타언어초록

We describe that the surface and thickness of nanoporous $WO_3$ fabricated by both light-induced and light-absent anodization are affected by pre-annealing process from $200^{circ}C$ to $600^{circ}C$. As a result, the nanoporous $WO_3$ with a thickness of $1.83{mu}m$ can be achieved by anodization for 6 hours after pre-annealing at $400^{circ}C$ without illumination of light. Moreover, the thickness of nanoporous $WO_3$ fabricated by pre-annealing is thicker than that of $WO_3$ prepared by non-annealing process. However, the light illumination during anodization leads to convert the crystalline structure obtained by pre-annealing, which interfere the growth of nanoporous $WO_3$. In this paper, we discuss about the growth mechanism of these different nanoporous $WO_3$ films.