전자빔을 이용하여 반도체 공정에서 배출되는 $NF_3$ 가스 분해 연구를 수행하였다. 본 연구에서 흡수선량은 0에서 400 kGy 범위였고, 전류강도는 0~20 mA범위였다. 또한, 처리 대상 가스의 농도 범위는 500~2,000 ppm이었다. 그리고 조사시간의 영향을 알기 위해서, 조사시간을 각각 5초, 10초, 15초, 20초 등으로 달리 하면서 실험을 수행하였다. 흡수선량 및 전류 강도가 증가할수록 가스의 분해효율은 증가하였다. 하지만 처리 대상가스의 농도가 증가할 때는 분해효율이 감소함을 알 수 있었다. 흡수선량이 약 400 kGy일 때 처리가스의 분해효율은 약 90% 정도를 나타내었다.
The destruction study of $NF_3$ gas emitted from the semiconductor industry is performed with electron-beam technology. Absorbed dose (kGy) and current ranged from 0 (0) to 400 kGy (20 mA). The concentration of $NF_3$ gas ranged from 500 to 2,000 ppm. In order to assess the effect of a residence time on DRE (Destruction and Removal Efficiency, %), experiments also conducted at different irridiation times of 5 sec, 10 sec, 15 sec and 20 sec respectively. As absorbed dose and current increased, DRE of $NF_3$ was also increased. However, DRE (%) of $NF_3$ decreased with increasing the concentration of $NF_3$ gas. The DRE of $NF_3$ was about 90% at an absorbed dose of 400 kGy.
