열처리 공정으로 제조한 $In_2Se_3$ 박막의 구조 및 광학적 물성을 조사하여 보고한다. 기판위에 스퍼터링 방법으로 인듐(In: indium)을 증착하고 셀레늄 분위기에서 열처리 온도를 변화시키며 In-Se 박막을 제조하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 $In_2Se_3$ 박막의 형성과 상의 변화를 관찰 할 수 있었다. 낮은 열처리 온도(${leq}150^{circ}C$)에서는 In의 뭉침 현상을 관찰할 수 있었고 열처리 온도가 $250^{circ}C$ 부터 $In_2Se_3$ 박막이 형성되며 $350^{circ}C$ 에서 ${gamma}-In_2Se_3$ 상이 형성됨을 알 수 있었다. 열처리 온도가 $400^{circ}C$로 증가면 wurtzite 구조의 고품질 ${gamma}-In_2Se_3$ 박막을 얻을 수 있었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 $In_2Se_3$ 박막의 밴드갭이 증가함을 알 수 있었고, 열처리 온도 $400^{circ}C$에서 제조된 ${gamma}-In_2Se_3$ 결정질 박막의 밴드갭이 1.796eV임을 알았다.
We report investigation of structural and optical characteristics of $In_2Se_3$ thin films fabricated by thermal annealing process. Indium (In) is deposited on substrates by sputtering methods and $In_2Se_3$ thin films are fabricated by thermal annealing it with selenium vapor. The annealing temperature was changed from $150^{circ}C$ to $400^{circ}C$. We observe formation and phase changes of $In_2Se_3$ thin films with increase of annealing temperature. Conglomeration of In is observed at low annealing temperature (${leq}150^{circ}C$). $In_2Se_3$ phases are started to form at $200^{circ}C$ and ${gamma}-In_2Se_3$ phase form at $350^{circ}C$. High-quality ${gamma}-In_2Se_3$ thin film with wurtzite structure is obtained at $400^{circ}C$ of annealing temperature. Furthermore, we confirm that band gaps of $In_2Se_3$ thin films are increased according to increase of annealing temperature. Optical band gap of high-quality ${gamma}-In_2Se_3$ is found to be 1.796eV.
