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A Study of a High Performance Capacitive Sensing Scheme Using a Floating-Gate MOS Transistor
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  • A Study of a High Performance Capacitive Sensing Scheme Using a Floating-Gate MOS Transistor
  • A Study of a High Performance Capacitive Sensing Scheme Using a Floating-Gate MOS Transistor
저자명
Jung. Seung-Min
간행물명
Journal of information and communication convergence engineering
권/호정보
2012년|10권 2호|pp.194-199 (6 pages)
발행정보
한국정보통신학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

This paper proposes a novel scheme of a gray scale fingerprint image for a high-accuracy capacitive sensor chip. The conventional grayscale image scheme uses a digital-to-analog converter (DAC) of a large-scale layout or charge-pump circuit with high power consumption and complexity by a global clock signal. A modified capacitive detection circuit for the charge sharing scheme is proposed, which uses a down literal circuit (DLC) with a floating-gate metal-oxide semiconductor transistor (FGMOS) based on a neuron model. The detection circuit is designed and simulated in a 3.3 V, 0.35 ${mu}m$ standard CMOS process. Because the proposed circuit does not need a comparator and peripheral circuits, the pixel layout size can be reduced and the image resolution can be improved.