$1.3{mu}m$ 파장에서 동작하는 비대칭 Mach-Zehnder 간섭기에 분할전극 구조를 배열하여 전계 측정시스템의 감지부를 설계, 제작하였다. BPM 전산모사를 통해서 소자를 설계하였고, $LiNbO_3$에 Ti 확산방법으로 구현된 채널 광도파로에 집중 전극구조를 배열하여 집적광학 칩을 제작하였다. ${pi}/2$ 위상차를 갖도록 설계된 비대칭 구조에서는 DC 0V에서 측정된 출력 광세기가 최고치에 약 1//2에 해당됨을 확인하였으며, 1KHz 전기신호를 인가해서 ${pi}/2$ 위상차 때문에 나타나는 전기적 현상들을 확인하였다.
Integrated-optic asymmetric Mach-Zehnder interferometer at $1.3{mu}m$ wavelength and segmented electrode structure were designed and fabricated as a sensing part for the electric-field measurement system. The device was simulated based on the BPM software and fabricated utilizing Ti-diffused $LiNbO_3$ channel optical waveguides and lumped-type electrodes. Almost half-maximum power transmission was observed for asymmetric interferometers with ${pi}/2$ intrinsic phase difference. Expected experimental measurements were observed for 1KHz electrical signal bandwidth.
