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유기박막 트랜지스터에서 문턱전압 이동의 모델링 및 시뮬레이션
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  • 유기박막 트랜지스터에서 문턱전압 이동의 모델링 및 시뮬레이션
저자명
정태호,Jung. Taeho
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2013년|26권 2호|pp.92-97 (6 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this paper the author proposes a method of implementing a numerical model for threshold voltage ($V_{th}$) shift in organic thin-film transistors (OTFTs) into SPICE tools. $V_{th}$ shift is first numerically modeled by dividing the shift into sequentially ordered groups. The model is then used to derive a simulations model which takes into simulation parameters and calculation complexity. Finally, the numerical and simulation models are implemented in AIM-SPICE. The SPICE simulation results agree well with the $V_{th}$ shift obtained from an OTFT fabricated without any optimization. The proposed method is also used to implement the stretched-exponential time dependent $V_{th}$ shift in AIM-SPICE and the results show the proposed method is applicable to various types of $V_{th}$ shifts.