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VO2 박막에서의 광전 변환 특성 연구
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  • VO2 박막에서의 광전 변환 특성 연구
저자명
정주호,강만일,김석원,Jeong. Juho,Kang. Manil,Kim. Sok Won
간행물명
韓國眞空學會誌
권/호정보
2013년|22권 4호|pp.193-197 (5 pages)
발행정보
한국진공학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

본 연구에서는 sol-gel법을 이용해 제작된 $VO_2$ 박막의 광전변환 특성을 연구하기 위해 광 조사 유무에 의해 생성되는 전류를 bias voltage에 따라 온도별로 측정하였다. 그 결과, 광 조사 유무에 따라 박막에서 생성되는 전류가 변화되는 것을 알 수 있었으며, bias voltage가 증가할수록 전류가 일정하게 늘어나는 것을 알 수 있었다. 특히, 광에 의해 생성되는 전류는 $VO_2$에서의 MIT 온도보다 낮은 $50^{circ}C$에서 최대였다. 이러한 결과는 $VO_2$에서 photo-voltaic 효과가 발생함을 의미하며, 따라서 $VO_2$ 박막을 광전변환 소자로 응용할 수 있을 것으로 기대된다.

기타언어초록

In order to investigate the photo-electric property in $VO_2$ film grown by a sol-gel method, the currents generated by the light irradiation and nonirradiation were measured as functions of the bias voltage and the temperature. From the result, the generated current in the film changed with the light irradiation and nonirradiation, and it gradually increased with the bias voltage. In particular, the maximum current was generated at $50^{circ}C$ under the light irradiation; the temperature is lower comparing the MIT (metal-insulator transition) temperature in $VO_2$. This result indicates that $VO_2$ shows the photo-voltaic effect, and so that, it is expected that the $VO_2$ film is applied for a photo-voltaic device.