플래시메모리 성능 향상을 위한 다양한 연구들은 플래시메모리의 사용을 증가시켜 왔다. 그러나 쓰기 연산이 플래시메모리 성능 저하의 주요 원인으로 알려졌음에도 불구하고, 응용 프로그램 단계에서의 쓰기 연산 최적화 연구는 거의 없었다. 본 논문에서는 응용 프로그램의 반복문 재구성을 통한, 페이지 단위의 선택 쓰기 연산을 제안한다. 페이지 단위의 접근이 가능하도록 하기 위해서, 기존 반복문을 타일링(tiling)하거나, 새로운 반복문을 추가하여 반복문의 중첩도를 변경한다. 제안된 기법은 동적으로 데이터의 변경 여부를 판단하여, 오직 변경된 데이터를 쓰기 연산한다. 제안된 선택 쓰기 연산은 불필요한 쓰기 데이터를 제거함으로써, 쓰기 요청 데이터의 양을 감소시킨다.
Researches on performance improvements have enabled to increase the use of flash memory. However there are little works of performance enhancements based on write operations in application level although the operations are known as performance bottleneck in flash memory. We propose selective writing method on only modified data by restructuring a loop. We tile an original loop or insert a new loop to the original loop so that the transformed loop is executed in a page unit. The proposed method eliminates unnecessary data by dynamically checking whether the page is modified or not, and reduces an amount of data requested for write operations.
