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Borate 완충용액에서 니켈 산화피막의 생성 과정과 전기적 성질
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  • Borate 완충용액에서 니켈 산화피막의 생성 과정과 전기적 성질
저자명
김연규,Kim. Younkyoo
간행물명
대한화학회지
권/호정보
2014년|58권 1호|pp.9-16 (8 pages)
발행정보
대한화학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

Borate 완충용액에서 Ni의 부동화 피막의 생성과정(growth kinetics)과 부동화 피막의 전기적 성질을 변전위법, 대 시간 전류법 그리고 단일 주파수 또는 다중 주파수 전기화학적 임피던스 측정법으로 조사하였다. 이때 생성되는 산화피막은 Mott-Schottky 식이 적용되는 p-형 반도체 성질을 보였으며, 낮은 전극전위에서 생성되는 Ni의 부동화 피막 $Ni(OH)_2$는 전극 전위가 증가하면서 NiO, NiO(OH)로 변화되는 것을 알 수 있었다.

기타언어초록

In a borate buffer solution, the growth kinetics and the electronic properties of passive film on nickel were investigated, using the potentiodynamic method, chronoamperometry, and single- or multi-frequency electrochemical impedance spectroscopy. The oxide film formed during the passivation process of nickel has showed the electronic properties of p-type semiconductor, which follow from the Mott-Schottky equation. It was found out that the passive film ($Ni(OH)_2$) of Ni formed in the low electrode potential changes to NiO and NiO(OH) while the electrode potential increases.