본 연구에서는 InGaZnO 반도체를 제조하기 위하여 출발물질로 사용되는 $Ga_2O_3$분말을 침전법을 이용하여 합성하였다. 침전법의 공정 변수인 출발물질로 사용된 $Ga(NO_3)_3$의 농도와 aging 시간 및 온도를 제어하여 $Ga_2O_3$ 분말을 합성하고 그 물성을 분석하였다. TG-DSC 분석을 통하여 $Ga(OH)_3$의 산화온도 및 $Ga_2O_3$의 상전이 온도를 확인하였고, XRD 분석을 통해 $Ga_2O_3$의 결정구조와 결정성의 변화를 확인하였다. 또한 SEM 관찰을 통해 $Ga_2O_3$분말의 미세 구조와 평균 입도 및 입도 분포를 분석하였다.
In this study, we investigated synthesis and characteristics of gallium oxide ($Ga_2O_3$) powders prepared by precipitation method. $Ga_2O_3$ powders were synthesized using $Ga(NO_3)_3$ as a starting material and $NH_4OH$ as a precipitant. The oxidation temperature of $Ga(OH)_3$ and phase transition temperature of $Ga_2O_3$ was revealed using TG-DSC analysis. The crystal structural change of $Ga_2O_3$ powders was investigated by XRD analysis. The morphologies and size distributions of $Ga_2O_3$ particles were analyzed using SEM.
