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Growth of ZnSnO3 Thin Films on c-Al2O3 (0001) Substrate by Pulsed Laser Deposition
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  • Growth of ZnSnO3 Thin Films on c-Al2O3 (0001) Substrate by Pulsed Laser Deposition
  • Growth of ZnSnO3 Thin Films on c-Al2O3 (0001) Substrate by Pulsed Laser Deposition
저자명
Manh. Trung Tran,Lim. Jae-Ryong,Yoon. Soon-Gil
간행물명
전기전자재료학회논문지
권/호정보
2014년|27권 5호|pp.297-302 (6 pages)
발행정보
한국전기전자재료학회
파일정보
정기간행물|ENG|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

$La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_3$ (LSCO) electrode thin films with a resistivity of ~ 1,600 ${mu}{Omega}cm$ were grown on c-$Al_2O_3$ (0001) substrate. $ZnSnO_3$ (ZTO) thin films with different thicknesses were directly grown on LSCO/c-$Al_2O_3$ (0001) substrates at a substrate temperature that ranged from 550 to $750^{circ}C$ using Pulsed Laser Deposition (PLD). The secondary phase $Zn_2SnO_4$ occurred during the growth of ZTO films and it became more significant with further increasing substrate temperature. Polarization-electric-field (P-E) hysteresis characteristics, with a remnant polarization and coercive field of 0.05 ${mu}C/cm^2$ and 48 kV/cm, respectively, were obtained in the ZTO film grown at $700^{circ}C$ in 200 mTorr.