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낸드 플래시 기대 수명을 고려한 쓰기 조절 기법
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  • 낸드 플래시 기대 수명을 고려한 쓰기 조절 기법
저자명
김민지,신동군,Kim. Min Ji,Shin. Dongkun
간행물명
정보과학회논문지. Journal of KIISE. 컴퓨팅의 실제 및 레터
권/호정보
2014년|20권 5호|pp.271-275 (5 pages)
발행정보
한국정보과학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
서지반출

기타언어초록

본 논문에서는 낸드 플래시 메모리의 제한적인 수명을 고려하여 스마트 디바이스에서의 메모리 회수 시 과도하게 발생하는 저장 장치에 대한 쓰기를 감소시키는 방법을 제안한다. 기존 운영체제에서의 메모리 회수 정책은 쓰기를 유발하는 더티 페이지 쓰기와 스왑, 쓰기를 유발하지 않는 클린 페이지 회수와 프로세스 종료가 있다. 이 때, 더티 페이지 쓰기와 스왑으로 인해 저장장치에 과도한 쓰기 요청이 발생할 경우 수명이 단축되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 메모리 회수 과정에서 발생하는 쓰기에 대한 조절이 필요하다. 제안하는 기법은 모바일 저장장치로 사용되는 eMMC에 대한 쓰기 양을 모니터링 하여 그에 따라 쓰기 조절 상황을 판단하고 메모리 회수 시의 스왑과 더티 페이지 쓰기, 프로세스 종료를 유발하는 조건에 대한 임계값을 조정하여 낸드 플래시로 유발되는 쓰기 양을 감소시킨다. 이 결과 같은 워크로드에 대해 전체 쓰기 양이 기존에 비해 43% 감소하였다.

기타언어초록

In this paper, we propose a NAND flash write throttling technique in memory reclamation. This technique controls the write traffic on NAND flash memory considering the expected NAND flash memory lifetime. During the memory reclamation in operating systems, many write requests to the storage are generated-dirty page writeback and swap out. Our technique monitors the write traffic and controls the threshold values for dirty page writeback, swap or process kill. Experiments show that the proposed algorithm reduces the write traffic by 43% without increasing the read traffic significantly.