온도를 달리하여 수열합성 시킨 두 ZnO nanostructure 의 자외선 검출 소자에 대해 표면 결함과 기판과의 계면 결함의 상대적인 영향을 분석했다. 실험은 laser 가 인가된 상태에서 bias voltage sweep rate을 조절하여, 그에 따른 전류-전압 곡선을 통해 이루어졌다. 수열 성장이 적게 된 ZnO nanostructure의 경우 405, 355 nm laser 인가시, bias voltage sweep rate 을 느리게 할 수록, 전류-전압 기울기가 낮아졌으며, 대조적으로 성장이 크게 된 시료의 경우 기울기가 높아졌다. 이에 대한 이유는 계면과 표면 결함 영향의 차이로 발생됨이 고려됐다. 이와 같이 laser 가 인가된 상태에서 bias voltage sweep rate 에 따른 전류-전압 곡선 분석 실험은 M-S-M (Metal-Semiconductor-Metal) 구조를 갖는 수열 성장된 ZnO 의 표면 및 계면 결함을 관찰하는데 도움을 줄 것으로 생각된다.
The relative concentration of surface and interfacial defects in hydrothermally grown ZnO nanostructures was investigated by a comparison of two samples having different growth temperatures via bias voltage sweep rate under laser illumination of 405 and 355 nm. The current of small ZnO nanostructures (growth temperature of $75^{circ}C$) decreased when induced more slowly bias voltage sweep rate under the laser illumination. In contrast, the current of large ZnO nanostructures (growth temperature of $90^{circ}C$) increased. This difference in currents indicates the relation of relative defects concentration between surface and interfacial defects of ZnO nanostructure. Our experimental approach has potential applicability in the analysis of influence on defects in ZnO devices.
