- 전하 불균형 효과를 고려한 Super Junction MOSFET 개발에 관한 연구
- ㆍ 저자명
- 강이구,Kang. Ey Goo
- ㆍ 간행물명
- 전기전자재료학회논문지
- ㆍ 권/호정보
- 2014년|27권 10호|pp.613-617 (5 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국전기전자재료학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
This paper was analyzed electrical characteristics of super junction power MOSFET considering to charge imbalance. We extracted optimal design and process parameter at -15% of charge imbalance. Considering extracted design and process parameters, we fabricated super junction MOSFET and analyzed electrical characteristics. We obtained 600~650 V breakdown voltage, $224{sim}240m{Omega}$ on resistance. This paper was showed superior on resistance of super junction MOSFET. We can use for automobile industry.