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밀리미터파 InP 소자기술
범진욱, 윤상원 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 1999, Vol.12 No.8 18-23 (6 pages)
회로 제작에 지금까지 개발된 기술 중 가장 경쟁력 있는 기술로 InP HEMT와 HBT를 이용하여 100㎓ 이상의 회로가 만들어지고 있다. GaAs 소자 기술에 비해 InP 소자기술은 주파수 특성과 잡음특성, 집적도에 있어서 우수하나 반면에 V-band 이하의 주파수에서 전력특성이 나쁘며, 가격이 비싼 단점이 있다. V-band 이상의 고주파 대역에서 InP 소자기술은 대부분의 면에서 GaAs 소자기술을 능가하여 극초고주파에서 적용가능한 유일한 소자기술이 된다. 본 논문에서는 InP 소자 기술에 대한 기본적인 내용과 응용 예를 소개한다. -
Optimization of Ohmic Contact Metallization Process for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
Wang. Cong, Cho. Sung-Jin, Kim. Nam-Young 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2013, Vol.14 No.1 32-35 (4 pages)
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High Electron Mobility Transistor 소자의 고 내열성
김영중, 김형준, Kim. Yeong-Jung, Kim. Hyeong-Jun 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1997, Vol.7 No.5 390-396 (7 pages)
electron mobility transisters(HEMT)소자의 오믹 접합재료로 일반적으로 사용되고 있는 AuGeNi의 접합저항과 열적 안정성을 향상시키기 위한 새로운 접합재료에 대해 연구하였다. 이를 위해 sub/M$_{1}$Au-Ge/M$_{2}$Au의 구조에서 M$_{1}$을 Ni과 Pd, M$_{2}$를 Ni, Ti, Mo로 하였을 경우의 접합 재료에 대한 오믹 접합 특성의 변화를 조사하였다. 또한 일반 열처리로와 램프 히터를 이용한 고속 열처리에 따른 오믹 특성을 조사하였다. M$_{1}$을 Ni에서 Pd으로 대체하였을 경우 접합 저항은 약간 증가하였으며 접합 특성의 개선을... -
밀리미터파 응용 시스템 설계를 위한 RF 소신호 주파수 특성 시뮬레이션
손명식, Son. Myung-Sik 한국신호처리시스템학회 信號處理·시스템學會 論文誌 5 Pages
한국신호처리시스템학회 信號處理·시스템學會 論文誌 2011, Vol.12 No.3 217-221 (5 pages)
Electron Mobility Transistor)들은 우수한 마이크로파 및 밀리미터파 주파수 특성 및 이에 따른 우수한 저잡음 특성을 가지고 있다. GaAs 기반 MHEMT(Metamorphic HEMT)는 InP 기반의 HEMT에 비해 비용 측면에서 커다란 장점을 가지고 있다. 본 논문에서는 마이크로파 및 밀리미터파 응용 시스템에 필수적인 MHEMT의 RF 특성을 예측 평가하기 위하여 MHEMT의 RF 소신호 특성 회로를 시뮬레이션하고 분석하였다. 본 논문에서의 시뮬레이션을 통한 RF 소신호 주파수 분석은 MHEMT를 이용한 밀리미터파 응용 시스템 설계에 도움을 제공할... -
위성통신용 수신기의 설계
정우영, 백정기, 최부귀 한국산업정보학회 한국산업정보학회논문지 115 Pages
한국산업정보학회 한국산업정보학회논문지 1996, Vol.1 No.1 119-233 (115 pages)
본 논문에서는 게이트의 길이가 0.25$mu extrm{m}$dlsGaAs HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 11.7GHz-12.2GHz 대역 위성통신용 수신기를 설계하였다. 설계된 수신기의 전체이득은 38dB 이상, 잡음지수 1.8dB 이하, 입출력단의 반사손실은 -10dB 이하를 보였다. 수신기는 저잡음증폭기(LNA), 중간주파수증폭기(IFA) , 믹서(Mixer), 국부발진기(LO) 로 구성되어 있으며 LO 주파수와 IF 주파수는 각각 10.75GHz 와 0.95GHz-1.45GHz이고 칩의 크기는 1.7mm $ imes$2.5mm이다. -
S-대역 고효율 Pallet 전력증폭기 모듈 설계
최길웅, 김형종, 최진주, 최준호, Choi. Gil-Wong, Kim. Hyoung-Jong, Choi. Jin-Joo, Choi. Jun-Ho 한국군사과학기술학회 韓國軍事科學技術學會誌 9 Pages
한국군사과학기술학회 韓國軍事科學技術學會誌 2010, Vol.13 No.6 1071-1079 (9 pages)