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FTES/$O_2$-PECVD 방법에 의한 SiOF 박막형성
김덕수, 이지혁, 이광만, 강동식, 최치규, Kim. Duk-Soo, Lee. Ji-Hyeok, Lee. Kwang-Man, Gang. Dong-Sik, Choe. Chi-Kyu 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.8 825-830 (6 pages)
FTES/$O_2$-PECVD 방법에 의하여 증착된 SiOF 박막의 특성을 FT-IR, SPS, 그리고 ellipsometry로 분석하였다. 유전상수, breakdown field와 누설전류 밀도는 MIS(Au/SiOF/p-Si) 구조로 형성하여 C-V와 I-V특성곡선으로부터 측정하였다. SiOF박막의 step-coverage는 SEM 단면사진으로 조사하였다. FTES와 $O_2$의 유량을 각각 300sccm으로 반응로에 주입하였을 때 양질의 SiOF 박막이 형성되었다. 형성된 박막의 유전상수는 3.1로서 다른 산화막보다 더 낮은 값으로 나타났다. breakdown field와 누설전류밀도는 약 10MV/cm와 $8{... -
VHF-PECVD OF Ti/TiN WITH SILANE REDUCTION PROCESS
Mizuno. Shigeru 한국표면공학회 한국표면공학회지 7 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 1996, Vol.29 No.5 350-356 (7 pages)
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Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films as Passivation Layers Deposited by Microwave Remote-PECVD for Heterojunction Solar Cells
Jeon. Min-Sung, Kamisako. Koichi 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2009, Vol.10 No.3 75-79 (5 pages)
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ECR-PECVD로 증착한 a-Si : H/Si으로 부터의 가시 PHotoluminescence
심천만, 정동근, 이주현, Shim. Cheon-Man, Jung. Dong-Geun, Lee. Ju-Hyeon 한국재료학회 한국재료학회지 3 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.4 359-361 (3 pages)
사용하여 electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition(ECR-PECVD)로 실리콘 기판위에 증착한 수소화 비정질 실리콘(a-Si:H)으로부터 가시 photoluminescence(PL) 가 관찰되었다. a-si:H/Si로 부터의 PL은 다공질실리콘으로부터의 PL과 유사하였다. 급속열처리에 의해 $500^{circ}C$에서 2분간 산소분위기에서 어닐링된 시편의 수소함량은 1~2%로 줄어들었고 시편은 가시 PL을 보여주지 않았는데 이는 a-Si:H의 PL과정에서 수소가 중요한 역할을 한다는 것을 뜻한다. 증착된 a-Si:H의 두께가 증가함에 따라... -
ECR-PECVD 방법으로 증착된 a-C:H 박막의 수소함량 측정
손영호, 정우철, 정재인, 김인수, 배인호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 119-126 (8 pages)
ECR-PECVD 방법으로 ECR 플라즈마 소스 power, $CH_4/H_2$ 가스 혼합비와 유량, 증착시간 및 기판 bias 전압을 변화시켜 가면서 수소가 함유된 비정질 탄소 박막을 증착하고, 증착조건에 따라서 박막 내부에 함유되어 있는 수소함량 변화를 2.5 MeV 헬륨 이온빔을 사용하는 ERDa로 측정하였다. ERDA의 결과와 hES 및 RBS에 의한 성분분석으로부터 본 실첨에서 증착된 박막은 탄소와 수소만으로 구성 되어있음을 확인할 수 있었고, FTIR의 결과로부터 박막 증착조건에 따라서 박막 내부에 함유되어 있는 수소함량이 변화함을 알 수 있었다.... -
ECR-PECVD 방법으로 제조한 a-C:H 박막의 결합구조
손영호, 정우철, 정재인, 박노길, 김인수, 배인호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2000, Vol.9 No.4 382-388 (7 pages)
ECR-PECVD 방법을 이용하여 ECR power, $CH_4/H2$ 가스 혼합비와 유량, 증착시간, negative DC self bias 전압 등을 변화 시켜가면서 수소가 함유된 비정질 탄소 박막을 제조하고, 증착조건에 따른 박막의 결합구조 변화를 FTIR로 분석하였다. a-C:H 박막에 대한 FTIR 스팩트럼의 흡수 peak들은 2800~3000 $ extrm{cm}^{-1}$ 영역에서 관측되었으며, 대부분 $sp^3$ 결합을 하고있고 일부 $sp^2$ 결합구조가 존재함을 알 수 있었다. $CH_4/H_2$ 가스 혼합비와 유량의 미소 변화는 a-C:H 박막의 탄소와 수소의 결합구조에 큰 영향을 미치지... -
ECR-PECVD 방법으로 제작된 DLC 박막의 기판 Bias 전압 효과
손영호, 정우철, 정재인, 박노길, 김인수, 김기홍, 배인호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2000, Vol.9 No.4 328-334 (7 pages)
ECR-PECVD 방법을 이용하여 ECR power, $CH_4/H_2$ 가스 혼합비와 유량, 증착시간을 고정시켜놓고 기판 bias 전압을 변화 시켜가면서 DLC 박막을 제작하였고, 제작된 박막의 두께, Raman과 FTIR 스펙트럼 그리고 미소경도 등을 측정 및 분석하여 기판 bias전압에 따른 이온충돌이 박막의 특성 변화에 미치는 영향을 조사하였다. FTIR 분석 결과로부터 기판 bias 전압을 증가시킬수록 이온충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소원자들의 탈수소화 현상을 확인할 수 있었고, 박막의 두께는 bias 전압을 증가시킬수록 감소되었다.... -
RF-PECVD법에 의해 합성된 a-C : H 박막의 내부응력에 관한 연구
손민규, 이상현, 김성녕, 이재성, 고명완, Son. Min-Gyu, Lee. Sang-Hyeon, Kim. Seong-Nyeong, Lee. Jae-Seong, Go. Myeong-Wan 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.3 214-218 (5 pages)
PECVD로 합성된 a-C : H 박막의 내부압축응력 발생 원인을 규명하기 위하여 mesh에 RF power를 인가하는 새로운 장치를 고안, 기판지지대에 RF power를 인가하는 기존의 장치에서 합성된 시편과의 비교.분석을 수행하였다. Raman 분광 분석과 내부압축응력 측정 결과로부터 mesh 장치에 의해 합성되어진 시편의 $sp^{3}$$sp^{2}$비가 감소함에 따라 내부압축응력이 감소하는 것을 관찰할 수 있었으며, 또한 미세경도와 밀착강도를 측정하였다. 그리고 내부합축응력 발생에 대한 이온충돌효과를 확인하기 위해서 Ar보조가스를 첨가하였다....