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MHEMT를 이용한 DC ∼ 45 GHz CPW 광대역 분산 증폭기 설계 및 제작
진진만, 이복형, 임병옥, 안단, 이문교, 이상진, 고두현, 백용현, 오정훈, 채연식, 박형무, 김삼동, 이진구, Jin. Jin-Man, Lee. Bok-Hyung, Lim. Byeong-Ok, An. Dan, Lee. Mun-Kyo, Lee. Sang-Jin 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.12 7-12 (6 pages)
본 논문에서는 0.1 $mum$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 DC~45 GHz 대역의 광대역 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 분산 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도 442 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 409 mS/mm를 얻었다. RF 특성으로 fT는 140 GHz fmax는 447 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 광대역 MIMIC 분산 증폭기의 설계를 위해 MHEMT의... -
RF Dispersion and Linearity Characteristics of AlGaN/InGaN/GaN HEMTs
Lee. Jong-Uk 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.11 29-34 (6 pages)
선형성과 RF dispersion 특성을 조사하였다. 전극 길이가 0.5 ㎛인 AlGaN/InGaN HEMT는 최대 전류 밀도가 730mA/mm, 최대 전달정수가 156 mS/mm인 비교적 우수한 DC 특성과 함께, 기존의 AlGaN/GaN HEMT와는 달리 높은 게이트 전압에도 완만한 전류 전달 특성을 보여 선형성이 우수함을 나타내었다. 또한 여러 다른 온도에서 측정한 펄스 전류 특성에서 소자 표면에 존재하는 트랩에 의한 전류 와해 (current collapse) 현상이 발생되지 않음을 확인하였다. 이 연구 결과는 InGaN를 채널층으로 하는 GaN HEMT의 경우 선형성이 우수하고,... -
다층 InAs 양자점을 이용한 장파장 적외선 수광소자에 관한 연구
김종욱, 오재응, 홍성철, Kim. Jong-Wook, Oh. Jae-Eung, Hong. Seong-Chul 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.8 42-47 (6 pages)
(HEMT)의 체널 영역에 삽입하여, 양자점내의 inter-subband transition을 이용한 전파장 적외선 수광소자를 제작하였다. 제작된 소자는 180 K 이상의 온도에서 InAs 양자점의 전자에 대한 강한 구속력으로 인해 낮은 암전류 특성을 보이며 7${mu}m$에서 11${mu}m$까지의 넓은 수광영역을 나타내었다. 9.4${mu}m$에서 peak 광전류가 검출되었으며 이때의 검출율은 $1.93{ imes}10^{10}cmHz^{1/2}/W$ 였다. 장파장 적외선 검출에 따른 광전류는 가해진 전압에 대하여 전계효과트랜지스터와 같은 전류-전압 특성을 가지며, 인가된 전압이... -
Analytical Model for Metal Insulator Semiconductor High Electron Mobility Transistor (MISHEMT) for its High Frequency and High Power Applications
Gupta. Ritesh, Aggarwal. Sandeep Kr, Gupta. Mridula, Gupta. R.S. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2006, Vol.6 No.3 189-198 (10 pages)
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Beyond-CMOS: Impact of Side-Recess Spacing on the Logic Performance of 50 nm $In_{0.7}Ga_{0.3}As$ HEMTs
Kim. Dae-Hyun, del Alamo. Jesus A., Lee. Jae-Hak, Seo. Kwang-Seok 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2006, Vol.6 No.3 146-153 (8 pages)
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High $f_T$ 30nm Triple-Gate $In_{0.7}GaAs$ HEMTs with Damage-Free $SiO_2/SiN_x$ Sidewall Process and BCB Planarization
Kim. Dae-Hyun, Yeon. Seong-Jin, Song. Saegn-Sub, Lee. Jae-Hak, Seo. Kwang-Seok 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2004, Vol.4 No.2 117-123 (7 pages)
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Electrical Characteristics of InAlAs/InGaAs/InAlAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors under Sub-Bandgap Photonic Excitation
Kim. H.T., Kim. D.M. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2003, Vol.3 No.3 145-152 (8 pages)
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30 GHz라는 초고주파기술이 필수이며, HEMT등의 고성능화합물 반도체디바이스가 반드시 필요하다. 또 2.5~10Gbps, 나아가서는 40Gbps의 고속$cdot$장거리 통신에는 광 디바이스가 결정적인 역할을 하고 있다. 한편 지수 함수적으로 증대하고 있는 정보의 축적은 광디스크의 진보에 힘입은 바가 크다. 보다 많은 대용량 화상데이터의 축적과 읽기$cdot$쓰기를 할 수 있는 DVD(Digital Versatile Disc)-ROM, DVD-RAM에 대하여도 시장 조성이 목전에 다가오고 있다. 이와 같이 광$cdot$마이크로파디바이스는 정보$cdot$통신의 프런트 엔드를...
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전기소자 개발을 위한 inverse engineering의 적용
안형근, 한득영 대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 5 Pages
대한전기학회 전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers 1995, Vol.44 No.11 16-20 (5 pages)
본 연구에서는 소자 designer의 측면에서, 회로 designer가 원하는 AC/DC 특성을 만족시키기 위한 HEMT의 구조 및 물리적 변수를 추출하고, 또한 압전세라믹 Transformer를 실제의 적용 예로 들어서 소자의 전기적 특성을 만족시킬 수 있는 세라믹 소재의 물리적 특성의 선택 방법 및 그 조건을 제시하고, 전기적 특성을 만족시킬 수 있는 압전세라믹 Transformer의 구조를 결정하는 분석차례 및 적용방법을 소개하고자 한다. 아울러 향후에 각 소자의 생산을 위한 preproduction line에서의 효율적인 inverse engineer의 연구 및 그 이용... -
High-Voltage AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Using Thermal Oxidation for NiOx Passivation
Kim. Minki, Seok. Ogyun, Han. Min-Koo, Ha. Min-Woo 대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 6 Pages
대한전기학회 Journal of electrical engineering & technology 2013, Vol.8 No.5 1157-1162 (6 pages)