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수열법에 의한 산화물 단결정 성장
이영국, Lee. Young-Kuk 한국결정학회 한국결정학회지 20 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 2006, Vol.17 No.2 66-85 (20 pages)
수열법으로 압전수정, 방해석 및 산화아연 단결정을 성장하고 각종 결함 및 성장된 단결정의 구조적, 화학적, 물리적 특성을 고찰하였다. 수열법은 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없는 재료의 결정 성장에 많이 이용되며 수정의 경우, 융액의 점도가 매우 높고 유리화하는 성질이 있어 직접 용융으로 단결정을 성장할 수 없다. 방해석과 산화아연의 경우 용융하였을 때 분해되기 때문에 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없어 수열법이 사용된다. 본 고찰에서는 수열법의 성장 원리와 성장 방법, 결함 검출 방법 및 물리적,... -
고속 인상 초크랄스키 실리콘 단결정에서 성장 결함 분포
박봉모, 서경호, 오현정, 이홍우, 유학도 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 2003, Vol.14 No.2 84-92 (9 pages)
고속인상은 후처리에 의하여 쉽게 제거될 수 있도록 성장 결함 분포를 작게 만들기 용이하다. 본 연구에서는, 1.0 mm/min 이상의 속도를 갖는 고속 인상 결정을 육성하였으며, 결정 내의 성장 결함 분포를 분석하였다. 최근의 Cz-Si 결정 성장에서 특정 온도구간에서의 냉각속도와 고액계면에서의 온도구배의 균일성 등이 성장 결함 형성에 대하여 인상속도보다 더 중요한 영향을 주는 것이 발견되었다. 따라서, 고속 인상 결정에서 냉각속도와 온도구배의 영향을 분석하였으며, 이를 실제 관찰된 결함 형성거동과 비교하였다. 이론적... -
$Ba_{1-x}Sr_ xTiO_3$ 단결정의 조성 제어
노건배, 양상돈, 유상임 한국결정학회 한국결정학회지 6 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 2003, Vol.14 No.2 73-78 (6 pages)
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융액인상법에 의한 $Cr^{4+}$:YAG 단결정 성장 연구
송도원, 정석종, 조성일, 유영문 한국결정학회 한국결정학회지 7 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1999, Vol.10 No.1 76-82 (7 pages)
융액인상법에 의하여 Garnet 구조내 결정학적 8면체 및 4면체의 양이온 자리에 전하 보상이온 Mg2+, 구조 수식이온 Sc3+ 및 laser 활성이온 Cr4+을 다양한 농도로 주입한 융액으로부터 Cr4+:YAG 단결정을 성장하고, 주입된 불순이온이 흡수계수에 미치는 영향을 규명하였다. 양질의 단결정을 성장하기 위한 인상속도와 회전속도는 각각 1.5 mm/h와 10 rmp이었으며, Cr4+:YAG 단결정은 <111> 방위로 성장하였다. 성장된 결정의 결정구조 동정 및 결정격자 상수를 측정하고, 1.064 ㎛에서의 결정화분율에 따른 흡수계수, 형광방출... -
융제법에 의한 $PbMg_{1/3}Nb_{2/3}O_3$단결정 성장
임경연, 박찬석 한국결정학회 한국결정학회지 6 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1997, Vol.8 No.2 75-80 (6 pages)
PbMg1/3Mb2/3Oc(PMN)은 대표적인 완화형 강유전체로 완만형상전이 거동을 연구하는데 중요한 재료로 이용되고 있다. 본 연구에서는 양질의 PMN 단결정을 성장시킬수 있는 조건을 결정하고 미세구조를 관찰하고자 하였다. PMN 단결정을 융제법 중 자발핵생성법과 상단종자정법을 이용하여 성장하였다. PbO융제를 이용하여 2-5mm의 결정을 성장시켰고, MgO를 100% 이상 융제로 첨가하였을 때 PMN 결정만이 성장됨을 관찰하였다. Pbo-B2O3 융제를 이용하여 (001)면이 잘 발달한 결정을 얻을 수 있었다. PbO-B2O3 융제를 이용하여... -
$Y_{3-3x}Nd_{3x}Al_5O_12$단결정의 결함 분석
유영문, 김병호 한국결정학회 한국결정학회지 11 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1994, Vol.5 No.2 67-77 (11 pages)
융액인상법으로 육성된 Y3-3xNd3xAl5O12단결정으로부터 결함을 검출하고 1)광학적 불균질상의 발생원인과 2)금속입자 함유물과 기포의 동반 발생 기구 및 3)core와 facet의 발생기구에 대해 분석하였다. 성장방향에 평행한 박 편을 제조한 후 편광현미경으로 광탄성 효과를 이용하여 결함을 분석하였으며, 결함을 etching한 후 광학적 결함 과 비교하였다. 융액유동의 변동에 의해 부분적인 고액계면의 불안정이 발생되면 부분적으로 성장속도가 크게 증가되어 편재 된 기포가 발생되었다. 반면 조성적 과냉이 발생되면 전체적으로... -
TSSG법에 의한 $BaTiO_3$ 단결정 육성
박봉모, 정수진 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1992, Vol.3 No.2 120-128 (9 pages)
BaTiO3 단결정을 용액의 서냉속도를 달리하면서 TSSG법으로 육성하였으며, 성장된 단결정의 결정외형, 결정 결함, 분역구조 등을 관찰하였다. 0.5℃/hr이 하의 속도로 서 냉함으로써 비교적 등차원적인 큰 단 결정을 육성할 수 있었으며, 성장된 BaTiO3 단결정 은 |111|면이 가장 잘 발달된 외형을 나타내었다. 용 액 냉각속도가 너무 빠르거나 용액내의 수직 온도구 배가 너무 크면 용액이 불안정해지므로, 침상의 Ba6 TiL7040 결정상이 석출된다. 성장된 결정내에 평행 한 쐐기모양의 lamella 분역 집단이 이와 수직하게 진행하는... -
Electron Beam Floating Zone Melting에 의한 몰리브덴의 정련 및 단결정 성장에 관한 연구
최용삼, 지응준 한국결정학회 한국결정학회지 13 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1992, Vol.3 No.2 85-97 (13 pages)
vapor pressure between the elements and molybdenum. The pu- rification effect by zone refining was not significant. The EBFZM also refined the interstitial impurities of C, 0 and N, effectively. The single crystals of molybdenum were grown regardless of the experimental conditions and the secondary recrystallization epitaxy was surge sled as a growth mechanism. The dislocation density in single crystal was higher than that by strain-anneal method, and was not reduced by heat treatments. -
승화결정성장로의 감압속도가 탄화규소 단결정 성장에 미치는 영향
김종표, 김영진, 김형준, Kim. Jong-Pyo, Kim. Yeong-Jin, Kim. Hyeong-Jun 한국결정학회 한국결정학회지 8 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1992, Vol.3 No.1 23-30 (8 pages)
단결정 a-SiC성장시 결정성장로의 감압속도가 결정 성장 속도, 결정성, 성장방향에 미치는 영향 을 고찰해 보기 위해서 승화법으로 (001)면 a-SiC 단결정 종자정위에 단결정 a-SiC를 성장시켰다. 결정성장 초기에는 성장로의 빠른 감압 속도에 따라 결정성장속도가 빨라지고 3C-SiC 다결정이 종자정위에 성장하였고, 감압속도를 느리게 한 경우에는 결정성장 속도가 느려지고 6H-SiC 단결정이 성장하였다. 초기에 단결정층이 성장하는 조건 하에서 2시간 성장후의 단면 성장 양상을 보면, 종자정 하단에서 발생하는 낙은 종자정의 연속적... -
승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장
신동욱, 김형준 한국결정학회 한국결정학회지 10 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1990, Vol.1 No.1 19-28 (10 pages)
단결정 6H-SiC는 에너지갭이 3.0eV인 반도체로서 청색발광소자 및 고온반도체소자로 응용이 기대되는 재료이다. 본 연구에서는 청색발광소자 제작을 위해 6H-SiC 단결정을 승화법으로 성장시켰다. 승화법으로 성장시 성장도가니내의 온도구배를 44℃/cm, 성장온도는 1800-1990℃ 압력은 50-1000 mTorr이었다. 사용한 종자정은 에치슨법으로 성장시킨 SiC 단결정을 사용하였다. 성장된 6H-SiC 결정은 종자징위에 epitaxial growtll를 하였음을 편광현미경과 Back reflection Xray Laue 법으로 확인하였다. 성장조건을 변화시켰을 때...