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151.

Metamorphic HEMT를 이용한 우수한 성능의 94 GHz MMIC 저잡음 증폭기

김성찬, 안단, 이진구, Kim. Sung-Chan, An. Dan, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.8 48-53 (6 pages)

김성찬, 안단, 이진구, Kim. Sung-Chan, An. Dan, Rhee. Jin-Koo 저

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94 GHz 대역 응용에 적용 가능한 MMIC (millimeter-wave monolithic integrated circuit) 저잡음 증폭기를 구현하였다. 94 GHz MMIC 저잡음 증폭기 구현을 위하여 제작된 $100nm imes60{mu}m$ MHEMT의 측정결과, 655 mA/mm의 드레인 전류 밀도, 720 mS/mm의 최대전달컨덕턴스를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득차단주파수는 195 GHz, 최대공진주파수는 305 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 구축된 MHEMT와 CPW 라이브러리를 이용하여 구현된 MMIC 저잡음 증폭기의 측정결과, 94 GHz에서 $S_{21}$ 이득은 14.8 dB, 잡음지수는 4.6 dB의...
152.

Signal Integrity 연결선 테스트용 다중천이 패턴 생성방안

김용준, 양명훈, 박영규, 이대열, 윤현준, 강성호, Kim. Yong-Joon, Yang. Myung-Hoon, Park. Young-Kyu, Lee. Dae-Yeal, Yoon. Hyun-Jun, Kang. Sung-Ho 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.1 14-19 (6 pages)

김용준, 양명훈, 박영규, 이대열, 윤현준, 강성호, Kim. Yong-Joon, Yang. Myung-Hoon, Park. Young-Kyu, Lee. Dae-Yeal, Yoon. Hyun-Jun, Kang. Sung-Ho 저

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현대 반도체의 소형화 및 고성능화로 인해 반도체 테스팅 분야는 다양한 문제점에 봉착하고 있다. 이중 연결선에 대한 signal integrity 문제는 SoC와 같은 고집적 회로에서 반드시 해결해야할 문제이다. 본 논문에서는 연결선의 signal integrity 테스트를 위한 효과적인 테스트 패턴 적용 방안을 제안한다. 제안하는 테스트 패턴은 경계 주사 구조를 통해 적용 가능하며, 상당히 짧은 테스트 시간으로 매우 효과적인 테스트를 수행할 수 있다.
153.

마이크로 머시닝 기술을 이용한 새로운 구조의 100 GHz DMR bandpass Filter의 설계 및 제작

백태종, 이상진, 한민, 임병옥, 윤진섭, 이진구, Baek. Tae-Jong, Lee. Sang-Jin, Han. Min, Lim. Byeong-Ok, Yoon. Jin-Seob, Rhee. Jin-Koo 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2007, Vol.44 No.12 7-11 (5 pages)

백태종, 이상진, 한민, 임병옥, 윤진섭, 이진구, Baek. Tae-Jong, Lee. Sang-Jin, Han. Min, Lim. Byeong-Ok, Yoon. Jin-Seob, Rhee. Jin-Koo 저

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본 논문에서는 MMIC 응용을 위한 dielectric-supported air-gapped microstrip line (DAML) 구조를 이용하여 dual-mode stepped impedance 링 공진기를 설계 제작하였다. 링 공진기는 표면 마이크로머시닝 기술을 이용하여 만들어졌다. DAML ring resonator는 다층구조로써 공기중에 위치한 신호선과 MMIC 응용에 적합하도록 CPW가 한 평면에 구성되 있으며 DAML-CPW 트랜지션이 자유로운게 특징이다. DAML 링 공진기는 $10{mu}m$ 높이로 GaAs 기판 으로부터 띄어져 있다. 대역통과 여파기는 dual-mode 공진을 하며 stepped impedance...
154.

적외선 탐색기 신호처리를 위한 극저온 밴드갭 회로 동작 조건 제안 및 제작된 칩의 성능 분석

김연규, 강상구, 이희철, Kim. Yon Kyu, Kang. Sang-Gu, Lee. Hee-Chul 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.12 59-65 (7 pages)

김연규, 강상구, 이희철, Kim. Yon Kyu, Kang. Sang-Gu, Lee. Hee-Chul 저

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영상신호 취득회로(readout integrated circuit)를 위한 밴드갭 회로를 처음으로 제작한 후 측정, 평가하여 그 실용 가능성을 입증하고 있다. 밴드갭 회로는 대표적인 전압 기준회로로서 기존에 발표된 대부분의 밴드갭 회로는 실온에서 동작하는 것이며, 액체질소 온도 77K에서는 그 특성이 적합하지 않다. 본 논문에서는 극저온에서 동작하는 밴드갭 회로 설계를 위하여, 그에 맞는 회로를 선택하여 온도변화에 따른 사용되는 소자들의 파라미터에 대한 이론정립을 통한 그것의 특성을 살펴보고, 이러한 특성들을 고려하여 저온동작에...
155.

MHEMT를 이용한 DC ∼ 45 GHz CPW 광대역 분산 증폭기 설계 및 제작

진진만, 이복형, 임병옥, 안단, 이문교, 이상진, 고두현, 백용현, 오정훈, 채연식, 박형무, 김삼동, 이진구, Jin. Jin-Man, Lee. Bok-Hyung, Lim. Byeong-Ok, An. Dan, Lee. Mun-Kyo, Lee. Sang-Jin 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.12 7-12 (6 pages)

진진만, 이복형, 임병옥, 안단, 이문교, 이상진, 고두현, 백용현, 오정훈, 채연식, 박형무, 김삼동, 이진구, Jin. Jin-Man, Lee. Bok-Hyung, Lim. Byeong-Ok, An. Dan, Lee. Mun-Kyo, Lee. Sang-Jin 저

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0.1 $mum$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 DC~45 GHz 대역의 광대역 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 분산 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT는 드레인 전류 밀도 442 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 409 mS/mm를 얻었다. RF 특성으로 fT는 140 GHz fmax는 447 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 광대역 MIMIC 분산 증폭기의 설계를 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW...
156.

60 GHz 무선 LAN의 응용을 위한 고이득 저잡음 증폭기에 관한 연구

조창식, 안단, 이성대, 백태종, 진진만, 최석규, 김삼동, 이진구 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.11 21-27 (7 pages)

조창식, 안단, 이성대, 백태종, 진진만, 최석규, 김삼동, 이진구 저

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Γ-gate pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)를 이용하여 V-band용 millimeter-wave monolithic integrated circuit(MIMIC) 저잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 본 연구에서 개발한 PHEMT의 DC 특성으로 드레인 포화 전류 밀도(Idss)는 450 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(gm, max)는 363.6 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득 차단주파수(fT)는 113 GHz, 최대 공진 주파수(fmax)는 180 GHz의 성능을 나타내었다. V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 개발을 위해 PHEMT의 비선형 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며,...
157.

Metamorphic HEMT를 이용한 100GHz MIMIC 증폭기의 설계 및 제작

안단, 이복형, 임병옥, 이문교, 백용현, 채연식, 박형무, 이진구 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.9 25-30 (6 pages)

안단, 이복형, 임병옥, 이문교, 백용현, 채연식, 박형무, 이진구 저

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본 논문에서는 0.1㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 100 GHz 대역의 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT의 드레인 전류 밀도는 640 mA/mm 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 653 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 fT는 173 GHz, fmax는 271 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 100 GHz MIMIC 증폭기의 개발을 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW...
158.

넓은 범위의 전류 출력을 갖는 고선형 전압-제어 전류원 회로

차형우 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.7 89-96 (8 pages)

차형우 저

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넓은 범위의 전압-제어 발진기 및 자동 이득 조절기의 실현을 위한 고선형 전압-제어 전류원(VCCS) 회로를 제안하였다. 제안한 VCCS는 전압 입력을 위해 이미터 폴로워, 전류 출력을 위해 이미터가 결합된 두 개의 공통-베이스 증폭기, 그리고 넓은 범위의 전류 출력과 높은 선형성을 얻기 위해 두 증폭기를 결합한 전류 미러로 구성된다. VCCS의 회로는 별도의 바이어스회로가 없이 단지 5개의 트랜지스터와 1개의 저항기만 사용하였다. 시뮬레이션 결과 제안한 VCCS는 5V의 공급전압에서 1V에서 4.8V까지의 제어-전압에 대하여 최대...
159.

적응성 귀환을 이용한 고정도 전류 미러와 이를 이용한 전압-전류 변환기

차형우, 김학윤, Cha. Hyeong-U, Kim. Hak-Yun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 11 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.4 93-103 (11 pages)

차형우, 김학윤, Cha. Hyeong-U, Kim. Hak-Yun 저

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고정도 전류-모드 신호 처리와 집적 회로 설계를 위한 새로운 전류 미러를 제안하였다. 제안한 전류 미러는 입력 임피던스를 줄이기 위해 적응성 귀환 기법을 사용하였고, 출력 임피던스를 높이기 위해 조절된 캐스코드 전류 미러의 출력단을 이용하였다. 시뮬레이션 결과 제안한 전류 미러는 Vcc=5V의 공급기 전압에서 0.9Ω의 입력 임피던스, 415 MΩ의 출력 임피던스, 그리고 0.96의 전류 이득을 가진다. 소비 전력은 1.5㎽이다. 제안한 전류 미러의 응용성을 확인하기 위해 이를 이용한 전압-전류 변환기를 설계하였다. 시뮬레이션...
160.

저전력 8-비트 마이크로콘트롤러의 설계

이상재, 정항근, Lee. Sang-Jae, Jeong. Hang-Geun 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.2 63-71 (9 pages)

이상재, 정항근, Lee. Sang-Jae, Jeong. Hang-Geun 저

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마이크로콘트롤러는 4단계 파이프라인 구조를 가지며 기존의 여러 가지 저전력 설계 기법들을 이용하여 구현되었다. 전력 소모는 0.6㎛ 공정을 사용했을 때 MIPS당 600㎼를 소모했으며 0.25㎛ 공정을 사용했을 때 MIPS당 70㎼를 소모했다. RTL 레벨의 설계는 VHDL을 이용해서 수행되었고, 0.6㎛/0.2㎛ CMOS IDEC(Integrated Circuit Design Education Center) standard cell library를 이용해서 게이트 레벨에서 기능 검증을 하였다. 합성된 코어는 0.25㎛ 공정을 용했을 때 약 7000개의 NAND 게이트를 0.36㎟의 작은 면적에 집적화 시킬...

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