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안경렌즈(CR-39)에의 DLC Hard 코팅에 관한 연구
이원진, Lee. Won Jin 한국안광학회 한국안광학회지 5 Pages
한국안광학회 한국안광학회지 2001, Vol.6 No.1 87-91 (5 pages)
PECVD 방법으로 60 Hz 상용전원을 사용하여 발생한 아세틸렌 플라스마로부터 다이아몬드성 탄소박막을 제작하고 Raman 분광에 의하여 D($sp^3$)와 G($sp^2$) 피크를 관측하여 박막의 다이아몬드성 정도를 확인하였고 $sp^3$와 $sp^2$의 비율과 FTIR 결과로부터 박막내의 수소함량의 측정을 통하여 아세틸렌 분압비와의 연관성을 확인하였다. -
다이아몬드성 탄소 박막의 특성
강성수, 이원진, 박혜정, Kang. Sung Soo, Lee. Won Jin, Park. Hae Jong 한국안광학회 한국안광학회지 7 Pages
한국안광학회 한국안광학회지 2000, Vol.5 No.2 193-199 (7 pages)
수소화된 비정질 탄소 박막은 PECVD 방법으로 제작하였으며 박막의 증착률은 아세틸렌 가스의 함량에 의존하였다. 이것은 메탄 기체를 사용하였을 때와 비교해 조금 높았다. 박막의 광학적 밴드 갭은 1.4~1.8eV였으며 아세틸렌 함량에 밀접한 연관성을 보여주었다. Raman과 FTIR 분광에 의하여 $sp^3/sp^2$의 정성적인 분율을 결정할 수 있었으며 이러한 결과로부터 아세틸렌 함량 13.8%의 박막이 최적의 조건이었다. -
아세틸렌 플라스마를 이용한 다이아몬드성 탄소 박막의 제작 및 특성
육도진, 강성수, 이원진, Youk. Do Jin, Kang. Sung Soo, Lee. Won Jin 한국안광학회 한국안광학회지 8 Pages
한국안광학회 한국안광학회지 1998, Vol.3 No.1 1-8 (8 pages)
지주파 PECVD 방법으로 아세틸렌 분암비를 달리하면서 제작한 비정질 탄소 박막에서의 분광 특성을 조사하였다. Raman 분광으로부터 D 피크와 G 피크의 상대적인 세기로부터 $sp^3/sp^2$은 수소함량에 대한 경향성을 알 수가 있었으며, FTIR 분광으로부터 계산된 수소함량은 16~37 atm %, $sp^3/sp^2$d,s 0.22~1.44로 변화하였다. 이와 같은 분광특성에 의하여 최적의 아세틸렌 분압비는~15%임을 알 수가 있었다. -
트렌치 산화막을 이용한 단결정실리콘 MEMS 구조물의 절연기술에 관한 연구
이상철, 김임정, 김종팔, 박상준, 이상우, 조동일, Lee. Sang-Chul, Kim. Im-Jung, Kim. Jong-Pal, Park. Sang-Jun, Yi. Sang-Woo, Cho. Dong-Il 한국센서학회 센서학회지 10 Pages
한국센서학회 센서학회지 2000, Vol.9 No.4 297-306 (10 pages)
전극 간의 전기적 절연을 위하여 고형상비 산화막으로 구성된 빔 및 측벽을 이용한 새로운 절연 기술을 개발하였다. 개발된 절연 기술은 실리콘 구조물을 측면 또는 하부에서 산화막으로 지지하는 절연 구조를 가진다. 이러한 트렌치 산화막은 그 깊이가 수십 ${mu}m$이므로 산화막의 잔류응력이 구조물에 미치는 영향을 반드시 고려하여야 한다. 본 논문에서는 PECVD 방법으로 증착한 TEOS 산화막으로 절연 구조들을 제작하였으며, 제작된 절연구조들의 잔류응력을 측정하고, 그 잔류응력이 구조물에 미치는 영향을 해석하였다. 또한... -
p-i-n 구조의 InSb 웨이퍼를 이용한 적외선 광다이오드의 제조 및 그 특성
조준영, 김종석, 손승현, 이종현, 최시영, Cho. Jun-Young, Kim. Jong-Seok, Son. Seung-Hyun, Lee. Jong-Hyun, Choi. Sie-Young 한국센서학회 센서학회지 8 Pages
한국센서학회 센서학회지 1999, Vol.8 No.3 239-246 (8 pages)
표면의 절연보호막으로 $SiO_2$ 박막을 원격 PECVD를 이용하여 성장시켰다. 광다이오드의 저항성 접촉을 위해 In을 증착하였고 77K의 암상태에서 전류-전압 특성을 조사하였다. 영전위 저항과 수광면적의 적($R_0A$)이 $1.56{ imes}10^6;{Omega}{cdot}cm^2$의 높은 값을 가졌는데 이는 BLIP 조건을 만족하는 높은 값이었다. InSb 광다이오드에 적외선을 입사 했을때 $10^{11};cm{cdot}Hz^{1/2}{cdot}W^{-1}$의 매우 높은 정규화된 검지도를 나타내었다. 높은 양자효율과 검지도로 인해 제조된 InSb 적외선 단위 셀을 적외선 array에 그... -
화학센서용 다공성 ${gamma}-Fe_2O_3$ 박막 제조
김범진, 임일성, 장건익, Kim. Bum-Jin, Lim. Il-Sung, Jang. Gun-Eik 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 1999, Vol.8 No.2 171-176 (6 pages)
PECVD법을 이용하여 $Al_2O_3$ 기판위에 증착된 $Fe_3O_4$박막의 상전이를 통하여 ${gamma}-Fe_2O_3$ 박막을 제조하였다. ${gamma}-Fe_2O_3$ 박막의 상전이는 주로 증착온도와 $Fe_3O_4$의 산화과정에 의해 유도되었다. $Fe_3O_4$ 상은 $200{sim}300^{circ}C$의 증착온도에서 in-situ로 얻을 수 있었다. 증착온도에 따른 상변화는 없었으며 $250^{circ}C$에서 증착된 $Fe_3O_4$상이 가장 안정된 상을 나타내었다. ${gamma}-Fe_3O_3$ 상은 $280{sim}300^{circ}C$의 온도범위에서 $Fe_3O_3$ 상을 산화시켜 유도하였다. $Fe_3O_4$ 상과... -
InSb MIS구조에서의 계면의 전기적 특성 평가
이재곤, 최시영, Lee. Jae-Gon, Choi. Sie-Young 한국센서학회 센서학회지 8 Pages
한국센서학회 센서학회지 1996, Vol.5 No.6 60-67 (8 pages)
PECVD $SiO_{2}$막을 이용하여 제조된 InSb MIS구조에서의 계면의 전기적 특성에 대하여 연구하였다. $105^{circ}C$에서 증착시킨 $SiO_{2}$막을 이용한 MIS구조의 중간 에너지 대역폭에서의 계면상태밀도가 $1{sim}2{ imes}10^{11};cm^{-2}eV^{-1}$으로 평가되었다. 그러나, $105^{circ}C$이상의 고온에서 제조된 MIS소자의 계면에는 다량의 계면준위 및 트랩 준위가 존재하였다. G-V측정으로부터 계산된 계면준위들의 시상수는 $10^{-4}{sim}10^{-5};sec$였으며, 증착온도가 증가할수록 트랩밀도가 증가하여 C-V특성곡선의 이력특성이... -
a-SiNx:H 박막의 제조 및 특성
박욱동, 김영진, 김기완, Park. Wug-Dong, Kim. Young-Jin, Kim. Ki-Wan 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 1995, Vol.4 No.2 58-63 (6 pages)
$SiH_{4}$와 $NH_{3}$의 RF 글로우방전 분해에 의한 PECVD법으로 a-SiNx:H박막을 제조하고 기판온도, RF 전력, 그리고 $NH_{3}/SiH_{4}$ 유량비 등의 변화에 따른 a-SiNx:H 박막의 유전상수와 광학적 밴드갭 등을 조사하였다. a-SiNx:H막의 유전상수와 광학적 밴드갭은 기판온도, RF 전력 및 $NH_{3}/SiH_{4}$ 유량비 등의 증착변수에 따라 크게 변화하였다. 기판온도가 증가할수록 a-SiNx:H막의 유전상수는 증가하였으며 광학적 밴드갭은 감소하였다. 기판온도, RF 전력, 가스압력, $NH_{3}/SiH_{4}$ 유량비 및 두께를 각각... -
스트레스균형이 이루어진 $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 유전체 멤브레인의 제작
김명규, 박동수, 김창원, 김진섭, 이정희, 이종현, 손병기, Kim. Myung-Gyoo, Park. Dong-Soo, Kim. Chang-Won, Kim. Jin-Sup, Lee. Jung-Hee, Lee. Jong-Hyun, Sohn. Byung- 한국센서학회 센서학회지 9 Pages
한국센서학회 센서학회지 1995, Vol.4 No.3 51-59 (9 pages)
및 스트레인 진단용 시험패턴의 특성을 측정분석하였고, 중간에 있는 $SiO_{2}$층을 PECVD, LPCVD 및 APCVD방법으로 각각 증착하여 $SiO_{2}$층의 증착방법에 따른 적층 유전체박막의 스트레스특성에 대해서도 논의하였다. 대부분의 경우 적층 유전체 멤브레인에 인장스트레스가 존재하였으나, $SiO_{2}$층의 증착방법과 거의 무관하게 $1,150^{circ}C$의 후습식산화로 실리콘기판에 의해 멤브레인에 나타나는 인장스트레스의 균형을 얻을 수 있었다. 온도변화에 따른 멤브레인에서의 스트레스 변화특성으로 부터 후산화처리를 하지 않는... -
증착방법에 따른 DLC 막의 마찰-마모 특성평가
오윤석, Oh. Yoon-Suk 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 8 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2009, Vol.46 No.5 497-504 (8 pages)