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161.

MOD-TFA공정에 의한 YBCO박막 제조 시 cerium첨가효과에 관한 연구

이금영, 권연경, 김병주, 안지현, 이종범, 김호진, 이희균, 홍계원, 유재무, 이형철, Yi. Keum-Young, Kwon. Youn-Kyung, Kim. Byeong-Joo, Ahn. Ji-Hyun, Lee. Jong-Beom, Kim. Hye-Jin 한국초전도학회 Progress in superconductivity 6 Pages

한국초전도학회 Progress in superconductivity 2006, Vol.8 No.1 87-92 (6 pages)

이금영, 권연경, 김병주, 안지현, 이종범, 김호진, 이희균, 홍계원, 유재무, 이형철, Yi. Keum-Young, Kwon. Youn-Kyung, Kim. Byeong-Joo, Ahn. Ji-Hyun, Lee. Jong-Beom, Kim. Hye-Jin 저

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162.

Synthesis of a new (Ta1-xSnx)Sr2EuCu2Oz superconductor

Kim. G.W., Lee. H.K. 한국초전도저온공학회 Progress in superconductivity and cryogenics : PSAC 3 Pages

한국초전도저온공학회 Progress in superconductivity and cryogenics : PSAC 2014, Vol.16 No.2 33-35 (3 pages)

Kim. G.W., Lee. H.K. 저

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163.

InAs/GaSb 제2형 응력 초격자 nBn 장적외선 검출소자 설계, 제작 및 특성평가

김하술, 이훈, Kim. Ha Sul, Lee. Hun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.6 327-334 (8 pages)

김하술, 이훈, Kim. Ha Sul, Lee. Hun 저

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소자의 암전류 밀도를 줄이기 위해서, nBn 구조에서 장벽층인 $Al_{0.2}Ga_{0.8}Sb$ 성장 중에 Te 보상도핑(compansated doping)을 하였다. 온도(T) 80 K 및 인가전압($V_b$) -1.5 V에서, 반응스펙트럼 측정을 통한 소자의 차단파장은 ${sim}10.2{mu}m$ (~0.122 eV)로 나타났다. 또한 온도 변화에 따른 암전류 측정으로부터 도출된 활성화 에너지는 0.128 eV로 계산 되었다. T=80 K 및 $V_b$=-1.5 V에서 암전류는 $1.0{ imes}10^{-2}A/cm^2$으로 측정되었다. 흑체복사 적외선 광원을 이용한 반응도(Responsivity)는 소자 온도 80 K 및...
164.

AuCl3를 도핑하여 제작한 p형 그래핀의 도핑농도에 따른 구조적, 광학적, 및 전기적 특성 연구

김성, 신동희, 최석호, Kim. Sung, Shin. Dong Hee, Choi. Suk-Ho 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.5 270-275 (6 pages)

김성, 신동희, 최석호, Kim. Sung, Shin. Dong Hee, Choi. Suk-Ho 저

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화학 기상 증착법에 의해 제작한 단층 그래핀을 300 nm $SiO_2$/Si와 석영기판 위에 전사한 후 도핑하기 위해 그래핀 표면에 $AuCl_3$ 용액의 농도를 1에서 10 mM까지 변화시키면서 스핀코팅 하였다. 도핑농도에 따른 그래핀의 특성을 여러 구조적, 광학적, 및 전기적 실험기법으로 분석한 결과, 도핑 농도가 증가함에 따라 그래핀의 p형 특성이 더욱 강해진다는 것을 라만 주파수/최고점 세기 비율, 면저항, 일함수, 및 디락점 등의 변화로 확인할 수 있었다. 특히, 그래핀 전계효과 트랜지스터의 드레인 전류-게이트 전압 곡선 측정을...
165.

플라즈마 제트 도핑 장치의 대기 및 기체의 압력 변화에 대한 방전 특성

김중길, 이원영, 김윤중, 한국희, 김동준, 김현철, 구제환, 권기청, 조광섭, Kim. J.G., Lee. W.Y., Kim. Y.J., Han. G.H., Kim. D.J., Kim. H.C., Koo. J.H., Kwon. G.C., Cho. G.S. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 11 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.6 301-311 (11 pages)

김중길, 이원영, 김윤중, 한국희, 김동준, 김현철, 구제환, 권기청, 조광섭, Kim. J.G., Lee. W.Y., Kim. Y.J., Han. G.H., Kim. D.J., Kim. H.C., Koo. J.H., Kwon. G.C., Cho. G.S. 저

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결정질 태양전지 등의 도핑 공정에 적용하기 위한 플라즈마 제트 장치의 기초 방전 특성을 조사한다. 대기압에서의 아르곤 플라즈마 제트와 대기 압력변화에 대한 대기 플라즈마 제트, 그리고 아르곤 분위기 압력 변화에 대한 플라즈마 제트의 전류-전압은 전형적인 정상 글로우 방전의 특성을 갖는다. 대기압 플라즈마 제트의 방전 전압은 약 2.5 kV의 높은 전압이 요구되며, 대기 및 아르곤 플라즈마 제트는 200 Torr 이하의 낮은 압력에 대한 방전 전압은 약 1 kV가 된다. 도핑용 실리콘 웨이퍼에 조사되는 단일 채널 플라즈마 제트의...
166.

P 변조도핑한 In(Ga)As/InGaAsP 양자점에 대한 운반자 동역학

장유동, 박재규, 이동한, 홍성의, 오대곤, Jang. Y.D., Park. J., Lee. D., Hong. S.U., Oh. D.K. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.3 301-307 (7 pages)

장유동, 박재규, 이동한, 홍성의, 오대곤, Jang. Y.D., Park. J., Lee. D., Hong. S.U., Oh. D.K. 저

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(PL) 세기는 doping 된 양자점이 doping되지 않은 양자점에 비해 약 10배 정도 약하게 나왔다. 또한 Time resolved PL (TR-PL) 실험을 통해 얻은 양자점 시료의 기저상태 PL peak 에서의 decay time은 doping된 양자점이 doping 되지 않은 양자점에 비해 매우 짧게 나왔다. 이러한 PL 세기와 decay time 특성을 통해서 본 연구에서 측정한 doping 된 양자점의 경우에는 doping에 의해 결함이 증가하게 되고, 그로 인해 운반자의 비발광 경로가 증가하게 되어 doping 된 양자점의 경우에 decay time이 짧게 나타나는 것으로 분석하였다.
167.

Nd이 이온주입된 undoped와 Mg-doped GaN의 분광 특성 연구

송종호, 이석주, Song. Jong-Ho, Rhee. Seuk-Joo 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.6 624-629 (6 pages)

송종호, 이석주, Song. Jong-Ho, Rhee. Seuk-Joo 저

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이용하여 GaN와 Nd 이온 사이의 에너지 전달과정을 분석하고 Mg을 도핑 하였을 때의 효과를 보았다. Nd의 $^4F_{3/2}{ ightarrow}^4I_{9/2}$ 전이에 대하여 Photoluminescence (PL)와 PL excitation 방법을 이용하여 에너지 전달 경로에 적어도 3가지 이상의 밴드갭 내의 trap이 있음을 확인하였다. Mg이 doping된 GaN : Nd에서는 isoelectronic trap으로 생각되는 특정한 trap의 수가 증가되었음이 관측되었고 이로 인해 전기적으로 여기될 시료의 특성을 보여줄 밴드갭보다 큰 에너지를 이용한 여기 상태의 효율이 더욱 높아짐을 알...
168.

플라즈마 화학증착법으로 제조된 수소화된 비정질 탄화실리콘 박막의 물성에 대한 붕소의 도핑효과

김현철, 이재신 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.1 104-111 (8 pages)

김현철, 이재신 저

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$SiH_4$, $CH_4$, $B_2H_6$ 혼합기체를 이용하여 플라즈마 화학증착법으로 비정질 탄화실리콘(a-SiC:H) 박막을 증착하였다. 기상 doping 농도를 0에서 $2.5 imes10^{-2}$ 범위에서 변화시켜 얻은 박막의 물성을 SEM, XRD, Raman 분광법, FTIR, SIMS, 광흡수도와 전기전도도 분석을 통하여 살펴보았다. $B_2H_6$/($CH_4+SiH_4$) 기체유량비가 증가할수록 붕소의 도핑효율와 미세결정성은 감소하였다. 증착 중 $B_2H_6$ 기체가 첨가됨에 따라 비정질 탄화실리콘 박막의 Si-C-H 결합기의 강도는 감소하였으며, 이의 영향으로 박막내의...
169.

RTN에 의해 형성된 TIN/$TiSi_2$ Bilayer의 특성

이석형, 김헌도, 박종완 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.1 26-32 (7 pages)

이석형, 김헌도, 박종완 저

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온도, 시간, subst-rate doping 등의 영향을 연구하였다. 형성된 TiN/TiSi2 bilayer의 구조적 전기적 특성은 x-ray diffrac-tion(XRD) cross-sectional transmission electron microscopy(XTEM) Rutherford backscattering ？-ctrometry(RBS) x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) 와 four point probe system 등을 이용하여 분석하였다. 형성된 TiN/TiSi2 bilayer의 구조는 RTN 처리시간보다 온도에 의존하는 성향이 더욱 강하 였다. Ti를 $400AA$ 증착한 시편의 경우 $600^{circ}C$ -30초 RTN 처리 후에 준안정상인 C49 TiSi2 가...
170.

EPW 용액에서의 실리콘 양극 산화막 형성에 관한 연구

부종욱, 김선미, 김승희, 김성태, 권숙인, Bu. Jong-Uk, Kim. Seon-Mi, Kim. Seung-Hui, Kim. Seong-Tae, Gwon. Suk-In 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.2 181-187 (7 pages)

부종욱, 김선미, 김승희, 김성태, 권숙인, Bu. Jong-Uk, Kim. Seon-Mi, Kim. Seung-Hui, Kim. Seong-Tae, Gwon. Suk-In 저

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않았다. 산화막의 XPS 분석결과 n-Si과 p-Si의 경우 Si 2p photopeak의 chemical shift는 각각 ${Delta}$3.62eV, ${Delta}$3.55eV였으며, $p^+$-Si의 경우에는 ${Delta}$4.25eV였다. 따라서 $p^+$-Si의 양극 산화막이 light doping의 경우와 비교하여 커다란 에칭 저항성을 보이는 것은 산화막의 화학적 조성차이에 기인하는 것이라 생각된다. $p^+$-Si이 에칭 용액내에서 anodic bias 상태에 농이게 되면 boron이 표면으로 diffuse-out되는 것을 SIMS 분석을 통해 알 수 있었는데, 그 원인은 아직 분명하지는 않지만, 이것은 실제...

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