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간행물
- THE KOREAN JOURNAL OF PHYSIOLOGY & PHARMACOLOGY(223)
- 신경정신의학(217)
- 우리말연구(198)
- 대한생리학회지(183)
- 대한약리학잡지(163)
- JOURNAL OF VETERINARY SCIENCE(97)
- 안전21(81)
- 한국진공학회지(70)
- KOREAN JOURNAL OF VETERINARY RESEARCH(구 대한수의학회지)(39)
- 한국결정성장학회지(33)
- 한국재료학회지(27)
- CARBON LETTERS(26)
- 전기전자재료학회논문지(26)
- KOREAN JOURNAL OF MEDICAL EDUCATION(23)
- 한국세라믹학회지(20)
- 대한수의학회 학술대회발표집(17)
- PHYSICAL THERAPY REHABILITATION SCIENCE(15)
- 안전기술(15)
- 포장계(15)
- THE PLANT PATHOLOGY JOURNAL (14)
- 전기산업(14)
- 한국열환경공학회 학술대회지(14)
- JOURNAL OF KOREAN BIOLOGICAL NURSING SCIENCE(13)
- 기술표준= THE MONTHLY TECHNOLOGY & STANDARDS(13)
- 골판지포장,물류(12)
- 보일러설비(12)
- AUDIOLOGY AND SPEECH RESEARCH(11)
- 한국습지학회지(11)
- THE KOREAN JOURNAL OF ORTHODONTICS(10)
- 미술치료연구(10)
- 박물관학보(10)
- 식품공업(10)
- 대한한방비만학회지(9)
- 대한화학회지(9)
- 마이크로전자 및 패키징 학회지(9)
- 시큐리티연구(9)
- 아시아장애사회학연구(9)
- 기술사(8)
- 전자진흥= JOURNAL OF KOREAN ELECTRONICS(8)
- ANDRAGOGY TODAY(7)
- JOURNAL OF DENTAL IMPLANT RESEARCH(7)
- 동물약계(7)
- 예술인문사회융합멀티미디어논문지(7)
- 한국수산학회지: BULLETIN OF THE KOREAN FISHERIES SOCIETY(7)
- 교육논총(6)
- 시각장애연구(6)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(6)
- 조형교육(6)
- 학습장애연구(6)
- 한국식품영양과학회지(6)
- 한국영양식량학회지(6)
- 고문화(5)
- 조명-전기설비학회논문지(5)
- 중국학논총(5)
- 품질경영학회지(5)
- 한국식품과학회지(5)
- 한국자기학회지(5)
- BULLETIN OF THE KOREAN CHEMICAL SOCIETY(4)
- THE JOURNAL OF EDUCATION(4)
- TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIALS(4)
- 산업미생물학회지(4)
- 센서학회지(4)
- 전력기술인= THE MONTHLY ELECTRIC ENGINEERS(4)
- 통합교육연구(4)
- 학술대회논문집(4)
- 한국교원교육연구(4)
- BULLETIN OF THE KOREAN MATHEMATICAL SOCIETY(3)
- COMMUNICATIONS OF THE KOREAN MATHEMATICAL SOCIETY(3)
- JOURNAL OF THE KOREAN MATHEMATICAL SOCIETY(3)
- KOREAN CHEMICAL ENGINEERING RESEARCH(3)
- 가전시대(3)
- 교과교육학연구(3)
- 농약정보(3)
- 대한소아치과학회지(3)
- 방재와 보험(3)
- 보조공학저널(3)
- 산업경영시스템학회지(3)
- 생명과학회지(3)
- 아동과 권리(3)
- 요업학회지(3)
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- 종교교육학연구(3)
- 파렛트 뉴스(3)
- 한국결정학회지(3)
- 한국교육사회학회 학술대회자료집(3)
- 한국균학회지(3)
- 한국농화학회지(3)
- 한국보육지원학회지(3)
- 한국초등체육학회지(3)
- 21세기사회복지연구(2)
- ARCHIVES OF PHARMACAL RESEARCH : A PUBLICATION OF THE PHARMACEUTICAL SOCIETY OF KOREA(2)
- ASIA-PACIFIC JOURNAL OF RESEARCH IN EARLY CHILDHOOD EDUCATION(2)
- PSYCHIATRY INVESTIGATION(2)
- THE KOREAN JOURNAL OF PARASITOLOGY(2)
- 공업경영학회지(2)
- 공업화학(2)
- 교육사회학연구(2)
- 교육학연구(2)
- 교육행정학연구(2)
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- 노인간호학회지(2)
- 대한기계학회논문집(2)
- 대한치과보존학회지(2)
- 대한한방부인과학회지(2)
- 레미콘(2)
- 발명특허(2)
- 불교상담학연구(2)
- 산업공학(2)
- 식물병연구(2)
- 안전경영과학회지(2)
- 안전한 전기제품(2)
- 암석학회지(2)
- 어린이미디어연구(2)
- 월간 닭고기(2)
- 월간양계(2)
- 음악교육공학(2)
- 임상사회사업연구(2)
- 재활치료과학(2)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(2)
- 전기전자학회논문지(2)
- 전기화학회지(2)
- 전력전자학회 논문지(2)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. TC, 통신(2)
- 전자공학회지(2)
- 정보과학회논문지. JOURNAL OF KIISE. 정보통신(2)
- 주류산업(2)
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- 한국고고학보(2)
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- 한국보훈논총(2)
- 한국수자원학회논문집(2)
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- 한국양식학회지(2)
- 한국영양학회지(2)
- 한국원적외선협회보(2)
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- 한국유아교육연구(2)
- 한국환경농학회지(2)
- ADVANCES IN NANO RESEARCH(1)
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- ENVIRONMENTAL ENGINEERING RESEARCH(1)
- HONAM MATHEMATICAL JOURNAL(1)
- JOURNAL OF GINSENG RESEARCH(1)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(1)
- KIEE INTERNATIONAL TRANSACTIONS ON ELECTROPHYSICS AND APPLICATIONS(1)
- MACROMOLECULAR RESEARCH(1)
- THE USERS(1)
- 교육방법연구(1)
- 국민연금연구원 연구보고서(1)
- 대한경락경혈학회지(1)
- 대한고령친화산업학회지(1)
- 대한구순구개열학회지(1)
- 대한군상담학회 학술대회지(1)
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- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. C/ C, 전기물성-응용부문(1)
- 전기학회논문지. THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS. P(1)
- 전기학회논문지= THE TRANSACTIONS OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS(1)
- 전자공학회논문지(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SC, 시스템 및 제어(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(1)
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InGaAs/InAlAs 양자우물구조의 발광특성에 대한 In0.4Al0.6As 버퍼층 성장온도의 영향
김희연, 류미이, 임주영, 신상훈, 김수연, 송진동, Kim. Hee-Yeon, Ryu. Mee-Yi, Lim. J.Y., Shin. S.H., Kim. S.Y., Song. J.D. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.6 449-455 (7 pages)
MQWs는 6-nm, 4-nm, 그리고 2.5-nm 두께의 $In_{0.5}Ga_{0.5}As$ 양자우물과 10-nm 두께의 $In_{0.5}Al_{0.5}As$ 장벽으로 이루어졌다. 4-nm QW과 6-nm QW로부터 PL 피크가 나타났으나, $In_{0.4}Al_{0.6}As$ 성장온도 변화가 가장 큰($320^{circ}C$에서 $580^{circ}C$까지 변화) 시료는 6-nm QW에서의 PL 피크만 나타났다. 낮은 온도($320^{circ}C$에서 $480^{circ}C$까지 변화)에서 성장한 $In_{0.4}Al_{0.6}As$ 버퍼층 위에 성장한 MQWs의 PL 특성이 우수하게 나타났다. 발광파장에 따른 TRPL 결과로 4-nm QW과 6-nm QW에서의 캐리어... -
다층 성장한 InAs/InAlGaAs 양자점의 광학적 특성
오재원, 권세라, 류미이, 조병구, 김진수, Oh. Jae-Won, Kwon. Se-Ra, Ryu. Mee-Yi, Jo. Byoung-Gu, Kim. Jin-Soo 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.6 442-448 (7 pages)
QD1과 QD2 모두 1,320 nm에서 PL 피크가 나타났으며, 온도를 300 K까지 증가하였을 때 각각 178 nm와 264 nm의 적색편이(red-shift)를 보였다. QD1의 PL 소멸시간은 PL 피크인 1,320 nm에서 1.49 ns이고, PL 피크를 중심으로 장파장과 단파장으로 이동하면서 점차 짧아졌다. 그러나 QD2의 PL 소멸시간은 발광파장이 1,130 nm에서 1,600 nm까지 증가할 때 1.83 ns에서 1.22 ns로 점진적으로 짧아졌다. 이러한 QD2의 PL과 TRPL 결과는 평균 양자점의 크기가 InAs/InAlGaAs 층이 증가함에 따라 점차 증가하기 때문으로 single layer인 QD1에... -
분자선에피택시에 의해 Si (100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성에 대한 기판 세척효과
조민영, 김민수, 임재영, Cho. Min-Young, Kim. Min-Su, Leem. Jae-Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.5 371-376 (6 pages)
Ga을 증착한 후 Si 기판을 $800^{circ}C$로 가열하였다. 이와 같은 세 가지 다른 조건으로 세척한 Si(100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성은 reflection high-energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscope (AFM), double crystal x-ray diffraction (DXRD), photoluminescence (PL), photoreflectance(PR) 등으로 조사하였다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층의 RHEED 패턴은 ($2{ imes}4$) 구조를 가지고 있었다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층이 가장... -
수열합성법으로 성장된 산화아연 나노막대의 특성 및 열처리 효과
전수민, 김민수, 김군식, 조민영, 최현영, 임광국, 김형근, 이동율, 김진수, 김종수, 이주인, 임재영, Jeon. Su-Min, Kim. Min-Su, Kim. Ghun-Sik, Cho. Min-Young, Choi. Hyun-Young, Yim. Kwan 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.4 293-299 (7 pages)
PL)를 이용하여 열처리한 산화아연 나노막대의 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. 모든 산화아연 나노막대 시료에서 c-축 배향성을 나타내는 강한 ZnO (002) 회절 피크와 약한 ZnO (004) 회절 피크가 나타났다. 열처리 온도가 증가함에 따라 산화아연 나노로드의 residual stress는 compressive에서 tensile로 변하였다. Hexagonal 형태의 산화아연 나노로드를 관찰하였다. 산화아연 나노로드의 PL 스펙트럼은 free-exciton recombination에 의해 3.2 eV에서 좁은 near-band-edge emission (NBE) 피크와 산화아연 나노막대의 결함에 의해... -
수열합성법으로 성장된 ZnO 나노막대의 전구체 농도에 따른 구조적 및 광학적 특성
조민영, 김민수, 김군식, 최현영, 전수민, 임광국, 이동율, 김진수, 김종수, 이주인, 임재영, Cho. Min-Young, Kim. Min-Su, Kim. Ghun-Sik, Choi. Hyun-Young, Jeon. Su-Min, Yim. Kwang-Gu 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.3 236-241 (6 pages)
수열합성법을 이용하여 전구체 용액 농도에 따라 성장된 ZnO 나노막대의 특성에 대한 연구를 수행하였다. ZnO 씨앗층은 sol-gel법으로 코팅하였고, 그 위에 ZnO 나노막대는 전구체 용액 농도를 0.01 M에서 0.3 M로 변화하여 성장시켰다. FE-SEM (field-emission scanning electron microscopy), XRD (X-ray diffraction), PL (photoluminescence)을 사용하여 ZnO 나노막대의 특성 변화를 분석하였다. 전구체 용액의 농도가 증가함에 따라 ZnO 나노막대의 직경과 길이가 증가하였으며 광학적 특성이 향상되었다. -
유기금속화학기상증착법을 이용한 적층 InAs 양자점 적외선 수광소자 성장 및 특성 평가 연구
김정섭, 하승규, 양창재, 이재열, 박세훈, 최원준, 윤의준, Kim. Jung-Sub, Ha. Seung-Kyu, Yang. Chang-Jae, Lee. Jae-Yel, Park. Se-Hun, Choi. Won-Jun, Yoon. Eui-Joon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.3 217-223 (7 pages)
및 밀도의 변화에 의한 이중 PL peak을 관찰하였으며, TMIn의 유량을 조절함으로써 단일 peak을 갖는 균일한 크기의 양자점 적층 구조를 성장할 수 있었다. 적외선 수광소자 구조를 성장함에 있어서, 상부의 n-형 GaAs의 성장 온도가 600도 이상인 경우 PL 발광 세기가 급격히 감소하였고 이에 따른 암전류의 증가를 관찰하였다. 0.5 V 인가 전압에서 암전류의 온도 의존성에 대한 활성화 에너지의 크기는 성장온도가 580도인 경우 106 meV이고, 650도의 경우는 48 meV로 급격이 낮아졌다. 이는 고온의 성장 온도에 의한 InAs 양자점과... -
GaAs 기판 위에 성장한 In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As 다중양자우물의 광학적 특성에 대한 In0.5Al0.5As 버퍼층 성장온도의 영향
김희연, 오현지, 안상우, 류미이, 임주영, 신상훈, 김수연, 송진동, Kim. Hee-Yeon, Oh. H.J., Ahn. S.W., Ryu. Mee-Yi, Lim. J.Y., Shin. S.H., Kim. S.Y., Song. J.D. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.3 211-216 (6 pages)
온도($320-580^{circ}C$)의 버퍼층 위에 성장한 MQWs는 6 nm QW에서의 PL 피크만 관찰되었다. 일정한 온도 $480^{circ}C$에서 성장한 버퍼층의 MQWs의 PL 세기가 가장 강하게 측정되었으며, 가장 높은 온도에서($530-580^{circ}C$)에서 성장한 버퍼층의 MQWs의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 이러한 PL 결과로부터 $In_{0.5}Al_{0.5}As$ 버퍼층의 최적의 성장조건은 일정한 온도 $480^{circ}C$임을 확인하였다. 방출파장에 따른 PL 소멸시간(decay time)과 PL 스펙트럼으로부터 4 nm QW과 6 nm QW에서의 운반자 수명시간을 얻었다. -
스핀코팅 방법으로 제작된 ZnO 나노 섬유질 박막의 전구체 농도에 따른 표면 및 광학적 특성
김민수, 김군식, 임광국, 조민영, 전수민, 최현영, 이동율, 김진수, 김종수, 이주인, 임재영, Kim. Min-Su, Kim. Ghun-Sik, Yim. Kwang-Gug, Cho. Min-Young, Jeon. Su-Min, Choi. Hyun-Youn 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2010, Vol.19 No.6 483-488 (6 pages)
(PL)을 이용하여 측정하였다. 전구체 농도가 0.4 mol (M) 이하 일 때는 성장률이 낮아 ZnO 핵생성만이 되었고, 0.6 M 이상일 때 ZnO 박막은 나노섬유질 구조가 되었다. 전구체 농도가 더욱 증가함에 따라 ZnO 나노 섬유질의 굵기가 굵어졌고 ZnO 박막의 두께도 단계적으로 두꺼워졌다. 전구체 농도가 증가함에 따라 ZnO 나노 섬유질 박막의 photoluminescence (PL)의 근밴드가장자리 광방출(near-band-edge emission) 피크 세기와 full-width at half-maximu (FWHM)이 증가하였고, 깊은 준위 광방출(deep-level mission) 피크는... -
파장대역폭이 넓은 고휘도 발광소자를 위한 Chirped 양자점 구조의 광/전기 특성 분석
한일기, Han. Il-Ki 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.5 365-371 (7 pages)
크기가 다른 양자점 (chirped 양자점) 구조에 대하여 전기발광 (Electroluminescence, EL) 특성과 광발광 (Photoluminescence, PL) 특성을 측정하고 비교 분석하였다. PL 특성에서는 양자점의 기저준위에 의한 피이크가 우세하게 나타난 반면, EL 특성에서는 여기준위에 의한 특성이 우세하게 나타났다. 이와 같은 특성비교로부터 기저준위도 EL 특성에 영향을 미칠 수 있도록 chirped 양자점 구조를 설계하면 파장대역폭이 더욱 넓은 고휘도 발광소자 개발이 가능할 것임을 제안하였다. -
기판 온도의 영향에 따른 펄스레이저 증착법으로 성장된 ZnO 박막의 발광 특성
김영환, 김성일, Kim. Y.H., Kim. S.I. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.5 358-364 (7 pages)
(PL) 등을 사용하여 박막의 특성 변화를 분석하였다. 그 결과 ZnO 박막은 기판 온도에 관계없이 (0001) 사파이어 기판에 c-축 배향성을 가지며 성장하였음을 확인하였고 기판온도 $600^{circ}C$에서 가장 조밀한 박막이 형성되면서 박막에 응력이 거의 걸리지 않고 결정성도 우수함을 확인하였다. PL 분석 결과 역시 $600^{circ}C$에서 증착된 ZnO 박막이 UV 발광 피크의 반치폭 및 결함에 의한 가시영역에서의 발광 등을 고려했을 때 가장 뛰어난 특성을 보여주었다. 이와 같은 결과는 ZnO 박막의 발광 특성이 박막의 구조적 특성과 매우...