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1851.

TiO2 Interlayer의 상변화에 따른 PLZT 박막의 구조 및 전기적 특성

이철수, 윤지언, 황동현, 차원효, 손영국, Lee. Chul-Su, Yoon. Ji-Eon, Hwang. Dong-Hyun, Cha. Won-Hyo, Sona. Young-Gook 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.6 446-452 (7 pages)

이철수, 윤지언, 황동현, 차원효, 손영국, Lee. Chul-Su, Yoon. Ji-Eon, Hwang. Dong-Hyun, Cha. Won-Hyo, Sona. Young-Gook 저

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R.F. magnetron-sputtering 방법에 의해 $(Pb_{1.1},La_{0.08})(Zr_{0.65}.Ti_{0.35})O_3$ 박막을 $Pt/Ti/SiO_2/Si$, $TiO_2(interlayer)/Pt/Ti/SiO_2/Si$ 기판에 증착하고, $TiO_2$ interlayer에 의한 PLZT 박막의 특성을 고찰 하였다. $TiO_2$ interlayer의 증착조건을 변화시켜가며 단일상의 anatase 상과 rutile 상을 증착하였고, 그 위에 증착시킨 PLZT 박막의결정성을 x-ray diffraction(XRD)을 통해 분석하였다. 또한 $TiO_2$ interlayer에 의한 $PLZT-TiO_2$, $TiO_2-Pt$ 박막의 계면상태를 고찰하기 위해 glow discharge...
1852.

AlGaAs/GaAs HBT 에미터 전극용 Pd/Si계 오믹 접촉

김일호 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2003, Vol.12 No.4 218-227 (10 pages)

김일호 저

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접촉 특성을 조사하였다. Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉의 경우, 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5 imes10^{-3}Omega extrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 조건을 $425^{circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2 imes10^{-6}Omega extrm{cm}^2$의 낮은 접촉 비저항을 나타내었다. Pd/Si/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 경우, $450^{circ}C$까지의 열처리 동안에 전반적으로 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{circ}C$, 20초의 급속 열처리...
1853.

RF Magnetron Sputtering을 이용한 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$박막 커패시터의 제작과 전기적 특성에 관한 연구

이태일, 박인철, 김홍배 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2002, Vol.11 No.1 1-7 (7 pages)

이태일, 박인철, 김홍배 저

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Ti/$SiO_2$/Si 기판위에 증착하였다. $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ 박막 증착시 기판온도는 실온으로 고정시켜주었고, 작업 가스 유량(Ar:$O_2$)과 RF Power는 각각 90:10에서 60:40까지 그리고 50 W와 75 W로 하였다. 또한 박막 증착 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 산소분위기에서 $600^{circ}C$로 고온 순간 열처리를 하였다. 커패시터 제작을 위해 UHV System의 E-beam evaporator를 이용하여 Pt를 증착하였다. XRD 측정을 통한 구조적 특성에서는 작업 가스 유량과 RF Power에 비해 고온 순간 열처리가 결정화에 기여도가...
1854.

$MgTiO_3$산화물 박막의 성장 및 전기적 특성 연구

강신충, 임왕규, 안순홍, 노용한, 이재찬 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2000, Vol.9 No.3 227-232 (6 pages)

강신충, 임왕규, 안순홍, 노용한, 이재찬 저

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펄스레이저 증착법을 이용하여 다양한 기판 위에서 증착하였다. 사파이어 기판에(c-plane Sapphire) 성장된 $MgTiO_3$ 박막은 에피텍셜 성장(epitaxial growth)이 되었으며, $SiO_2$/Si 및 Pt/Ti/$SiO_2$/Si(plantinzed silicon)기판 위에 성장된 $MgTiO_3$ 박막의 경우, 기판과 관계없이 c축 방향으로 배향(oriented)되었다. 사파이어 기판 위에 증착된 $MgTiO_3$ 박막은 가시영역에서 투명하였으며, 약 290 nm 파장을 갖는 영역에서 급격한 흡수단을 보였다. 사파이어 기판 위에 성장된 박막의 AM(Atomic Force Microscopy)분석결과 약...
1855.

RF 마그네트론 스퍼터링법에 의한 MFM 구조의 $SrBi_2Ta_2O_9$ 박막 특성에 관한 연구

이후용, 최훈상, 최인훈 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 2000, Vol.9 No.2 136-143 (8 pages)

이후용, 최훈상, 최인훈 저

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out ferroelectric random access memory)에 사용되는 강유전체막으로 Pt/SBT/Pt/Ti/$SiO_2$/Si (MFM)구조의 응용가능성을 확인하였다. 구조적인 특징들이 열처리 시간의 변화와 Ar/$O_2$의 가스 유량비의 변화에 따라서 XRD(x-ray diffractometer)에 의해 관찰되었으며 표면 특성은 FE-SEM(field emission scanning electron microscopy)에 의해서 관찰하고 박막의 전기적 특성들은 P-V(polarization-voltage measurement)와 I-V(current-voltage measurement)를 사용하여 관찰하였다. 스퍼터링 증착시 Ar/$O_2$의 가스 유량비는 1:4에서...
1856.

PVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 공정개발

최치규, 강민성, 박형호, 염병렬, 서경수, 이종덕, 김건호, 이정용 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.3 255-262 (8 pages)

최치규, 강민성, 박형호, 염병렬, 서경수, 이종덕, 김건호, 이정용 저

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TiN이 형성되는 조건에 맞도록 조절하였으며, 기판의 온도는 실온에서부터 $700^{circ}C$의 범위내로 유지하였다. (111)texture구조를 가지면서 화 학양론적으로 $Ti_{0.5}N){0.5}$인 박막은 기판의 온도가 $600^{circ}C$이상에서 형성되었고, 기판의 온도가 $600^{circ}C$에서는 형성된 박막은 N-과다형이었다. XRD, XPS 및 RBS 분석 결과 TiN 박막의 조 성비는 기판의 온도에 다소 의존하였으나 약 5% 이내에 불과하였다. TiN 박막의 면저항은 기판온도의 증가에 따라 감소하였고, 기판온도가 $600^{circ}C$에서 증착된 TiN 박막의...
1857.

TDEAT single source를 사용한 TiN막의 특성평가

김재호, 이재갑, 박상준, 신현국, 황찬용 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 28-33 (6 pages)

김재호, 이재갑, 박상준, 신현국, 황찬용 저

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TiN 박막은 저온(<$500^{circ}C$), 저압(1Torr)에서 Tetrakis(diethylamido)titanium[TDEAT, Ti(NEt2)4]single precursor를 사용하여 증착하였다. 증차고딘 박막은 SEM(Scanning Electron Microscopy)으로 surface morphology와 step coverage를 측정하였고, TEM(Transmission Electron Microscopy)분석결과 microcrystalline의 TiN을 확인하였다. XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)분석결과에 따르면 $200-500^{circ}C$구간에서는 $eta$-hydogen elimination에 의한 반응이 일어나고 $600-700^{circ}C$구간에서는 thermal...
1858.

RTN에 의해 형성된 TIN/$TiSi_2$ Bilayer의 특성

이석형, 김헌도, 박종완 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.1 26-32 (7 pages)

이석형, 김헌도, 박종완 저

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의존하는 성향이 더욱 강하 였다. Ti를 $400AA$ 증착한 시편의 경우 $600^{circ}C$ -30초 RTN 처리 후에 준안정상인 C49 TiSi2 가 형성되었 으나 $700^{circ}C$ 이상의 온도에서는 안정한 TiN/TiSi2 bilayer가 형성되었다. 이 TiN/TiSi2 bilayer는 1.6~1.9 $Omega$/$square$의 낮은 면저항값을 나타냈다. TiN/TiSi2 bilayer의 형성에는 BF2+영향은 거의 없었으며 As는 C49 상에서 C54상으로의 상전이를 억제하는 효과를 나타냈다 Al/TiN/TiSi2/Si contactrn조는 $550^{circ}C$ 30분까지 열적 안정성이 양호하였고 10%불산용액에서는 약...
1859.

퍼멀로이 박막의 자기적 특성에 관한 연구

오세빈, 김은구, 김진영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages

한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.4 455-461 (7 pages)

오세빈, 김은구, 김진영 저

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, NiFe/Si, NiFe/Al/Si, NiFe/Ti/Si 의 박막을 제작하였다. 하지층으로 사용한 알루미늄과 티타늄은 RF 스퍼터링으로 증착하였으며 퍼럼로이(NiFe) 필름은 60, 80, 90wt%Ni로 조성을 변화시켜 증착하였다. 박막의 포화자화(Ms), 보자력(Hc), 각형비(F)는 sweep time을 1.7분으로 하여 시료 토크마그네토 메터로 측정하였다. 보자력에 영향을 주는 표면조도는 전자주사현미경(SEM)과 표면조도 측정기로써 알아보았다. 실험결과 80wt% Ni 의 퍼멀로이에서 자장 중 열처리(35 Oe,$ 350^{circ}C$) 후 약 1의 각형비를 나타내었으며 열처리 후...
1860.

DSP를 이용한 인공지능형 전력품질 진단기법 연구

정교범, 곽선근, Chung. Gyo-Gbum, Kwack. Sun-Geun 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 9 Pages

한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2009, Vol.23 No.1 116-124 (9 pages)

정교범, 곽선근, Chung. Gyo-Gbum, Kwack. Sun-Geun 저

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진단기는 과도현상, 순간전압강하, 순간전압상승, 순간정전 및 전고조파 외형률의 진단 및 분류가 가능하다. 신호처리를 위한 데이터 샘플링주파수는 15.36[kHz]가 사용되었으며 샘플링된 이산데이터는 이산웨이블렛변환, 고속푸리에변환, 실효값의 연산에 사용되어진다. 효율적인 인공지능형 전력품질 진단을 위해서, 진단하고자 하는 전력품질 요소에 맞추어 간단한 다층구조의 인공신경망을 설계하였다. 제안된 인공신경망은 C++ 언어로 프로그램되어 PSIM 시뮬레이션 연구에 사용되었으며, TI DSP 320C6713 마이크로프로세서를 사용한...

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