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임피던스 변환회로를 이용한 광대역(2㎓-5.8㎓) FET 스위치 설계
노희정 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 5 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2004, Vol.18 No.4 155-159 (5 pages)
FET 스위치를 설계하고 시뮬레이션 하였다. 특히 주파수에 따른 능동소자의 영향을 최소화하기 위하여 임피던스 변환회로를 적용하여 설계하였다. 이 SPDT스위치 수신경로의 삽입손실은 2(㎓)에서 4(㎓)까지 0.8(㏈)에서 1.462(㏈)를 나타내고 있으며, 4.7(㎓)에서 6.7(㎓)까지 1.26(㏈)에서 2.3(㏈)을 보이고, 격리도는 2[㎓)에서 6.7(㎓)의 대역에서 30(㏈)이하를 나타낸다. 그리고 송신경로에서의 삽입손실은 2(㎓)에서 4(㎓)까지 1.18(㏈)에서 2.87(㏈)를 나타내고 있으며, 4.7(㎓)에서 6.7(㎓)까지 0.625(㏈)에서 1.2(㏈)을 나타내고... -
POWER MOS FET를 사용한 계단파 PWN 인버터에 관한 연구
이성백, 구용회, 이종규 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 4 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會誌 1987, Vol.1 No.2 70-73 (4 pages)
본 연구에서는 의사사인(Sine) 방식을 사용한 간단한 계단파 PWN을 소개하였다. 제어기의 구성은 기본파 성분인 Sine값을 계단 레벨로 분할하고 각각의 값을 디지탈 합성하여 3상 PWN 인버터를 구성하였다. 3상 출력 펄스는 캐리어 주파수를 일정하게하고 기본파만 변화시켜 낮은 주파수에서 고조파 감소 효과를 얻어냈다. 실험으로는 스위칭 주파수가 20[KHz]일때 0.5마력 유도 전동기 구동을 실행하였다. -
극저온에서 나노스케일 무접합 p-채널 다중 게이트 FET의 전기적 특성
이승민, 박종태, Lee. Seung-Min, Park. Jong-Tae 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2013, Vol.17 No.8 1885-1890 (6 pages)
게이트 FET의 전기적 특성을 분석하였다. 헬륨을 사용하는 극저온 프로브 스테이션을 사용하여 소자를 측정하였다. 극저온과 낮은 드레인 전압에서 무접합 트랜지스터의 드레인 전류의 진동 현상이 축적모드 보다 심한 것을 알 수 있었다. 이는 무접합 트랜지스터에서는 채널이 실리콘 박막의 가운데 형성되므로 전기적 채널 폭이 축적모드 트랜지스터 보다 작기 때문이다. 온도가 증가할수록 드레인 전류가 증가하며 최대 전달 컨덕턴스도 증가하는 것을 알 수 있었다. 이는 온도가 증가할수록 문턱전압이 감소하며 이동도가 증가하는... -
FET 스위치를 이용한 2.6 GHz 용 SPA 안테나 설계
강현상, 박영일, 용환구, 김병성, Kang. Hyun-Sang, Park. Young-Il, Yong. Hwan-Gu, Kim. Byung-Sung 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2012, Vol.23 No.10 1137-1144 (8 pages)
안테나는 방사체(radiator)로 동작하는 단일 급전 ${lambda}/4$ 모노폴 안테나가 중앙에 있고, 스위칭에 따라 반사체(reflector)와 유도체(director)로 동작하는 4개의 기생소자가 이를 둘러싸고 있으며, 이들 기생소자는 개방된 모노폴이 각각 둘러싸고 있다. 본 논문에서는 기존의 PIN 다이오드가 아닌 RF FET 스위치를 사용하여 빔 조향을 함으로써 간단한 구조의 저가, 저전력 안테나를 설계하였으며, 스위치의 특성에 따른 SPA 안테나의 성능을 분석하였다. 제작한 안테나의 크기는 반지름 65 mm, 높이 35 mm이고, 2.6 GHz에서... -
LDMOS FET를 이용한 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기 설계
이희민, 홍성용, Yi. Hui-Min, Hong. Sung-Yong 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2008, Vol.19 No.4 484-491 (8 pages)
펄스 고전력 증폭기를 설계하고 제작하였다. 이를 위해 LDMOS FET의 드레인 전원을 스위칭하기 위한 고전압 스위칭 회로를 제안하였다. LDMOS FET를 이용한 펄스 고전력 증폭기는 단일 전원을 사용하고, 소자 특성상 이득과 출력이 높기 때문에 기존의 GaAs FET를 사용한 증폭기에 비해 구조가 간단하며, 사용 전압($V_{ds}=26{sim}28;V$)에 비해 최대 허용 전압(65 V)이 $2{sim}3$배 높아 스위칭 방식에 적합하다. LDMOS FET를 이용하여 제작된 1.2 GHz 대역 100 W 펄스 증폭기는 펄스 폭이 2 us, PRF가 40 kHz의 출력 신호에서 상승... -
Near Zero IF를 갖는 2.4 GHz WLL 기지국용 하모닉 Cascode FET 혼합기 설계 및 제작
이혁, 정윤석, 김정표, 최재훈 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2003, Vol.14 No.5 472-478 (7 pages)
본 논문에서는 LO 신호의 2차 하모닉 성분을 이용하여 2개의 FET를 cascode 구조로 구성한 near zero If특성을 갖는 하모닉 혼합기를 설계,제작하였다. 호모다인 방식에서 사용되는 혼합기는 DC offset이 가장 심각한 문제이다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 단자간 분리도를 좋게 하고 near zero IF를 사용하여 혼합기를 설계하였다. 본 논문에서 구현된 혼합기는 간결한 구조에 비해 LO-RF 단자간 분리도가 우수하다. 설계된 혼합기에서 RF 입력 전력 -30 dBm, LO 입력 전력 6 dBm에 대해, 변환이득은 6.7 dB, 잡음지수는 8.4 dB,... -
GaAs FET소자 모델링을 위한 소신호 모델의 검증과 대신호 모델 추출기 개발
최형규, 전계익, 김병성, 이종철, 이병제, 김종헌, 김남영 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2001, Vol.12 No.5 787-794 (8 pages)
GaAs FET의 대신호 모델 추출기 개발에 관하여 다루었다. 모델링을 하기에 앞서 모델링에 필요한 대량의 측정 데이터를 얻기 위하여 컴퓨터에서 자동제어가 가능한 측정프로그램을 개발하였고 측정계에서 생기는 전압강하를 막기 위해 전압 강하 보상을 위한 알고리즘을 측정프로그램에 추가하였다. 소신호 모델은 대신호 모델의 복잡도를 고려하여 7개의 내부 파라미터를 갖는 소신호 모델을 사용하였으며 각 바이어스에서의 측정된 산란계수를 소신호 모델이 예측한 산란계수 결과와 비교하여 소신호 모델의 바이어스에 따른 정확성을...