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Pin-to-plate Type 대기압 PECVD 방법을 이용해 성장된 다중벽 탄소나노튜브의 전계방출 특성연구
박재범, 경세진, 염근영, Park. Jae-Beom, Kyung. Se-Jin, Yeom. Geun-Young 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2006, Vol.15 No.4 374-379 (6 pages)
본 연구에서는 전계 방출소자로 사용하기 위한 탄소나노튜브의 합성 방법으로, pin to plate type의 대기압 플라즈마 소스를 사용한 AP-PECVD(Atmosphere pressure plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용하였으며, 이를 통하여 대기압에서 성장된 탄소나노튜브의 구조적 및 전기적 특성을 연구하였다. 유리 / 크롬 / 니켈을 기판으로 사용하여 $400{sim}500^{circ}C$ 변화 영역에서 탄소나노튜브를 성장시킨 결과 다중벽 탄소나노튜브가 얻어짐을 알 수 있었다. $500^{circ}C$에서 성장시킨 탄소나노튜브의 경우 FT-Raman을... -
PECVD에 의해 작성된 탄소계 박막의 전계전자방출특성에 대한 증착온도 의존성에 관한 연구
류정탁, 백양규, 이형주 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2003, Vol.12 No.1 35-39 (5 pages)
메탄가스만을 사용하여 RF PECVD 방법으로 성장시킨 a-C 박막의 전계전자방출특성을 조사하였다. 또한 본 논문은 박막의 표면형태와 결정들의 결합구조가 어떻게 전계전자방출에 영향을 미치는가에 관하여 보고된다, a-C 박막의 전계전자방출특성은 증착온도에 크게 의존함이 확인되었다. 실온에서 성장된 카본박막의 문턱전압은 20 V/$mu extrm{m}$이었다. 그러나 증착온도가 $500^{circ}C$로부터 $600^{circ}C$로 증가함에 따라 문턱전압은 17 V/$mu extrm{m}$에서 10 V/$mu extrm{m}$으로 감소하였으며 $800^{circ}C$에서는 문턱전압이... -
HMDSO와 산소를 이용한 PECVD 증착 $SiO_xC_y$필름의 특성연구
김성룡, 이호영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2001, Vol.10 No.2 182-188 (7 pages)
폴리카보네이트 시트의 내마모성을 향상시키기 위하여 HMDSO 모노머와 산소를 사용하여 플라즈마 기상증착시킨 $SiO_xC_y$ 필름의 특성을 분석하였다. RF출력, 산소투입량, 수소투입량을 변화시키면서 각 증착조건에 따른 생성된 필름의 화학결합구조, 원소조성, 표면조도, 헤이즈 특성에 미치는 영향을 FTIR, XPS, AFM, Hazemeter를 이용하여 알아보았다. HMDSO와 산소를 사용한 박막의 증착은 100 nm/min이상의 높은 증착속도를 가졌고,증착실험에서 얻은 증착필름의 원소조성을 XPS를 이용하여 구한 결과, 종전의 다른 유기실리콘계... -
PECVD에 의한 DLC 박막의 성장과 그 특성 조사
조재원, 김태환, 김대욱, 최성수 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.3 248-254 (7 pages)
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 비정질 고 상 탄소 박막의 하나인 유사 다이아몬드(Diamond-Like-Carbon; DLC) 박막을 증착하였다. FT-IR Spectroscopy와 Raman Scattering 등을 통해 박막의 구조적 특징을 조사하였는데, 박막은 microcrystalline diamond domain과 graphitelike carbon domain들이 수소화된 $sp^3$사 면체 구조의 비정질 탄소에 의해 그물 구조로 연결되어진 것으로 보인다. 이러한 추정은 I-V 특성 조사의 결과와도 좋은 일치를 보이는데, 특히 I-V조사에서는 전류의... -
$Si_3N_4$상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성
이찬용, 배성찬, 최시영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.2 141-149 (9 pages)
$Si_3N_4$상에 PECVD법으로 W박막을 증착하였다. 기판온도와 소스가스의 유량비가 텅 스텐 박막에 미치는 영향을 조사하였다. $150^{circ}C$~$250^{circ}C$의 온도 범위 내에서 텅스텐 박막의 증착은 표면반응에 의하여 제한 되었으며, 기판온도와 $SiH_4/WF_6$ 유량비 변화에 따라 150~ 530$AA$/min의 증착률과 스트레스에 영향을 주었고, 특히 과도한 Si3N4가스는 W박막의 구조, 화학적 결합, 스트레스등을 급격히 변화시켰다. TiN, Ti, Mo, NiCr, Al 등 여러 가지 부착층 상의 텅스텐 박막을 증착시킨 결과, Al이 가장 좋은... -
PECVD로 증착된 a-Si박막의 고상결정화에 있어서 기판 온도 및 수소희석의 효과
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.1 29-34 (6 pages)
PECVD방법으로 증착된 비정질 실리콘(a-Si)박막이 고상결정화되고 x-선 회절 (XRD)방법으로 조사되었다. a-Si박막들은 기판 온도 120-$380^{circ}C$사이에서 Si(100)웨이퍼 위에 $SiH_4$가스 혹은 수소희석된 $SiH_4$가스로 증착되고, $600^{circ}C$로 가열되어 결정화되었다. 고상화 되었을 때(111), (220), (311)XRD피크들이 나타났고 (111) 우선방위가 두드러졌다. 고상결정 화된 다결정 실리콘(poly-Si)박막들의 XRD피크의 세기는 기판온도가 낮아짐에 따라 증가되 었고, 수소희석은 고상화 효과를 감소시켰다. XRD로... -
Remote PECVD로 저온성장된 $SiO_2$/InSb의 전기적 특성
이재곤, 박상준, 최시영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1996, Vol.5 No.3 223-228 (6 pages)
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PECVD 에 의한 다이아몬드성 탄소박막의 증착기구에 관한 연구
김한, 주승기 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1994, Vol.3 No.4 420-425 (6 pages)
메탄을 원료가스로 하여 PECVD에 의해 다이아몬드성 탄소(DLC) 박막을 형성하였으며 이때 인 가전력의 크기 및 주파수 그리고 보조가스의 종류가 optical band gap의 크기에 미치는 영향에 대학여 연구하였다. DLC 박막의 optical band gap 은 증착되는 이온의 에너지가 증가할수록 감하였으며 불활성 기체를 보조가스로 사용하는 경우 인가전력에 따른 optical band gap의 크기가 큰폭으로 감소하였다. 소 소를 보조가스로 사용한 경우는 높은 인가전력(100W 이상)에서 optical band gap이 증가하는 것으로 밝 혀졌으며 본 연구에서... -
입체표면 폴리실리콘 전극에서 PECVD $Ta_2O_5$ 유전박막의 전기적 특성
조영범, 이경우, 천희곤, 조동율, 김선우, 김형준, 구경완, 김동원, Cho. Yong-Beom, Lee. Kyung-Woo, Chun. Hui-Gon, Cho. Tong-Yul, Kim. Sun-Oo, Kim. Hyeong-Joon, Koo. Kyun 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.2 246-254 (9 pages)
DRAM 커패시터에서 축정용량을 증대시키기 위한 기초연구로서 2가지 방법을 시도하였다. 첫째로, 커패시터의 유효 표면적을 증대시키기 위해 HSG(hemispherical grain)와 rugged 형태의 표면형상을 갖는 폴리실리콘 전극을 저압 화학기상증착법을 이용하여 제잘하였다. 그 결과 기존의 평평한 폴리실리콘 전극에 비하여 유효면적이 증대된 폴리실리콘 전극이 형성되었다. 둘째로, 고유 전상수를 갖는 $Ta_2O_5$ 박막을 각각의 전극에 플라즈마 화학기상증착법으로 증착시키고 후열처리한 후 전기적 특성변화를 조사하였다....