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알칼리금속이 흡착된 Si(111)$7 imes7$ 계의 초기 산화 과정 연구
황찬국, 안기석, 김정선, 박래준, 이득진, 장현덕, 박종윤, 이순보 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1997, Vol.6 No.2 159-164 (6 pages)
전 자 회절법(reflection high energy electron diffraction: RHEED)을 이용하여 상온과 고온(약 300~$500^{circ}C$)에서 알칼리금속(AM)/Si(111)7$ imes$7표면에 1 monolayer(ML)의 AM을 흡착시키면 Si(111)7$ imes$7표면에 비해 산소의 초기 부착 계수(initial sticking coefficient)와 산소의 포화량 은 증가하지 않았다. Si(111)7$ imes$7-AM표면에 산소의 주입량을 증가시키면서 측정한 O ls 스 펙트럼으로부터 AM이 흡착된 Si(111)7$ imes$7표면에 흡착되는 산소원자는 Si-O, AM-O 두 종 류의 결합형태를 가지는 것으로 생각되며... -
Diamond 박막 성장에 미치는 Si 표면 영향의 AES에 의한 연구
이철로, 신용현, 임재영, 정광화, 천병선, Lee. Cheol-Ro, Sin. Yong-Hyeon, Im. Jae-Yeong, Jeong. Gwang-Hwa, Cheon. Byeong-Seon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 10 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.2 199-208 (10 pages)
다이아몬드 박막성장 거동을 관찰하였다. 표면 염마조건 변화에 따른 3가지 기판(A-Si, B-Si, C-Si)위에 동일한 성장조건으로 다이아몬드를 성장하였으며, 이때 형상인자와 관련된 자유에너지 관계는 ${Delta}G_{A-Si}<{Delta}G_{B-Si}<{Delta}G_{C-Si}$이다. AES, SEM, XRD, RHEED에 의해 각각의 박막 A, B, C를 조사한 결과, 핵생성 자유에너지가 가장 적은 A 박막은 (100) (110) 면이 지배적인 고품위 다이아몬드 박막이다. 자유에너지가 A에 비해 다소 적은 B 박막은 (111) 면이 지배적인 8면체 다이아몬드 박막이고, 자유에너지가... -
Si(111)$7{ imes}7$ 표면에서 Mg 성장양상 연구
안기석, 여환욱, 이경원, 이순보, 조용국, 박종윤 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1993, Vol.2 No.4 399-403 (5 pages)
imes$ 7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 와 XPS(X-ray PhotoelectronSpectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT ~20$0^{circ}C$까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는 (7$ imes$7)에서 diffused (1$ imes$1) 그리고 (2 3 3 $ imes$2√3√3-R30$^{circ}$) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1$ imes$1), three domain(3$ imes$1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히 , $450^{circ}C$의 기판온도에서는 single domain (3$ imes$1) 구조를 최초로... -
이온선보조증착에 의한 Si(100)기판에 정합성장된 $Si_{0.5}Ge_{0.5}$박막의 성장방식
박상욱, 백홍구, Park. Sang-Uk, Baek. Hong-Gu 한국재료학회 한국재료학회지 13 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1995, Vol.5 No.3 297-309 (13 pages)
대한 AFM(Atomic Force Microscopy), RHEED(Reflection High Energy Electron diffraction) 등의 분석결과 Si(100)기판위에 이온선보조증착에 의하여 성장된 $Si_{0.5}$Ge_{0.5}$</TEX>층은 Stranski-Kranstanov(SK)기구로 성장되며, 300eV, 10 $mu$A/$cm^{2}$의 Ar이온선을 조사시키는 경우 결정성이 향상되었고, SK 성장 방식의 임계두께가 증가하였다. Ar 이온선 조사에 의해 MBE에 의한 정합성장온도(55$0^{circ}C$-$600^{circ}C$)보다 훨씬 낮은 20$0^{circ}C$에서 정합성장이 가능하였으며, $x_{mn}$값은 10.5%로 MBE에 의한... -
Si(111) Homoepitaxial성장에서 중간금속이 미치는 영향
곽호원, 이의완, 박동수, 곽이상, 이충화, 김학봉, 이운환, Gwak. Ho-Won, Lee. Ui-Wan, Park. Dong-Su, Gwak. Lee-Sang, Lee. Chung-Hwa, Kim. Hak-Bong, Lee. Un-Hwan 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1993, Vol.3 No.3 230-236 (7 pages)
불규칙적인 진동을 나타내다가 약 6ML정도부터 주기적인 진동으로 바뀜이 관찰되었다. 그러나, 중간금속인 Ag, Sn을 Si(111)위에 1ML흡착시키면 Ag의 경우 300~$600^{circ}C$, Sn의 경우 190~$860^{circ}C$의 시료온도에서 표면구조가 ${sqrt}{3}{ imes}{sqrt}{3}$구조로 바뀜이 RHEED상으로 관찰되었다. 그리고 난 후에 Si을 흡착시킬 경우 RHEED 상의 경면반사점 강도는 초기부터 주기적일 변화를 가짐이 관찰되었으며${sqrt}{3}{ imes}{sqrt}{3}$구조는 변함이 없었다. 또한 보다 낮은 시료 온도에서 많은 진동이 관찰되었다. 이는... -
원자층 제어 PLD를 이용한 산화물 자성 박막 연구의 동향
김봉주, 김복기, Kim. Bong-Ju, Kim. Bog-G. 한국자기학회 韓國磁氣學會誌 10 Pages
한국자기학회 韓國磁氣學會誌 2012, Vol.22 No.4 147-156 (10 pages)
관심이 높다. 그 중에서 원자층 두께를 조절할 수 있는 PLD 방법은 매우 폭넓은 관심을 받고 있다. 우리는 기존의 PLD 방법과 Reflection high energy electron diffraction(RHEED)을 이용하여 원자층 제어 PLD 방법을 구현하였다. 이러한 방법을 이용하여 산화물에서의 원자층 두께를 정밀하게 제어하는 방법에 관한 실험을 수행하였다. 이와 같은 실험방법이 가지는 다양한 조건을 제어하여 최소한의 결함을 가지고 결정의 화학적 조성에 근접하는 고품질의 박막을 구축하여 이를 바탕으로 다양한 실험을 수행하였다. 본 논문에서는... -
직충돌 이온산란 분광법(ICISS)에 의한 고체 표면구조의 해석(2): 반도체 재료의 표면구조 해석
황연, Hwang. Yeon 한국결정학회 한국결정학회지 7 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 2008, Vol.19 No.1 7-13 (7 pages)
표면의 구조해석 방법에는 LEED(저에너지 전자선 회절법)나 RHEED(반사 고에너지 전자선 회절법) 등과 같이 표면의 2차원적 회절상을 해석하는 방법이 있고(역격자 공간의 해석), 또는 ISS(이온산란 분광법), RBS(러더포드 후방산란법) 등과 같이 표면 원자의 실공간에 대한 정보를 직접 얻는 방법이 있다. 실제로는 두 가지 종류의 분석법을 상호 보완적으로 조합하여 효율적인 구조해석을 수행한다. 본고에서는 직충돌 이온산란 분광법(ICISS: Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy)에 대한 원리, 장치, 측정방법 등을 소개한... -
(1210) Gallium Nitride 단결정 박막의 결정구조 및 광학적 특성
황진수, 정필조, Hwang. Jin Soo, Chong. Paul Joe 한국결정학회 한국결정학회지 5 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1997, Vol.8 No.1 33-37 (5 pages)
사용한 HVPE(halide vapor phase epitaxy)방법에 의하여 $990^{circ}C$의 온도에서 성장시켰다. 이종적층막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 확인하였다. 결정구조가 확인된 (1210)면 GaN 단결정막의 광학적 특성은 PL과 Ra-man으로 관찰하였다. Raman 측정은 광학적포논에 기인된 활성모드를 결정축에 대하여 레이저빔의 편광과 진행방향에 의해 변화하는 것을 관찰하였다. Y(Z, Y & Z) X 방향에서의 측정은 $A_1(TO)=533;cm^{-1},;E_1(TO)=559;cm^{-1}$과 $E_2=568;cm^{-1}$ 모드에 기인된 Raman 스펙트럼을 관찰할 수... -
(0001), (10${ar{1}}$2)와 (11${ar{2}}$0) Sapphire 기판에서 Gallium Nitribe 단결정 박막의 성장
황진수, 알렉산 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1994, Vol.5 No.1 24-32 (9 pages)
의하여 성장시키는 연구를 수행하였다. 박막의 표면조직과 결정구조는 XRD, RHEED와 SEM으로 분석하였으며, 성장된 막의 화학적 조성은 XPS로 관찰되었다. (1120) sapphire위에는 각각 (0001)과 (1120) GaN epitaxy 박막의 두가지 배향관계가 관찰되었다. (0001)면 GaN epitaxy 박막은 (0001)과 (1120)면 sapphire 기판위에서 1050℃ 의 고온으로 성장시킬 때 이차원적인 성장구조를 보여주였으며, (1120) sapphire 기판위에 성장된 (1011) GaN 박막이 주사전자현미경과 RHEED 분석결과 가장 좋은 표면조직과 결정구조를 보여주었다.