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- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(1)
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타이타늄 합금에 다양한 두께로 코팅된 TiN 피막의 기계적 성질
이재윤, 오동준, 김희중, 정재헌, Lee. Jae-Yun, Oh. Dong-Joon, Kim. Hee-Jung, Chung. Chae-Heon 대한치과보철학회 대한치과보철학회지 12 Pages
대한치과보철학회 대한치과보철학회지 2007, Vol.45 No.5 675-686 (12 pages)
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이온빔 보조 증착법에 의한 TiN 박막도포가 니켈-크롬-베릴륨 합금의 표면 성상에 미치는 영향에 관한 연구
최수영, 이선형, 장익태, 양재호, 정헌영, Choi. Soo-Young, Lee. Sun-Hyung, Chang. Ik-Tae, Yang. Jae-Ho, Chung. Hun-Young 대한치과보철학회 대한치과보철학회지 23 Pages
대한치과보철학회 대한치과보철학회지 1999, Vol.37 No.2 212-234 (23 pages)
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TiN 코팅된 Ti 및 Ti-6Al-4V합금의 부식거동
이순현, 정용훈, 최한철, 고영무, Lee. Soon-Hyun, Jung. Yoong-Hun, Choi. Han-Chul, Ko. Yeong-Mu 대한치과기공학회 대한치과기공학회지 7 Pages
대한치과기공학회 대한치과기공학회지 2008, Vol.30 No.1 25-31 (7 pages)
-
Tin 및 Tin-Free 방오도료에 대하여
대한조선학회 大韓造船學會誌 1998, Vol.35 No.4 24-32 (9 pages)
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Cobalt Interlayer 와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
오순영, 윤장근, 박영호, 황빈봉, 지희환, 왕진석, 이희덕 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 9 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2003, Vol.40 No.12 1-9 (9 pages)
적용하고 소자 특성 연구를 하였다. Ni-Silicide의 취약한 열 안정성을 개선하기 위해 열 안정성이 우수한 Cobalt interlayer이용하여 silicide의 열화됨을 개선하였고 또한 silicide 계면의 uniformity를 향상하기 위해 TiN capping을 동시에 적용하였다. 100 ㎚ CMOS 소자에 제안한 Co/Ni/TiN 구조를 적용하여 700℃, 30분에서의 열처리 시에도 silicide의 낮은 면저항과 낮은 접합 누설 전류가 유지되었으며 100 ㎚이하 소자의 특성 변화도 거의 없음을 확인하였다. 따라서 제안한 Co/Ni/TiN 구조가 NiSi의 열 안정성을 개선시킴으로써... -
Indium tin oxide 기판의 표면처리에 따른 유기 발광다이오드의 특성
김선혁, 한정환, Kim. Sun-Hyuk, Han. Jeong-Whan 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 10 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.9 1-10 (10 pages)
유기 발광 다이오드를 위한 indium oxide (ITO) 기판을 여러 가지로 방법으로 표면처리를 하고, 이에 따른 atomic force microscopy (AFM)에 의한 morphology의 변화와 표면에서 변화된 원소들의 조성비를 Auger electron spectroscopy (AES)분석에 의하여 조사하였다. 또한 이 기판을 사용하여 초고진공분자선 증착방법에 의하여 유기 발광다이오드를 제작하고 그 특성을 조사하였다. 그 결과 산소플라즈마으로 표면 처리한 ITO 기판 위에 제조된 organic light-emitting diode (OLED)소자의 특성이 향상되었다. 그것은 AES의 분석에... -
대기압 저온 플라스마에 의한 ITO(Indium Tin Oxide)박막 식각의 수소(H$_2$)효과
이봉주, Lee. Bong-Ju 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.8 12-16 (5 pages)
산화인듐(ITO)박막은 대기압 저온 플라스마에 의해 식각이 가능하다는 것을 확인했다. 식각은 수소유량 4 sccm에서 가장 깊게 발생하여, 120 /min를 나타내었다. 식각속도는 Hα*의 발광강도와 대응하였다. ITO박막의 식각 메커니즘은 Hα*에 의해 환원이 된후, 남게 된 금속 화합물은 CH*과 반응하여 기판으로부터 이탈한다고 생각된다. 식각은 식각시간 50초 이상에서부터, 기판온도 145℃ 이상부터 발생하기 시작하였다. 활성화 에너지는 Arrehenius plots으로부터 0.16eV(3.75kcal/mole)를 얻었다 -
ALE 법에 의한 TiN 박막의 증착 및 특성
김동진, 정영배, 이명복, 이정희, 이용현, 함성호, 이종화, Kim. Dong-Jin, Jung. Young-Bae, Lee. Myung-Bok, Lee. Jung-Hee, Lee. Yong-Hyun, Hahm. Sung-Ho, Lee. Jong-Hw 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2000, Vol.37 No.6 43-49 (7 pages)
표면 포화반응을 형성하기 위해 각 반응 기체는 TEMAT-$N_2-NH_3-N_2$의 순서로 교대로 반응로에 주입하였다. 그 결과 TiN 박막은 150 ~ 220 $^{circ)C$에서 자기 제어 성장(self-limiting growth) 기구에 의한 박막 증착 특성을 보였다. 증착된 TiN 박막은 증착율이 4.5 ${AA}$/ cycle로 일정하였고, 비정질 (amorphous)의 구조를 보였다. 박막의 저항율과 표면 평균 거칠기는 210~230${mu}{Omega}{cdot}$cm와 7.9~9.3${AA}$로 측정되었다. TiN 박막을 2000 ${AA}$의 두께로 증착하였을 때, 폭이 0.43${mu}$m이고 단차비 (aspect...