ALE(atomic layer epitaxy)법을 이용하여 (100)면의 Si 기판위에 TiN 박막을 증착하였다. 증착된 TiN 박막을 XRD, 4-point probe, AFM, AES, SEM등의 장비를 사용하여 분석하였다. ALE법에 의한 TiN의 증착을 위한 반응 전구체(precusor)로는 TEMAT(tetrakis (ethylmethylamino)titanium)와 반응 가스로는 $NH_3$를 사용하였다. 표면 포화반응을 형성하기 위해 각 반응 기체는 TEMAT-$N_2-NH_3-N_2$의 순서로 교대로 반응로에 주입하였다. 그 결과 TiN 박막은 150 ~ 220 $^{circ)C$에서 자기 제어 성장(self-limiting growth) 기구에 의한 박막 증착 특성을 보였다. 증착된 TiN 박막은 증착율이 4.5 ${AA}$/ cycle로 일정하였고, 비정질 (amorphous)의 구조를 보였다. 박막의 저항율과 표면 평균 거칠기는 210~230${mu}{Omega}{cdot}$cm와 7.9~9.3${AA}$로 측정되었다. TiN 박막을 2000 ${AA}$의 두께로 증착하였을 때, 폭이 0.43${mu}$m이고 단차비 (aspect ratio)가 6인 트렌치 구조에서 매우 우수한 단차피복성을 보였다.
The TiN thin films were deposited by ALE(atomic layer epitaxy) on (100) silicon substrate. The TiN thin films were characterized by means of XRD, 4-point probe, AFM, AES and SEM. TEMAT(terakis(ethyl methy lamino)titanium) and $NH_3$ were injected into the reactor in sequence of TEMAT-$N_2-NH_3-N_2$ to ensure a saturated surface reaction. As a result, the depostion rate of the TiN film was controlled by self-limiting growth mechanism at temperature range form 150 to 220 $^{circ}C$. Deposited TiN films, all of which show amorphous structure, had a fixed deposition rate of 4.5 ${AA}$/cycle. The resistivity of 210 ~ 230 ${mu}{Omega}{cdot}$cm and the surface r.m.s. roughness of 7.9 ~ 9.3 ${AA}$ were measured. When TiN film of 2000 ${AA}$ were deposited, a excellent step coverage were observed in a trench structure of 0.43${mu}m$ contacts with 6:1 aspect ratio.
