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Short Channel GaAs MESFET의 채널전하분포와 채널전하에 의한 전위장벽의 변화
원창섭, 이명수, 류세환, 한득영, 안형근, Sub. Won-Chang, Lee. Myung-Soo, Ryu. Se-Hwan, Han. Deuk-Young, Ahn. Hyung-Keun 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.9 793-799 (7 pages)
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GaAs MESFET의 정전용량에 관한 특성 연구
박지홍, 원창섭, 안형근, 한득영 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.11 895-900 (6 pages)
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III-V족 화합물 반도체 MESFET 연구동향
서동현, 김남영, 김종헌 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 1998, Vol.11 No.8 26-31 (6 pages)
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Ti/Au, Ti/Pd/Au 쇼트키 접촉의 열처리에 따른 GaAs MESFET의 전기적 특성
남춘우 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1995, Vol.8 No.1 56-63 (8 pages)
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GaAs MESFET의 파괴특성 향상을 위한 recess게이트 구조
장윤영, 송정근 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1994, Vol.7 No.5 376-382 (7 pages)
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Al, Au 쇼트키 접촉의 열처리에 따른 GaAs MESFET의 전기적 특성
남춘우, 박창엽 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1993, Vol.6 No.6 545-552 (8 pages)
게이트 MESFET를 제작하여 열처리에 따른 쇼트키 계면에서의 상호확산 상태와 그에 따른 쇼트키 접촉특성 및 MESFET의 전기적 특성을 조사하였다. Al 및 Au 쇼트키 계면의 상호확산은 as-deposited 상태에서도 나타났으며 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산의 정도는 Au 접촉이 Al 접촉보다 컸다. 특히 Au 접촉에서 Ga의 외부확산이 현저했다 .Al 및 Au 게이트에 있어서 공통적으로 열처리 온도 증가에 따라 포화드레인 전류와 핀치오프 전압은 감소하였고 개방채널 저항은 증가하였으며 변화폭은 Au 게이트가 Al 게이트보다 컸다. Al... -
Recessed-gate 4H-SiC MESFET의 DC특성에 관한 연구
박승욱, 황웅준, 신무환, Park. Seung-Wook, Hwang. Ung-Jun, Shin. Moo-Whan 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.1 11-17 (7 pages)
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Control Volume Formulation Method를 사용한 GaAs MESFET의 2차원 수치해석
손상희, 박광민, 박형무, 김한구, 김형래, 박장우, 곽계달, Son. Sang-Hee, Park. Kwang-Mean, Park. Hyung-Moo, Kim. Han-Gu, Kim. Hyeong-Rae, Park. Jang-Woo, Kwack. Kae 대한전자공학회 전자공학회논문지 14 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.1 48-61 (14 pages)
0.7${mu}m$인 n형 GaAs MESFET를 2차원적으로 수치 해석하였으며, 이동도를 국부 전계의 함수로 취하는 드리프트 -확산 모델을 사용하였다. 이산화 방법으로는 종래에 사용되던 FDM(finite difference method), FEM(finite element method)을 사용치 아낳고 Control-Volume Formulation을 사용하였으며, numerical scheme으로는 기존의 hybrid scheme이나 upwind scheme 대신에 exponential scheme과 거의 근사한 power-law scheme을 사용하였다. 이때 드리프트 속도와 확산 속도의 비율을 나타내는 Peclet number의 개념을 사용하였으며,...


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