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A Unified Analytical One-Dimensional Surface Potential Model for Partially Depleted (PD) and Fully Depleted (FD) SOI MOSFETs
Pandey. Rahul, Dutta. Aloke K. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 10 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2011, Vol.11 No.4 262-271 (10 pages)
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고온에서 accumulation-mode Pi-gate p-MOSFET 특성
김진영, 유종근, 박종태, Kim. Jin-Young, Yu. Chong-Gun, Park. Jong-Tae 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2010, Vol.47 No.7 1-7 (7 pages)
Fin 폭이 다른 accumulation-mode Pi-gate p-채널 MOSFET의 고온특성을 측정 분석하였다. 사용된 소자는 Fin 높이는 10nm 이며 폭은 30nm, 40nm, 50nm 의 3종류이다. 온도에 따라서 드레인 전류, 문턱전압, subthreshold swing, 유효이동도 및 누설 전류 특성을 측정하였다. 온도가 증가할수록 드레인 전류는 상온에서 보다 약간 증가하는 현상이 나타났다. 온도에 따른 문턱전압의 변화는 inversion-mode 소자 보다 작은 것으로 측정되었다. 유효이동도는 온도가 증가할수록 감소하였으나 Fin 폭이 감소할수록 이동도는 큰 것을 알 수... -
Evanescent-Mode를 이용한 MOSFET의 단채널 효과 분석
이지영, 신형순 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2003, Vol.40 No.10 24-31 (8 pages)
Super-steep retrograded channel (SSR)을 갖는 bulk MOSFET, fully-depleted SOI, double-gate MOSFET 구조에 대하여 단채널 효과를 비교 분석하였다. Evanescent-mode를 이용하여, 각 소자 구조에 대한 characteristics scaling-length (λ)를 추출할 수 있는 수식을 유도하고 추출된 λ의 정확도를 소자 시뮬레이션 결과와 비교하여 검증하였다. 70 nm CMOS 기술에 사용 가능하도록 단채널 효과를 효과적으로 제어하기 위해서는 최소 게이트 길이가 5λ 이상이어야 하며 SSR 소자의 공핍층 두께는 약 30 nm 정도로 스케일링되어야... -
Partially-insulated MOSFET (PiFET) and Its Application to DRAM Cell Transistor
Oh. Chang-Woo, Kim. Sung-Hwan, Yeo. Kyoung-Hwan, Kim. Sung-Min, Kim. Min-Sang, Choe. Jeong-Dong, Kim. Dong-Won, Park. Dong-Gun 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2006, Vol.6 No.1 30-37 (8 pages)
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Pseudo MOSFET 기술에 의한 양성자 조사 SOl 웨이퍼의 캐리어 수명 분석
정성훈, 이용현, 이재성, 권영규, 배영호, Jung. Sung-Hoon, Lee. Yong-Hyun, Lee. Jae-Sung, Kwon. Young-Kyu, Bae. Young-Ho 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2009, Vol.22 No.9 732-736 (5 pages)
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SOI 소자에서의 바디 전압 안정화를 위한 실리콘 필름 Island 구조
정인영, 이종호, 박영준, 민홍식, Chung. In-Young, Lee. Jong-Ho, Park. Young-June, Min. Hong-Shick 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 100-106 (7 pages)
SOI MOSFET에서 바디 전압을 안정시키기 위하여 바디 저항과 콘택 소모면적을 줄이면서도 SOI 고유의 장점을 그대로 유지시키는 IBC(Island Body Contact) 구조를 창안하였다. 이 구조는 여러 MOSFEET 들의 바디를 서로 연결하여 같이 콘택을 형성함으로써 면적의 증가 없이 훌륭한 바디 콘택효과를 갖게 된다. VLSI 소자로서의 그 가능성을 소자 시뮬레이션과 제작된 소자와 회로의 측정실험을 통하여 확인하였다. -
Ge mole fraction에 따른 SGOI MOSFET의 아날로그 특성
이재기, 김진영, 조원주, 박종태, Lee. Jae-Ki, Kim. Jin-Young, Cho. Won-Ju, Park. Jong-Tae 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.5 12-17 (6 pages)
본 연구에서는 $Si_xGe_{1-x}$ 버퍼층 위에 성장된 strained-Si에 Ge 농도에 따라 n-MOSFET를 제작하고 소자 제작 후의 열처리 온도에 따른 소자의 아날로그 성능을 측정 분석하였다. 전자의 유효 이동도는 Ge 농도가 증가함에 따라 증가하였으나 32%로 높을 때에는 열처리 온도에 상관없이 오히려 감소하는 것으로 측정되었다. 상온에서 Ge 농도가 증가함에 따라 증가 소자의 아날로그 성능 지수가 우수하였으나 32% 농도에서는 오히려 좋지 않았다. 고온에서 strained-Si의 전자 유효이동도 저하가 Si보다 심하기 때문 SGOI 소자의... -
Analysis of Random Variations and Variation-Robust Advanced Device Structures
Nam. Hyohyun, Lee. Gyo Sub, Lee. Hyunjae, Park. In Jun, Shin. Changhwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 15 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.1 8-22 (15 pages)
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O2 플라즈마 표면처리에 의한 Bio-FET 소자의 특성 열화 및 후속 열처리에 의한 특성 개선
오세만, 정명호, 조원주, Oh. Se-Man, Jung. Myung-Ho, Cho. Won-Ju 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.3 199-203 (5 pages)
$O_2$ 플라즈마를 이용한 표면처리 공정이 Bio-FET (biologically sensitive field-effect transistor)에 미치는 영향을 조사하기 위하여, SOI (Silicon-on-Insulator) wafer와 sSOI (strained- Si-on-Insulator) wafer를 이용하여 pseudo-MOSFET을 제작하고 $O_2$ 플라즈마를 이용하여 표면처리를 진행하였다. 제작된 시료들은 back gated metal contact junction 방식으로 측정되었다. $I_D-V_G$ 특성과 field effect mobility 특성의 관찰을 통하여 $O_2$ 플라즈마 표면처리에 따른 각 시료들의 전기적 특성 변화에 대하여 관찰하였다....