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321.

GaN를 이용한 Schottky diode형 자외선 수광소자의 제작

성익중, 이석헌, 이채향, 이용현, 이정희, 함성호, Seong. Ik-Joong, Lee. Suk-Hun, Lee. Chae-Hyang, Lee. Yong-Hyun, Lee. Jung-Hee, Hahm. Sung-Ho 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 28-34 (7 pages)

성익중, 이석헌, 이채향, 이용현, 이정희, 함성호, Seong. Ik-Joong, Lee. Suk-Hun, Lee. Chae-Hyang, Lee. Yong-Hyun, Lee. Jung-Hee, Hahm. Sung-Ho 저

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전기적 특성과 광학적 특성을 조사하여 자외선 센서로서의 적합성을 검토하였다. 사파이어 기판위에 성장된 GaN 박막은 $7.8{ imes}10^{16}cm^{-3}$의 도핑(doping)농도와 $138 cm^2/V{cdot}s$의 이동도(mobility)를 가졌으며, 파장이 365 nm 이하인 빛만을 흡수하는 자외선 감지막 특성을 나타내었다. 5 V의 역방향 전압을 인가하였을 때 제조된 schottky형 자외선 센서는 325 nm의 자외선 파장에서 응답도가 2.84 A/W였고, $4{ imes}10^4$의 큰 신호대 잡음비(SNR)의 $3.5{ imes}10^9$W의 잡음등가전력(NEP)을 나타내었다. 따라서 ...
322.

POCl$_{3}$ 도핑 및 비소 이온주입공정으로 제작한 높은 안정성을 갖는 다결정실리콘 저항소자 특성

이대우, 노태문, 구진근, 남기수 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1998, No.0 56-62 (7 pages)

이대우, 노태문, 구진근, 남기수 저

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323.

드레인 전압 종속 게이트-벌크 MOSFET 캐패시턴스 추출 데이터를 사용한 측면 채널 도핑 분포 측정

최민권, 김주영, 이성현, Choi. Min-Kwon, Kim. Ju-Young, Lee. Seong-Hearn 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 5 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2011, Vol.48 No.10 62-66 (5 pages)

최민권, 김주영, 이성현, Choi. Min-Kwon, Kim. Ju-Young, Lee. Seong-Hearn 저

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본 연구에서는 측정된 S-파라미터를 사용하여 드레인-소스 전압 Vds에 무관한 게이트-소스 overlap 캐패시턴스를 추출하고, 이를 바탕으로 deep-submicron MOSFET의 Vds 종속 게이트-벌크 캐패시턴스 곡선을 추출하는 RF 방법이 새롭게 개발 되었다. 추출된 캐패시턴스 값들을 사용한 등가회로 모델과 측정된 데이터가 잘 일치하는 것을 관찰함으로써 추출방법의 정확도가 검증되었다. 추출된 데이터로부터 overlap과 depletion 길이의 Vds 종속 곡선이 얻어졌으며, 이를 통해 drain 영역의 채널 도핑 분포를 실험적으로 측정하였다.
324.

이차원 양자 효과를 고려한 극미세 Double-Gate MOSFET

김지현, 손애리, 정나래, 신형순, Kim. Ji-Hyun, Son. Ae-Ri, Jeong. Na-Rae, Shin. Hyung-Soon 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.10 15-22 (8 pages)

김지현, 손애리, 정나래, 신형순, Kim. Ji-Hyun, Son. Ae-Ri, Jeong. Na-Rae, Shin. Hyung-Soon 저

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길이가 축소되면서 나타나는 단채널 현상을 효과적으로 제어하는 차세대 소자이다. DG-MOSFET으로 소자를 축소시키면 채널 길이가 10nm 이하에서 게이트 방향뿐만 아니라 소스와 드레인 방향에서도 양자 효과가 발생한다. 또한 게이트 길이가 매우 짧아지면 ballistic transport 현상이 발생한다. 따라서 본 연구에서는 2차원 양자 효과와 ballistic transport를 고려하여 DG-MOSFET의 특성을 분석하였다. 또한 단채널 효과를 줄이기 위해서 $t_{si}$와 underlap 그리고 lateral doping gradient를 이용하여 소자 구조를 최적화하였다.
325.

Si $p^+n$ 접합 다이오드의 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링

정용성, Chung. Yong Sung 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2004, Vol.41 No.1 9-14 (6 pages)

정용성, Chung. Yong Sung 저

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본 논문에서는 Si의 유효 이온화 계수를 온도 함수로 추출하였고, 이 유효 이온화 계수를 이용하여 Si $p^+n$ 접합에서의 항복 전압을 위한 해석적 표현식을 온도 함수로 유도하였다. 100K 300K 및 500K일 경우, 해석적 항복 전압 결과는 $10^{14}cm^{-3}{~} 10^{17}cm^{-3}$의 농도 범위에서 실험 결과 및 시뮬레이션 결과와 비교하여 오차 범위 $3\%$ 이내로 잘 일치하였다.
326.

실리콘 전력 MOSFET의 온도 관련 항복 전압과 ON 저항을 위한 해석적 표현

정용성 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages

대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2003, Vol.40 No.5 290-297 (8 pages)

정용성 저

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전자와 정공의 온도 관련 이온화 계수로부터 추출한 온도 함수의 유효 이온화 계수 및 전자 이동도를 이용하여 실리콘 전력 MOSFET의 항복 전압과 on 저항을 위한 온도 함수의 해석적 표현식을 유도하였다. 온도 함수의 해석적 항복 전압 결과를 4x1014 cm-3, 1x1015 cm-3, 6x1016 cm-3의 도핑 농도에 대해 각각 실험 결과와 비교하였고, 온도 및 항복 전압 함수의 on 저항 변화도 각각 실험 결과와 비교하였다. 각농도에 따른 온도 함수의 해석적 항복 전압은 77∼300k의 온도 범위에서 실험 결과와 10% 이내의 오차로 잘 일치하였다.
327.

GaN 계열 양자점 소자 연구 동향

김현진, 윤의준 대한전자공학회 電子工學會誌 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會誌 2003, Vol.30 No.5 509-517 (9 pages)

김현진, 윤의준 저

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충분한 연구가 이루어지짖 않은 관계로 optical pumping을 통한 LD lasing 구현에 머무르고 있는 실정이다. 후 소자로의 응용을 위해서는 여러 가지 문제점이 해결되어야 한다. 우선 우수한 결정성을 지니는 양자점의 성장이 이루어져야 한다. 이외에도 각 구현 방법 별로 GaN 및 AlGaN 양자점 성장용 기판으로 많이 사용되는 높은 조성의 AlGaN 및 AlN의 doping 기술 개발, patterning 기술의 개선을 통한 미세 공정 개발 등의 여러 가지 과제들이 남아 있다. 그러나, 양자점이 지진 우수한 특성과 이를 이용한 높은 응용 가능성을...
328.

고저 접합 에미터 구조를 갖는 $N^+NPP^+$ Si 태양전지의 효율 개선

장지근, 김봉렬 대한전자공학회 電子工學會誌 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會誌 1984, Vol.21 No.1 62-70 (9 pages)

장지근, 김봉렬 저

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공정을 통해 N+PP-전지와 N+NPP+ 전지의 가영역에서 물리적 파라미터들(불순물 농도, 두께)을 동일하게 만들었다. 100mW/㎠의 인공조명에서 측정한 결과 N+PP+ 전지들의 전면적 (유효 수광면적) 평균 변환효율이 10.94%(12.16%)이었고, N+NPP+ 전지들의 평균 변환효율은 12.07% (13.41%)로 나타났다. N+NPP+ 전지의 효율개선은 N+N-고저 접합 에미터 구조가 N+ 에미터 영역에서 나타나는 heavy doping effects를 제거함으로써 에미터 재결합 전류의 증가를 억제하고 나아가 개방전압(Voc)과 단락전류(Ish)의 값을 증가시켜 준 결과로 볼...
329.

갈륨인 단결정 성장으로 이룩한 적색 발광 다이오드의 제작

김종국, 민석기 대한전자공학회 電子工學會誌 9 Pages

대한전자공학회 電子工學會誌 1973, Vol.10 No.3 1-9 (9 pages)

김종국, 민석기 저

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이같이 만든 다이오드는 밝고 선명한 붉은 빛을 냈으며 발광하는데 필요한 순방향 바이아스 전류는 5mA 이하였다. 다이오드의 p-n 접합면은 n형 GaP 단결정 기판에 liquid phase epitaxy방법으로 성장시켰고 이때의 Ga 용액의 온도는 약 1300°K정도를 유지했다. 이렇게 하여 제조된 p-n 접합체에 wire bonding으로 ohmic contact시켜 다이오드를 제조했다. 칼륨인 발광다이오드는 매우 적은 전류로 발광되는 장점과 성장 반웅시 질소를 불순물로 doping시키면 녹색으로 발광되는 장점을 갖고 있으므로 앞으로 양산화의 전망이 매우 밝다.
330.

Short Channel Analytical Model for High Electron Mobility Transistor to Obtain Higher Cut-Off Frequency Maintaining the Reliability of the Device

Gupta. Ritesh, Aggarwal. Sandeep Kumar, Gupta. Mridula, Gupta. R.S. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 12 Pages

대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2007, Vol.7 No.2 120-131 (12 pages)

Gupta. Ritesh, Aggarwal. Sandeep Kumar, Gupta. Mridula, Gupta. R.S. 저

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