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$Y_{3-3x}Nd_{3x}Al_5O_12$단결정의 결함 분석
유영문, 김병호 한국결정학회 한국결정학회지 11 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1994, Vol.5 No.2 67-77 (11 pages)
융액인상법으로 육성된 Y3-3xNd3xAl5O12단결정으로부터 결함을 검출하고 1)광학적 불균질상의 발생원인과 2)금속입자 함유물과 기포의 동반 발생 기구 및 3)core와 facet의 발생기구에 대해 분석하였다. 성장방향에 평행한 박 편을 제조한 후 편광현미경으로 광탄성 효과를 이용하여 결함을 분석하였으며, 결함을 etching한 후 광학적 결함 과 비교하였다. 융액유동의 변동에 의해 부분적인 고액계면의 불안정이 발생되면 부분적으로 성장속도가 크게 증가되어 편재 된 기포가 발생되었다. 반면 조성적 과냉이 발생되면 전체적으로... -
TSSG법에 의한 $BaTiO_3$ 단결정 육성
박봉모, 정수진 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1992, Vol.3 No.2 120-128 (9 pages)
BaTiO3 단결정을 용액의 서냉속도를 달리하면서 TSSG법으로 육성하였으며, 성장된 단결정의 결정외형, 결정 결함, 분역구조 등을 관찰하였다. 0.5℃/hr이 하의 속도로 서 냉함으로써 비교적 등차원적인 큰 단 결정을 육성할 수 있었으며, 성장된 BaTiO3 단결정 은 |111|면이 가장 잘 발달된 외형을 나타내었다. 용 액 냉각속도가 너무 빠르거나 용액내의 수직 온도구 배가 너무 크면 용액이 불안정해지므로, 침상의 Ba6 TiL7040 결정상이 석출된다. 성장된 결정내에 평행 한 쐐기모양의 lamella 분역 집단이 이와 수직하게 진행하는... -
Electron Beam Floating Zone Melting에 의한 몰리브덴의 정련 및 단결정 성장에 관한 연구
최용삼, 지응준 한국결정학회 한국결정학회지 13 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1992, Vol.3 No.2 85-97 (13 pages)
vapor pressure between the elements and molybdenum. The pu- rification effect by zone refining was not significant. The EBFZM also refined the interstitial impurities of C, 0 and N, effectively. The single crystals of molybdenum were grown regardless of the experimental conditions and the secondary recrystallization epitaxy was surge sled as a growth mechanism. The dislocation density in single crystal was higher than that by strain-anneal method, and was not reduced by heat treatments. -
승화결정성장로의 감압속도가 탄화규소 단결정 성장에 미치는 영향
김종표, 김영진, 김형준, Kim. Jong-Pyo, Kim. Yeong-Jin, Kim. Hyeong-Jun 한국결정학회 한국결정학회지 8 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1992, Vol.3 No.1 23-30 (8 pages)
단결정 a-SiC성장시 결정성장로의 감압속도가 결정 성장 속도, 결정성, 성장방향에 미치는 영향 을 고찰해 보기 위해서 승화법으로 (001)면 a-SiC 단결정 종자정위에 단결정 a-SiC를 성장시켰다. 결정성장 초기에는 성장로의 빠른 감압 속도에 따라 결정성장속도가 빨라지고 3C-SiC 다결정이 종자정위에 성장하였고, 감압속도를 느리게 한 경우에는 결정성장 속도가 느려지고 6H-SiC 단결정이 성장하였다. 초기에 단결정층이 성장하는 조건 하에서 2시간 성장후의 단면 성장 양상을 보면, 종자정 하단에서 발생하는 낙은 종자정의 연속적... -
$Bi_{12}GeO_{20}$단결정 육성 및 표면탄성파 소자 제조
이태근, 정수진 한국결정학회 한국결정학회지 9 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1991, Vol.2 No.2 32-40 (9 pages)
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승화법에 의한 6H-SiC 단결정 성장
신동욱, 김형준 한국결정학회 한국결정학회지 10 Pages
한국결정학회 한국결정학회지 1990, Vol.1 No.1 19-28 (10 pages)
단결정 6H-SiC는 에너지갭이 3.0eV인 반도체로서 청색발광소자 및 고온반도체소자로 응용이 기대되는 재료이다. 본 연구에서는 청색발광소자 제작을 위해 6H-SiC 단결정을 승화법으로 성장시켰다. 승화법으로 성장시 성장도가니내의 온도구배를 44℃/cm, 성장온도는 1800-1990℃ 압력은 50-1000 mTorr이었다. 사용한 종자정은 에치슨법으로 성장시킨 SiC 단결정을 사용하였다. 성장된 6H-SiC 결정은 종자징위에 epitaxial growtll를 하였음을 편광현미경과 Back reflection Xray Laue 법으로 확인하였다. 성장조건을 변화시켰을 때... -
PVT 법으로 성장된 AlN 단결정의 결정상에 관한 연구
강승민, Kang. Seung-Min 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2014, Vol.24 No.2 54-58 (5 pages)
PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법을 적용하여 질화알루미늄(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였으며, 성장된 결정의 결정성과 성장 온도에 따른 상에 대하여 고찰하였다. 성장된 단결정은 광학현미경을 이용하여 결정의 상을 관찰하였고, 관찰된 결과를 비교 분석하여 본 실험에 적용된 성장 장치에서의 최적의 성장 온도 조건을 설정할 수 있었다. 본 연구에서는 AlN 단결정 성장 결과를 비교 고찰하여 보고하고자 한다. -
AlN 단결정 성장에 관한 연구
강승민, Kang. Seung-Min 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2013, Vol.23 No.6 279-282 (4 pages)
최근 관심이 높아지고 있는 GaN, SiC 단결정과 함께 자외선 LED 및 전력 반도체 용 기판 소재로서 응용성이 높은 질화갈륨(AlN, Aluminum Nitride) 단결정을 성장하였다. 아직 상용화된 AlN 기판은 없지만, 단결정 성장에 대한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 국내 최초로 AlN 단결정의 성장 결과 직경 약 8 mm의 결정을 성장하였다. 성장된 단결정은 광학현미경으로 관찰하였으며, DCXRD를 통하여 결정성을 평가한 결과를 보고하고자 한다. -
무종자결정 상에 성장된 AlN 결정의 형태학적 연구
강승민, Kang. Seung-Min 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2012, Vol.22 No.6 265-268 (4 pages)
대형의 고품질 AlN 단결정은 자외선 LED 및 전력 반도체 소자용으로 중요성이 크다. 그러나, 아직 1인치급의 고품질 단결정에 대해서는 보고된 바가 없다. AlN 성장을 위한 PVT 공정에서는 성장 속도 증가를 위하여 성장 결정의 형상을 고찰하는 것이 매우 중요하다. 본 연구에서는 PVT 공정으로 성장된 AlN 결정의 성장 형태에 대하여 고찰하였다. 광학현미경을 이용하여 결정의 형태와 성장 facet에 대하여 관찰하고, 결정의 성장 습성과 관련하여 고찰하였다. -
고상반응에 의한 NiO 나노 결정의 성장거동에 관한 연구
김창삼, 정덕수, 강승민, Kim. Chang-Sam, Cheong. Deock-Soo, Kang. Seung-Min 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 6 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2009, Vol.19 No.4 184-189 (6 pages)
$Ni(NO_3)_2{cdot}6H_2O$를 원료로 하여 고온에서 열처리함으로써 얻어진 NiO 나노 결정의 성장거동에 대하여 고찰하였다. 성장된 결정의 상은 정 8면체의 구조를 갖고 있었으며, 200${sim}$500 nm 크기로 성장하였다. $900^{circ}C$에서 2시간 동안 열처리하였을 때, $600^{circ}C$ 이하의 열처리 온도에서 나타나지 않았던 (110)과 (100) facet이 생성되는 것을 관찰할 수 있었다 또한 $900^{circ}C$ 열처리에서는, $600^{circ}C$ 이하의 온도에서 열처리 한 시료보다 크기가 작은 결정상이 neck을 형성하면서 성장하였음을 관찰하였다.