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Pt/AlGaN Schottky-Type UV Photodetector with 310nm Cutoff Wavelength
김보균, 김정규, 박성종, 이헌복, 조헌익, 이용현, 한윤봉, 이정희, 함성호, Kim. Bo-Kyun, Kim. Jung-Kyu, Park. Sung-Jong, Lee. Heon-Bok, Cho. Hyun-Ick, Lee. Young-Hyun, Hahn. 한국센서학회 센서학회지 6 Pages
한국센서학회 센서학회지 2003, Vol.12 No.2 66-71 (6 pages)
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HVPE 방법에 의해 r-plane 사파이어 기판 위의 선택 성장된 GaN/AlGaN 이종 접합구조의 특성
홍상현, 전헌수, 한영훈, 김은주, 이아름, 김경화, 황선령, 하홍주, 안형수, 양민, Hong. S.H., Jeon. H.S., Han. Y.H., Kim. E.J., Lee. A.R., Kim. K.H., Hwang. S.L., Ha. H., Ahn. H.S 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 5 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2009, Vol.19 No.1 6-10 (5 pages)
vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAC: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층. Gan 활성층. Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층. Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적 분석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여... -
Multi-sliding boat 방식을 이용한 혼합소스 HVPE에 의한 InGaN/AlGaN 이종 접합구조의 성장
장근숙, 김경화, 황선령, 전헌수, 최원진, 양민, 안형수, 김석환, 유재은, 이수민, Jang. K.S., Kim. K.H., Hwang. S.L., Jeon. H.S., Choi. W.J., Yang. M., Ahn. H.S., Kim. S.W., Yoo. 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 4 Pages
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 2006, Vol.16 No.4 162-165 (4 pages)
HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 InGaN/AlGaN의 이종접합구조(heterostructure)의 LED (light emitting diode)를 선택성장(SAG : selective area growth)하였다. InGaN/AlGaN 이종접합구조를 혼합소스 HVPE로 연속 성장하기 위하여 새로운 디자인의 multi-sliding boat를 도입하였다. SAG-InGaN/AlGaN LED의 상온 EL(electroluminescence) 특성은 주입전류가 20mA일 때 중심파장은 425nm였다. Multi-sliding boat를 이용한 혼합소스 HVPE 방법이 질화물 반도체 LED를 성장하는 유용한 방법이 될 수 있음을 확인하였다. -
Cr/n-AlGaN/GaN Schottky Contact에서 높은 쇼트키 장벽 형성 메카니즘에 관한 연구
남효덕, 이영민, 장자순, Nam. Hyo-Duk, Lee. Yeung-Min, Jang. Ja-Soon 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2011, Vol.24 No.4 266-270 (5 pages)
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Al0.3Ga0.7N/GaN 및 Al0.3Ga0.7N/GaN/Al0.15Ga0.85N/GaN 이종접합 구조에서 운반자 구속 효과와 이차원 전자가스의 광학적 특성
곽호상, 이규석, 조현익, 이정희, 조용훈, Kwack. H.S., Lee. K.S., Cho. H.E., Lee. J.H., Cho. Y.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.4 359-364 (6 pages)
금속 유기화학 증착기 (metal-organic chemical vapor deposition)를 이용하여 사파이어 기판 위에 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN 및 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N/GaN/Al_{0.15}Ga_{0.85}N/GaN$ 이종접합 구조들을 성장하고, 이들 시료의 전자와 정공들 간의 구속 효과를 조사하기 위하여 광학적, 구조적 특성을 비교하였다. 저온 (10 K) photoluminescence 실험으로부터 $Al_{0.3}Ga_{0.7}N$/GaN 단일 이종접합 구조의 경우 3.445 eV에서 단일의 이차원 전자가스 (two-dimensional electron gas; 2DEG) 관련된 발광을 관찰한 반면,... -
저온 성장 AlN 층이 삽입된 Al0.55Ga0.45N/AlN/GaN 이종접합 구조의 구조적 특성 및 이차원 전자가스의 광학적 특성
곽호상, 이규승, 김희진, 윤의준, 조용훈, Kwack. H.S., Lee. K.S., Kim. H.J., Yoon. E., Cho. Y.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.1 34-39 (6 pages)
층이 삽입된 $Al_{0.55}Ga_{0.45}N$/LT-AlN/GaN 이종접합 구조에 대하여 이차원 전자가스 (two-dimensional electron gas, 2DEG) 관련된 photoluminescence (PL) 신호를 관찰하였다. 이 시료에 대하여 온도 변화에 따른 PL 실험을 수행하여 100 K 근방까지 2DEG 관련된 PL 신호를 관찰하였다. 여기광 세기에 따른 PL 실험을 통하여 ~3.411 eV에서 나타난 2DEG PL 신호와 함께 ${sim}3.437eV$에서도 PL 신호가 관측되었는데, 이는 AlGaN/LT-AlN/GaN 계면에 형성된 2DEG 버금띠와 Fermi 에너지 준위에서의 재결합 특성으로 각각 해석되었다. -
분극 엔지니어링을 통한 상시불통형 질화알루미늄갈륨 이종접합 전계효과 트랜지스터 설계
차호영, 성혁기, Cha. Ho-Young, Sung. Hyuk-Kee 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 6 Pages
한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 2012, Vol.16 No.12 2741-2746 (6 pages)
본 연구에서는 기존의 질화알루미늄갈륨/질화갈륨 이종접합 구조에서 강한 분극현상으로 인하여 구현하기 어려웠던 상시불통형 소자를 질화알루미늄갈륨 기판 혹은 버퍼층을 이용하여 구현하는 방법을 제안한다. 질화알루미늄갈륨 기판 혹은 버퍼층 위에 더 높은 Al 몰분율을 갖는 장벽층을 성장하고 최상부에 질화갈륨 층을 추가 성장하여 분극전하를 상쇄시키는 방법을 이용하여 선택적으로 게이트 아래의 채널만 공핍시켜 상시불통형 소자를 구현할 수 있다. 이를 통하여 본 연구에서는 상용 전력소자에서 요구하는 게이트 문턱전압 2... -
전력증폭기용 SiC 기반 GaN TR 소자 제작
김상일, 임병옥, 최길웅, 이복형, 김형주, 김륜휘, 임기식, 이정희, 이정수, 이종민, Kim. Sang-Il, Lim. Byeong-Ok, Choi. Gil-Wong, Lee. Bok-Hyung, Kim. Hyoung-Joo, Kim. Ryun-Hwi, 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 8 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.2 128-135 (8 pages)
본 논문에서는 Si가 도핑된 Modulation-doped AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 가지는 전력증폭기용 MISHFET 소자를 제작하였다. 제작된 GaN TR 소자는 6H-SiC(0001)의 Substrate 위에 성장시켰으며, 180 nm의 gate length를 가진다. 제작된 소자를 측정한 결과, 837 mA/mm의 최대 드레인 전류 특성, 177 mS/mm의 $g_m$(Tranconductance)을 가지며, $f_T$는 45.6 GHz, $f_{MAX}$는 46.5 GHz로 9.3 GHz에서 1.54 W/mm의 전력 밀도와 40.24 %의 PAE를 가지는 것으로 확인되었다.