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플라즈마 중합법에 의한 게이트 절연박막의 제작 및 특성
손영도, 황명환, 임재성, 신백균, Son. Young-Do, Hwang. Myung-Whan, Lim. Jae-Sung, Shin. Paik-Kyun 한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 6 Pages
한국조명전기설비학회 照明·電氣設備學會論文誌 2011, Vol.25 No.12 48-53 (6 pages)
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플라즈마 삽입전극의 전류에 미치는 밀도 구배의 영향
황휘동, 구치욱, 정경재, 최재명, 김곤호, 고광철, Hwang. Hui-Dong, Gu. Chi-Wuk, Chung. Kyung-Jae, Choe. Jae-Myung, Kim. Gon-Ho, Ko. Kwang-Cheol 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2011, Vol.24 No.6 504-509 (6 pages)
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Ar 가스 압력과 RF 전력에 따른 유도결합형 플라즈마의 전기적 및 광학적 특성
최용성, 허인성, 이영환, 박대희 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2004, Vol.17 No.5 560-566 (7 pages)
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유도결합형 플라즈마원을 이용한 고선택비 산화막 식각에 관한 연구
이수부, 박헌건, 이석현 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 1998, Vol.11 No.4 261-266 (6 pages)
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BCl3 평판형 유도결합 플라즈마를 이용한 GaAs 건식식각
임완태, 백인규, 정필구, 이제원, 조관식, 이주인, 조국산, Lim. Wan-tea, Baek. In-kyoo, Jung. Pil-gu, Lee. Je-won, Cho. Guan-Sik, Lee. Joo-In, Cho. Kuk-San 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.4 266-270 (5 pages)
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차세대 노광공정용 Ta박막의 $0.2mu extrm{m}$ 미세패턴 식각특성 연구
우상균, 김상훈, 주섭열, 안진호, Woo. Sang-Gyun, Kim. Sang-Hoon, Ju. Sup-Youl, Ahn. Jin-Ho 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.12 819-824 (6 pages)
본 연구에서는 Electron Cyclotron Resonance plasma etching system 을 이용한 Ta 박막의 미세 식각 특성을 연구하였다. 염소 plasma를 사용하여 microwave power, RF Power, working pressure, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 profile의 영향을 조사하였고, pattern density가 증가함에 따라 발생하는 microloading 현상을 $0.2{mu extrm{m}}$ 이하의 패턴에서 확인 하였다. 이를 개선하기 위하여 식각 과정을 두 단계로 분리하는 2단계 식각 공정을 수행하였으며 이를 통해 우수한 식각 profile을 얻을 수 있었다. -
플라즈마 공정 변수가 $TiO_{2pm}{delta}$ 박막 형성에 미치는 영향
박상기, 강봉주, 이원희, 이재갑, Park. Sang-Gi, Gang. Bong-Ju, Lee. Won-Hui, Lee. Jae-Gap 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.11 732-737 (6 pages)
$TEMAT/H_2$플라즈마를 이용하여 $TiO_{2pm}{delta}$를 증착하였다. Power를 300W에서 500W로 증가시켜 고 밀도 플라즈마를 형성시킨 경우에는 Ti 함유량이 크게 증가하였고, 무시할 정도의 C, N이 함유되었다. 기판에 bias를 가한 경우에도 Ti 양이 증가되면서, 증착률이 크게 증가되었다. 또한 매우 적은 양의 $H_2O(~10^{-4}Torr)$는 TEAMT[tetrakis (ethylmethylamido) titanium] 분해를 효율적으로 이루어 주어 C, N의 양을 크게 감소시키면서 $TiO_2$에 요구되는 충분한 O을 제공하였다. 결과적으로 플라즈마 반응에 의하여 생성된... -
HDP를 이용한 실리콘 단결정 Deep Dry Etching에 관한 특성
박우정, 김장현, 김용탁, 백형기, 서수정, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.6 570-575 (6 pages)
device의 개발에 주력하고 있으며, 이를 위해서는 고종횡비와 높은 식각 속도를 가진 HDP(High Density Plasma) etching 기술 개발이 필수적이라 할 수 있다. 이를 위하여 우리는 Inductively Coupled Plasma(ICP) 장비를 이용하여 각 공정 변수에 의한 실리콘 deep trench식각 반응을 연구하였다. 실험 공정 변수인 platen power, etch/passivation cycle time에서 etching 단계 시간에 따른 변화와 SF$_{6}$:C$_4$F$_{8}$ 가스유량을 변화시켜 연구하였으며 또한 이들의 profile, scallops, 식각 속도, 균일도, 선택비도 관찰하였다. -
자기펄스성형법 및 통전가압소결법의 연속공정을 이용한 고밀도 나노 알루미나 세라믹의 제조
이종극, 홍순직, 이민구, 이창규, Lee. J. K., Hong. S. J., Lee. M. K., Rhee. C. K. 한국분말야금학회 한국분말야금학회지 6 Pages
한국분말야금학회 한국분말야금학회지 2005, Vol.12 No.5 345-350 (6 pages)