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InAs/GaAs 양자점 태양전지에서 전하트랩의 영향
한임식, 김종수, 박동우, 김진수, 노삼규, Han. Im Sik, Kim. Jong Su, Park. Dong Woo, Kim. Jin Soo, Noh. Sam Kyu 한국진공학회 韓國眞空學會誌 8 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.1 37-44 (8 pages)
본 연구에서는 양자점(quantum dot, QD)에서의 전하트랩이 태양전지의 특성에 미치는 영향을 조사하기 위하여, GaAs 모체 태양전지(MSC)의 활성층에 InAs/GaAs QD을 삽입한 $p^+-QD-n/n^+$ 태양전지(QSC)를 제작하여 그 특성을 비교 조사하였다. Stranski-Krastanow (SK)와 준단층(quasi-monolayer, QML)의 2종류 QD를 도입하였으며, 표준 태양광(AM1.5)에서 얻은 전류-전압 곡선으로부터 태양전지의 특성인자(개방전압($V_{OC}$), 단락전류($I_{SC}$), 충만도(FF), 변환효율(CE))를 결정하였다. SK-QSC의 FF값은 80.0%로 MSC의... -
대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발
서제형, 정승욱, 이원선, 최윤성, 최명운, 최진철, 최광호, Seo. J.H., Jung. S.W., Lee. W.S., Choi. Y.S., Choi. M.W., Choi. J.C., Jeong. K.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2013, Vol.22 No.1 1-6 (6 pages)
$600{ imes}1,200mm$ 기판에 대면적 CIGS 광흡수층 증착을 위한 선형증발원 개발을 위해 다른 크기의 노즐과 일정한 노즐 간격을 가지는 선형증발원의 플럭스 밀도를 전산 모사하여 플럭스 균일도 ${pm}5%$의 조건을 구하였다. 이를 바탕으로 제작된 선형증발원을 이용하여 Cu, In의 단일막 두께균일도를 확인하였고, CIGS 광흡수층을 동시증발법으로 증착하여 박막의 두께균일도 및 증착 조성의 균일도로 선형증발원을 평가하였다. XRF 조성 분석을 통해 구한 조성불균일도는 600 mm 폭에서 $$Cu{leq_-}5%$$, $$In{leq_-}7%$$,... -
InGaAs 반도체 박막의 테라헤르쯔(THz) 발생 및 검출 특성 연구
박동우, 김진수, 노삼규, 지영빈, 전태인, Park. D.W., Kim. J.S., Noh. S.K., Ji. Young-Bin, Jeon. T.I. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2012, Vol.21 No.5 264-272 (9 pages)
본 논문에서는 InGaAs 반도체에 기반한 테라헤르쯔(THz) 송/수신기(Tx/Rx) 제작을 위한 기초 연구로서, InGaAs 박막의 THz 발생 및 검출 특성에 관한 결과를 보고한다. THz 발생과 검출 특성 조사에는 각각 MBE 장비로 고온(HT) 및 저온(LT)에서 성장한 InGaAs 박막이 사용되었으며, THz 발생에는 photo-Dember 표면방출 방법이 시도되었다. HT-InGaAs 기판 위에 제작한 전송선(Ti/Au)의 가장자리에 Ti:Sapphire fs 펄스 레이저(60 ps/83 MHz)를 조사하여 THz파를 발생시켰으며, 이때 THz 검출에는 LT-GaAs가 사용되었다. 시간지연에 따른... -
p-GaSb:Be/GaAs 에피층의 Be 준위에 관한 연구
노삼규, 김준오, 이상준, Noh. S.K., Kim. J.O., Lee. S.J. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2011, Vol.20 No.2 135-140 (6 pages)
Be을 도핑한 p형 GaSb:Be 에피층의 광여기 발광(PL) 스펙트럼(20 K)의 도핑밀도에 따른 변화를 조사하여, Be 억셉터의 근원을 분석하였다. 도핑을 증가시키면 PL 피크가 고에너지로 변위하고 반치폭은 줄어드는 경향을 보이다가, 밀도가 ${sim}10^{17}cm^{-3}$ 이상에서 피크 에너지는 오히려 저에너지로 변위하고 반치폭이 늘어나는 현상을 관측하였다. 3개 피크로 분리한 PL 스펙트럼의 적분 PL 강도 변화를 통하여, 도핑 증가에 따라 $Be[Be_{Ga}]$ 준위(0.794 eV)는 감소하는 반면 진성결함에 기인한 $A[Ga_{Sb}]$ 피크(0.778 eV)와... -
적외선검출소자를 위한 GaSb 결정 및 MBE로 성장한 Gasb/SI-GaAs 박막의 진성결함에 관한 연구
김준오, 신현욱, 최정우, 이상준, 노삼규, Kim. J.O., Shin. H.W., Choe. J.W., Lee. S.J., Noh. S.K. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2009, Vol.18 No.2 127-132 (6 pages)
Sb에 기초한 응력 초격자 적외선검출소자의 구성 물질인 도핑하지 않은 기판 GaSb 결정과 GaSb/SI-GaAs 박막에 잔존하고 있는 진성결함 (intrinsic defect)을 비교 조사하였다. 상온 근처 (250 K)까지 광여기 발광 (PL)을 보이는 GaSb 결정에서의 발광 에너지의 온도의존성으로부터, 밴드갭 에너지에 관한 경험식인 Varshni 함수의 파라미터 ($E_o$, $alpha$, $eta$)를 결정하였다. GaAs 기판 위에 성장된 이종 GaSb 박막에서는 GaSb 주요 진성결함으로 알려져 있는 29 meV의 이온화 에너지를 가지는 위치반전 (antisite) Ga... -
Zinc Oxide와 갈륨이 도핑 된 Zinc Oxide를 이용하여 Radio Frequency Magnetron Sputtering 방법에 의해 상온에서 제작된 박막 트랜지스터의 특성 평가
전훈하, 노경석, 김도현, 최원봉, 전민현, Jeon. Hoon-Ha, Noh. Kyoung-Seok, Kim. Do-Hyun, Choi. Won-Bong, Jeon. Min-Hyon 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2007, Vol.16 No.5 359-365 (7 pages)
논문에서는 zinc oxide (ZnO)와 gallium이 도핑 된 zinc oxide (GZO)를 이용하여 radio frequency (RF) magnetron sputtering 방법에 의해 상온에서 제작된 bottom-gate 박막 트랜지스터의 특성을 평가하고 분석하였다. 게이트 절연층 물질로서 새로운 물질을 사용하지 않고 열적 성장된 $SiO_2$를 사용하여 게이트 누설 전류를 수 pA 수준까지 줄일 수 있었다. ZnO와 GZO 박막의 표면 제곱평균제곱근은 각각 1.07 nm, 1.65 nm로 측정되었다. 그리고 ZnO 박막은 80% 이상, GZO 박막은 75% 이상의 투과도를 가지고 있었고, 박막의 두께에... -
Precursor alternating metalorganic chemical vapor deposition에 의한 (100) GaAs 기판위로의 InGaAs 성장시의 높은 indium 유입
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1996, Vol.5 No.4 354-358 (5 pages)
precuror alternating metalorganic chemical vapor deposition(PAMOCVD)에 의한 InGaAs의 성장시에 높은 indium의 유입이 관찰되었다. gallium과 indium의 전구물질의 분해의 차이 그리고 이에따른 분해된 전구물질 분자의 흡착행동의 차이를 고려함으로써 PAMOCVD 성장시의 결정내로의 높은 indium유입의 mechanism을 제안하였다. -
GaN HEMT Die를 이용한 Ku-대역 전력 증폭기 설계 및 제작
김상훈, 김보기, 최진주, 정병구, 태현식, Kim. Sang-Hoon, Kim. Bo-Ki, Choi. Jin-Joo, Jeong. Byeoung-Koo, Tae. Hyun-Sik 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 7 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2014, Vol.25 No.6 646-652 (7 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) die를 이용하여 Ku-대역 전력 증폭기 설계, 제작 그리고 실험 결과에 대해 기술하였다. 저비용으로 Ku-대역 전력 증폭기를 설계하기 위하여 고가의 알루미나 회로 기판 제작 대신 PCB(Printed Circuit Board)를 이용하여 입/출력단 정합 회로를 이용하였다. 측정 결과로는 펄스 모드로 동작시켰을 때 14.8 GHz에서 42.6 dBm의 출력 전력, 37.7 % 드레인 효율 그리고 7.9 dB의 선형 이득을 얻었다. CW(Continuous Wave) 실험 결과로는 39.8 dBm의 출력 전력, 24.1... -
내부 고조파 조정 회로로 구성되는 고효율 370 W GaN HEMT 소형 전력 증폭기
최명석, 윤태산, 강부기, 조삼열, Choi. Myung-Seok, Yoon. Tae-San, Kang. Bu-Gi, Cho. Samuel 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.11 1064-1073 (10 pages)
본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 mm GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 $10.16{ imes}10.16{ imes}1.5Tmm^3$ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다.... -
GaN HEMT를 이용한 스위칭 모드 전력증폭기 설계 및 전력증폭기의 Ruggedness 특성 분석
최길웅, 이복형, 김형주, 김상훈, 최진주, 김동환, 김선주, Choi. Gil-Wong, Lee. Bok-Hyoung, Kim. Hyoung-Joo, Kim. Sang-Hoon, Choi. Jin-Joo, Kim. Dong-Hwan, Kim. Seon 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2013, Vol.24 No.4 394-402 (9 pages)
본 논문은 GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor)를 이용한 S대역 레이더용 전력증폭기 설계하고 제작된 스위칭 모드 전력증폭기의 ruggedness 시험에 관련된 내용을 기술하였다. 고효율 특성을 위해 전력증폭기를 Class-F로 설계하였으며, 측정을 위한 입력 신호는 $100{mu}s$의 pulse width 및 10 %의 duty cycle인 pulse 신호를 사용하였다. 제작된 Class-F 전력증폭기의 중심 주파수에서 측정한 결과, 8.7 dB의 전력 이득과 42 dBm의 출력 전력, 54.2 %의 전력 부가 효율(PAE) 및 62.6 %의 드레인 효율이...