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바이오메스 열처리 및 수열합성에 의한 복합기공소재 제조
서정권, 이정민 한국열환경공학회 열환경공학 16 Pages
한국열환경공학회 열환경공학 2006, 제 3권 1호 5 39-54 (16 pages)
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Graphene growth from polymers
Hong-Kyu Seo, Tae-Woo Lee 한국탄소학회 Carbon Letters 7 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2013, Vol.14 No.3 2 145-151 (7 pages)
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Oxidation Resisitant SiC Coating for carbon/carbon Composites
Hyeok-Jong Joo, Nam-Joo Lee, In-Seok Oh 한국탄소학회 Carbon Letters 7 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2003, Vol.4 No.1 5 24-30 (7 pages)
탄소/탄소 복합재는 열용량이 크고 비강성 및 비강도가 높으며 특히 진공 및 불활성 분위기 하에서 3000℃이상의 초고온에서도 기계적 물성의 저하가 거의 일어나지 않고 그 강도를 유지할 수 있기때문에 우주 항공 산업분야의 고온 구조용 재료로 이용되고 있는 유용한 재료이다. 특히 초고온에서 강도 유지와 열충격에 대한 저항성이 우수하므로 첨단 로켓 모터의 노즐목에 적합하며, 초고온 및 에너지 산업 문야에 이용된다. 최근에는 생체와 친화력이 우수하므로 인체 공학 분야에는 응용하려는 새로운 연구가 시작되고 있다. -
Particle Materials for Power Technology
Soo-Jin Park 한국탄소학회 Carbon Letters 7 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2002, Vol.3 No.4 7 226-232 (7 pages)
분체란 고체가 세분화되고 또 그 각 구분이 서로에 구속되지 않는 존재형태를 가지며, 확률 통계적 특성으로 나타내며, 그 표면 특성이 전체의 거동에 대하여 지배적인 특성을 가질 것 등 3가지 공통 조건을 가지는 물질을 의미한다. 화학공업에서 뿐만 아니라 토목공하, 기계공학에서조차도 분말상 고체를 취급하는 경우가 많고, 이 경우에는 항상 일차적으로 분말의 단일입자나 집단에서 분체 특성 또는 물성은 중요한 기초 지식이 된다 -
Carbon/Carbon Composite by Pack-cementation Method
J.I.KIM, I.S.Oh, H.J.Joo 한국탄소학회 Carbon Letters 10 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2001, Vol.2 No.1 5 27-36 (10 pages)
21세기에는 에너지의 고갈과 더불어 고도로 발달한 산업환경으로 인하여 재료의 경량화, 고성능화가 촉진되고 있다. 또한 우주산업과 운송산업은 방송, 통신산업과 더불어 가장 크게 성장할 것으로 예측된다. 이러한 우주산업의 재료들과 초고속 운송시스켐의 재료들이 CFRC가 내열, 구조재료로서 각광을 받고 있다[1-4].그러나 탄소재료는 500\'C 정도의 낮은 온도에서 산소와 급격히 반응하여 burn-off되는 심각한 결전을 가지고 있으므로 CFRC를 산화환겨에서 사용하기 위해서 수많은 연구가 수행되었다[5-8]. -
$Si_3N_4$상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성
이찬용, 배성찬, 최시영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 9 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1998, Vol.7 No.2 141-149 (9 pages)
PECVD법으로 W박막을 증착하였다. 기판온도와 소스가스의 유량비가 텅 스텐 박막에 미치는 영향을 조사하였다. $150^{circ}C$~$250^{circ}C$의 온도 범위 내에서 텅스텐 박막의 증착은 표면반응에 의하여 제한 되었으며, 기판온도와 $SiH_4/WF_6$ 유량비 변화에 따라 150~ 530$AA$/min의 증착률과 스트레스에 영향을 주었고, 특히 과도한 Si3N4가스는 W박막의 구조, 화학적 결합, 스트레스등을 급격히 변화시켰다. TiN, Ti, Mo, NiCr, Al 등 여러 가지 부착층 상의 텅스텐 박막을 증착시킨 결과, Al이 가장 좋은 부착특성을 보였다. -
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition (UHVCVD)법에 의한 GaAs와 InGaAs 박막의 선택 에피택시
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.3 275-282 (8 pages)
deposition(UHVCVD)법으로 Si3N4로 패턴된 GaAs(100)기판 위에 GaAs와 InGaAsqkr막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/lll 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에... -
극미세 전자소자 박막배선의 결함방지 및 신뢰도 향상을 위한 절연보호막 효과
양인철, 김진영 한국진공학회 韓國眞空學會誌 7 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 1995, Vol.4 No.2 217-223 (7 pages)
$400mu$m길이의 경우 0.44eV(nonpassivated), 0.45eV(Si3N4 passivated), 0.50 eV(PSG passivated), 그리고 0.66 eV(SiO2 passivated)로 각각 측정되었다. $1600mu$m 길이의 AI-1%Si 박막배선 실험에서도 같은 절연보호막 효과가 관찰되었다. 따라서 SiO2, PSG, Si3N4등 절연보호막은 AI-1%Si 박막배선에서의 electromigration에 대한 저항력을 높여 결함방지효과를 보이며 수명을 향상시킨다. SiO2의 절연보호막의 경우가 AI-1%Si 박막배선의 electromigration에 대한 가장 강한 저항력을 보이며 평균수명도 높게 나타났다.
