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광통신용 APD-FET 광수신모듈 설계 및 제작
강승구, 송민규, 윤형진, 박경현, 박찬용, 박형무, 윤태열, 이창희, 심창섭 한국광학회 한국광학회지 7 Pages
한국광학회 한국광학회지 1994, Vol.5 No.1 166-172 (7 pages)
FET 광수신모듈을 설계 및 제작하였다. 본 논문에서는 광수신모듈 제작시 고려해야 할 광학적, 전기적, 기계적 설계 및 제작 그리고 모듈의 특성평가에 대해 설명하였다. 광학적으로는 GRIN rod 렌즈와 경사 연마된 단일모우드 광섬유를 갖는 단일렌즈계로 구성하였으며 기계적으로는 광부품의 견고한 조립을 위해 레이저 용접법을 도입하였고 전기적으로는 Avalenche Photo Diode로부터의 소신호를 증폭하기 위한 GaAs FET 전치층폭기를 내장 하였다. 모듈 제작후 성능평가에서는 2.5 Gbps 속도에서 223-1의 길이를 갖는 입력광신호에... -
부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력FET의 선형성 증가
김우석, 김상섭, 정윤하, Kim. U-Seok, Kim. Sang-Seop, Jeong. Yun-Ha 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 6 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2002, Vol.39 No.1 83-88 (6 pages)
도핑된 Al0.25Ga0.75As/In0.25Ga0.75As/Al0.25Ga0.75As 이종접합 구조를 갖는 FET를 제안하였다. 제안된 HFET는 게이트 전극 아래로 도핑되지 않은 AlGaAs 진성공급층을 두어 -2OV 의 높은 항복전압을 얻었다. 또한 소자의 InGaAs 채널에 부분 도핑을 실시하여, 균일 채널 도핑을 실시한 경우보다 향상된 선형성을 유도하였고, 2차원 전산모사 견과와 제작 및 측정결과를 통해 선형성의 향상을 확인하였다. 본 실험에서 제안된 HFET소자는 DC측정 결과와 고주파측정 결과 모두에서 기존의 FET소자들에 비해 향상된 선형성을 나타내었다. -
Single-Electron Logic Cells and SET/FET Hybrid Integrated Circuits
Kim. S.J., Lee. C.K., Lee. J.U., Choi. S.J., Hwang. J.H., Lee. S.E., Choi. J.B., Park. K.S., Lee. W.H., Paik. I.B., Kang. J.S. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2006, Vol.6 No.1 52-58 (7 pages)
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O2 플라즈마 표면처리에 의한 Bio-FET 소자의 특성 열화 및 후속 열처리에 의한 특성 개선
오세만, 정명호, 조원주, Oh. Se-Man, Jung. Myung-Ho, Cho. Won-Ju 한국진공학회 韓國眞空學會誌 5 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.3 199-203 (5 pages)
$O_2$ 플라즈마를 이용한 표면처리 공정이 Bio-FET (biologically sensitive field-effect transistor)에 미치는 영향을 조사하기 위하여, SOI (Silicon-on-Insulator) wafer와 sSOI (strained- Si-on-Insulator) wafer를 이용하여 pseudo-MOSFET을 제작하고 $O_2$ 플라즈마를 이용하여 표면처리를 진행하였다. 제작된 시료들은 back gated metal contact junction 방식으로 측정되었다. $I_D-V_G$ 특성과 field effect mobility 특성의 관찰을 통하여 $O_2$ 플라즈마 표면처리에 따른 각 시료들의 전기적 특성 변화에 대하여 관찰하였다.... -
A CMOS Stacked-FET Power Amplifier Using PMOS Linearizer with Improved AM-PM
Kim. Unha, Woo. Jung-Lin, Park. Sunghwan, Kwon. Youngwoo 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 6 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.2 68-73 (6 pages)
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A Highly Efficient Dual-Mode 3G/4G Linear CMOS Stacked-FET Power Amplifier Using Active-Bypass
Kim. Unha, Kim. Yong-Gwan, Woo. Jung-Lin, Park. Sunghwan, Kwon. Youngwoo 한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 6 Pages
한국전자파학회 Journal of electromagnetic engineering and science : JEES 2014, Vol.14 No.4 393-398 (6 pages)
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MOS-FET구조의 MWCNT 가스센서에서 Vgs의 변화에 따른 NOx 가스 검출 특성
김현수, 박용서, 장경욱, Kim. Hyun-Soo, Park. Yong-Seo, Jang. Kyung-Uk 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2014, Vol.27 No.4 257-261 (5 pages)
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MOS-FET 구조의 MWCNT 가스센서를 이용한 초희박 NOx 가스 검출 특성
김현수, 이승훈, 장경욱, Kim. Hyun-Soo, Lee. Seung-Hun, Jang. Kyung-Uk 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 5 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2013, Vol.26 No.9 707-711 (5 pages)