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저손실 광도파로 제작을 위해 PECVD 법에 의해 증착된 SiON/SiO2 다층박막
김용탁, 김동신, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2004, Vol.41 No.3 197-201 (5 pages)
플라즈마 화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 Si(100) 웨이퍼에 silicon oxide(SiO$_2$)와 silicon oxynitride(SiON) 후막을 SiH$_4$, $N_2$O, $N_2$가스를 혼합하여 증착하였다. RF power와 rf bias power의 변화에 따른 SiO$_2$ 막과 SiON 막의 특성변화에 대하여 고찰하였다. RF power와 rf bias power가 증가함에 따라 굴절률은 감소하는 경향을 나타내었으며, 막의 굴절률은 1552 nm에서 1.4493-1.4952까지 변화하였다. 이와 같이 rf power가 증가함에 따라 굴절률이 감소하는 이유는 oxygen의 량이 증가하고 nitrogen의 량이... -
PECVD법에 의해 증착된 SiO2 후막의 광학적 성질 및 구조적 분석
조성민, 김용탁, 서용곤, 윤형도, 임영민, 윤대호, Cho. Sung-Min, Kim. Yong-Tak, Seo. Yong-Gon, Yoon. Hyung-Do, Im. Young-Min, Yoon. Dae-Ho 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2002, Vol.39 No.5 479-483 (5 pages)
저온($320^{circ}$C)에서 $SiH_4$와 $N_2O$ 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 $SiO_2$ 후막을 제조하였으며, 공정변수로는 $N_2O/SiH_4$ 유량비와 RF power에 변화를 주었다. 증착된 시편은 $N_2$ 분위기의 열처리로에서 $1050{circ}$에서 2시간동안 열처리하였다. $N_2O/SiH_4$ 유량비가 증가함에 따라 증착속도는 $9.4~2.9{mu}m /h$까지 감소하였으며, RF power가 증가함에 따라 증착속도는 $4.7~6.9{mu}m /h$까지 증가하였다. 두께 및 굴절률은 Prism Coupler를... -
PECVD법에 의해 증착된 $SiO_2$후막 특성에서 $N_2O$/$SiH_4$Flow Ratio와 RF Power가 미치는 영향
조성민, 김용탁, 서용곤, 임영민, 윤대호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2001, Vol.38 No.11 1037-1041 (5 pages)
저온(32$0^{circ}C$)에서 SiH$_4$와 $N_2$O 가스의 혼합을 통해 플라즈마화학기상증착(PECVD)법을 이용하여 실리카 광도파로의 클래딩막으로 사용되는 SiO$_2$후막을 제조하였다. 증착변수가 SiO$_2$후막의 특성에 미치는 영향을 살펴보기 위해 $N_2$O/SiH$_4$flow ratio와 RF power에 변화를 주었다. $N_2$O/SiH$_4$ flow ratio가 감소함에 따라 증착속도는 2.9 $mu extrm{m}$/h), 굴절률은 thermal oxide의 굴절률(n=1.46)에 근접하였다. -
PECVD법에 의한 3C-SiC막 증착(I): 증착변수에 따른 SiC 증착거동
김광호, 서지윤, 윤석영 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 6 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2001, Vol.38 No.6 531-536 (6 pages)
SiCl$_4$/CH$_4$/H$_2$계를 사용한 플라즈마 화학증착법(PECVD)으로 실리콘(100) 기판 위에 3C-SiC막을 117$0^{circ}C$~1335$^{circ}C$의 온도범위에서 증착하였다. 증착온도, 유입가스비, R$_{x}$ [=CH$_4$/(CH$_4$+H$_2$)], 그리고 r.f. power를 변화시켜 증착막의 결정성에 대해 검토하였다. Thermal CVD에 비해 PECVD법은 박막의 증착속도를 향상시켰다. 증착된 3C-SiC은 (111) 면으로 최대의 우선배향성을 지님을 알 수 있었다. 실리콘 기판 위의 3C-SiC막의 결정성은 R$_{x}$값에 의존하였으며, R$_{x}$가 감소할수록 결정성이 더욱... -
PECVD법에 의한 3C-SiC막 증착(II): Nanoindentation 방법을 이용한 SiC 막의 기계적성질
김광호, 윤석영, 서지윤, 김창열 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 5 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2001, Vol.38 No.4 365-369 (5 pages)
플라즈마 화학증착법(PECVD)에 의해 실리콘 (100) 기판 위에 3C-SiC막을 증착하였다. 증착반응시 유입가스비, R$_{x}$[=CH$_4$/(CH$_4$+H$_2$)]에 따른 증착막의 결정성에 대해 검토하였다. 증착된 3C-SiC막의 결정성은 R$_{x}$ 값이 감소할수록 더욱 향상되었으며, 형성된 결정상은 (111) 면으로 최대의 우선배향성을 가졌다. Nanoindentation 방법을 이용하여 3C-SiC막의 압입깊이에 따른 경도 및 탄성계수를 측정하였으며, 유입가스비(R$_{x}$)의 변화에 따라서 막의 경도 및 탄성계수가 뚜렷이 변화하였다. -
PECVD법에 의해 제조된 Sb-doped $SnO_2$ 박막의 증착거동 및 전기적 특성
김근수, 서지윤, 이희영, 김광호 한국세라믹학회 한국세라믹학회지 7 Pages
한국세라믹학회 한국세라믹학회지 2000, Vol.37 No.2 194-200 (7 pages)
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PECVD TEOS $SiO_2$막의 특성에 관한 연구
이수천, 이종무 한국세라믹학회 요업학회지 7 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1994, Vol.31 No.2 206-212 (7 pages)
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PECVD공정 조건의 질화실리콘 박막특성에 대한 효과
이종무, 이철진 한국세라믹학회 요업학회지 9 Pages
한국세라믹학회 요업학회지 1987, Vol.24 No.2 170-178 (9 pages)
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조성변화에 따른 PECVD SiON 박막의 물성특성
조유정, 한길진, 김영철, 서화일, Cho. Yu Jung, Han. Kil Jin, Kim. Yeong Cheol, Seo. Hwa Il 한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 4 Pages
한국반도체및디스플레이장비학회 반도체및디스플레이장비학회지 2005, Vol.4 No.3 1-4 (4 pages)